"Ferroelectricity" 검색결과 81-100 / 200건

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  [반도체] Flash Memory 와 FRAM

  FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)1. Ferroelectrics 이란?2. FRAM의 소개3. FRAM의 종류4. FRAM의 장점가. ... Ferroelectrics의 hysteresis 특성2. FRAM 이란? ... Flash Memory 와 FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)가. Flash Memory1. Flash Memory 의 소개2.

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.27

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  RAM(Random Access Memory) - DRAM, SRAM, FeRAM(FRAM), MRAM, PRAM

  RAM의 종류1.2.1 DRAM (Dynamic Random Access Memory)1.2.2 SRAM (Static Random Access Memory)1.2.3 FRAM (Ferroelectrics

  리포트 | 64페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.12.22

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  고분해능 전자현미경법을 이용한 (Bi, La)4Ti3O12 박막의 결정학적 특성 평가

  한국재료학회 이덕원, 양준모, 박태수, 김남경, 염승진, 박주철, 이순영, 박성욱

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  차세대 메모리

  Epitaxial film growth of ferroelectrics 4. ... Space charge in ferroelectrics 2. Defects: Vacancies,Interstitial.. 3. ... 휘발성.MemoryMemory 구성 비교차세대 Memory종류 반도체 내부의 기본 단위인 셀을 구성하는 물질에 따라서, FRAM (Ferroelectric RAM, 강유전체) MRAM

  리포트 | 25페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.10.27

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  IPS 액정 원리

  . - 좁은 시야각과 느린 응답 특성의 문제점을 해결  AFLC 을 이용한 반사형 액정디스플레 Ferroelectric: 외부의 전기장 없이도 스스로 분극을 가지는 재료로서 외부

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.06.25

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  1. 결과보고서(1.압전체 제작을 통한 일반적인 세라믹 공정의 이해)

  압전체의 polarization에 대해 조사하고 Ferroelectric domain과 연관지어Ferroelectric hysteresis loop를 간단히 설명하시오.① 압전체의 ... 냉각시킨 다음 전계를 차단하기 때문에 분극시간이 길어지는 단점이 있지만 가열상태의 분극배열을 상온상태까지 유지시킬 수 있기 때문에 분극 효과 면에서 고온분극법에 비해 다소 우수하다.② Ferroelectric

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.09.28

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  나사의 가상현실 연구소 Advanced Displays and Spatial Perception

  단계 I은 기존하는 기술, 즉 평범함으로 만든 ferroelectric, liquid-crystal 가벼운변조기 및 활동 모체 뒤판의 비범한 조합을 이용하는 해결책, 결정 실리콘에 ... Phase I will investigate a solution that utilizes a novel combination of existing technologies, namely ferroelectric

  리포트 | 20페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.05.28

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  FeRAM

  Ferroelectric RAM(FeRAM) 재료설계및평가 3 차 발표OutlineBasic ConceptsRAM(Random Access Memory)Current Memory Devices ... Higher Integration density -Non-Volatile -Lower power consumption Higher Speed Ferroelectric RAMMechanism ... 2003 특허청 , 『2004 신기술동향조사 보고서 - 차세대 반도체 정보기억장치 』, 2004 위키피디아백과사전 FeRAM, http://en.wikipedia.org/wiki/Ferroelectric_RAM

  리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.24

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  기계 공진점 변화 측정을 통한 분자 수준 질량 변화 측정

  없어지는 경우로 구분 되며 먼저 crystal구조로 인한 강유전체(ferroelectric) 원리는 다음과 같다. ... [그림 4] 수정의 하전분자구조의 결정 예[그림 5] 분자내부에 전위차 압전의 원리는 crystal구조로 인한 강유전체(ferroelectric) 와 crystal 구조의 대칭성이 ... 물질의 magnetic property에서 강자성체(ferromagnetic) 물질이 있는 것처럼, electric property에도 강유전체(ferroelectric) 물질이 있다

  리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.05.02

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  [물리학 콜로퀴엄]무연계 강유전체 박막 소재 연구

  이렇게 강유전성(ferroelectricity)을 잃어버리는 온도를 큐리 온도(Curie temperature)라고 한다. ... 상온에서 강유전체이더라도 강유전체는 강유전분역(Ferroelectric domain)으로 나누어져 있기 때문에 외부 전기장이 없을 경우 분극 값은 영에서 시작한다. ... 울산대 물리학과에서 학생들을 가르치시며 연구하고 계시는 교수님께서는 Ferroelectricity분야를 연구하고 계시는데, 특히나 lead-free에 중점을 두셔서 green energy에

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.12.11

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  공진점 변화측정실험보고서

  구조의 대칭성이 없어지는 경우로 구분 되며 먼저 crystal구조로 인한 강유전체(ferroelectric) 원리는 다음과 같다. ... 물질의 magnetic property에서 강자성체(ferromagnetic) 물질이 있는 것처럼, electric property에도 강유전체(ferroelectric) 물질이 있다 ... 물질중 결정구조를 갖는 것은 약 32종류로서 그 중 비대칭 결정인 20종류만 압전효과를 갖는다.압전의 원리는 crystal구조로 인한 강유전체(ferroelectric) 와 crystal

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.10.26

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  FeRAM의 원리 및 특징

  FeRAM 이란 Ferroelectric Random Access Memory의 약자로서, 기존의 DRAM과 거의 똑같은 구조와 동작원리를 가진 기억소자이다. ... DRAM과 다른 점은 강유전체 (Ferroelectrics) 라는 재료를 캐퍼시터 재료로 사용하여 전원이 없이도 Data를 유지할 수 있는 비휘발성메모리라는 점이다. ... 그림 5 와 같이 Ferroelectric gate oxide 의 분극 방향에 따라서 Source, Drain 간에 conductance의 차이가 생겨서 이 차이로부터 정보가 "0"

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.08.17

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  [압전특성] Pb-based 복합 perovskite 화합물의 상합성 및 유전, 압전 특성

  Normal ferroelectric과 relaxor ferroelectric간의 상경계는 60 mol% PMN 조성 근처에 존재함을 확인할 수 있었다(Fig. 3-5). ... , 그리고 tetragonal인 ferroelectric상으로 존재한다. ... Normal ferroelectric의 특성을 나타내는 조성영역에서 PMN-PZ는 rhombohedral상을 가지며, relaxor-ferroelectric의 특성을 나타내는 PMN-rich영역은

  리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.06.03

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  FRAM & FeRAM 조사

  FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) 혹은 FeRAM 이라고 한다.FRAM은 읽고 쓰기가 가능한 불휘발성(전원이 끊겨도 지워지지 않음) 반도체 ... 물질로 대체한 것으로, (그림3)과 같이 Ferroelectric 게이트산화막의 분극 방향에 따라서 Source, Drain 간에 발생하는 도전성차이로부터 정보가 "0" 혹은 "1 ... 따라서 (그림3)과 같은 구조는 현재 실용화되지는 못하였고,(그림4)와 같이 Flash Memory에 응용되고 있는 Floating gate구조를 이용한MFMIS(Metal Ferroelectric

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.10.26

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  차세대 메모리

  Random Access Memory)FRAM 혹은 FeRAM은 Ferro-electric RAM의 약자로 강유전체(ferroelectrics)의 잔류분극현상을 이용한다. ... 이용하는 것이 아니라, 빠른 속도로 움직이는 전자들의 공간 전하분극을 이용하기 때문이다.DRAM이 가지는 메모리의 휘발성 결점을 극복하고자 EPROM, EEPROM, 플래 FeRAM (Ferroelectric

  리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2005.06.15

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  비휘발성 메모리를 위한 Pt/SBT/Ta2O5/Si 구조의 전기적 특성에 관한 연구

  한국재료학회 박건상, 최훈상, 최인훈

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Conducting Polymer

  Conducting Polymers-Fundamentals and Applications』, Kluwer Academic Publishers, 1999 Ebrahim Andideh , “Ferroelectric

  리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.24

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  램 ( DRAM, FeRAM, PRAM, MRAM )

  DRAM과 다른 점은 강유전체(Ferroelectrics)라는 재료를 캐퍼시터 재료로 사용하여 전원이 없이도 Data를 유지할 수 있는 비휘발성 메모리라는 점이다. ... FeRAMFeRAM이란 Ferroelectric Random Access Memory의 약자로서, 기존의 DRAM(Dynamic Random Access Memory)과 거의 똑같은

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.03.22

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  FRAM에 대해

  FRAM (Ferroelectric random access memory: 강유전체 메모리)FRAM(Ferroelectric random access memory: 강유전체 메모리) ... 최근 들어 특히 일본과 미국 기업은 물론이고 국내 기업에서도 강유전체를 이용한 불휘발성 기억소자(Ferroelectric random access memory:FRAM)를 개발하고자

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.04.22

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  강유전체의 특성 및 원리

  그러한 이상적인 메모리로 제시되고 있는 것 중 하나가 바로 FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)입니다. ... 단지 캐패시터 공정에서 디램의 캐패시터 물질을 강유전체(ferroelectric) 물질로 변경하면 된다. 강유전체 물질의 잔류 분극값이 비휘발성 메모리를 가능하게 하는 것이다.

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.02.26

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