"Ferroelectricity" 검색결과 121-140 / 200건

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  반도체 제조 공정

  Ferroelectric RAM 강 유전체라는 물질로 만들어진 것으로 D 램과 거의 동일한 구조와 동작원리를 갖고 있습니다 .

  리포트 | 36페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.09

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  산화물반도체,Oxide Semiconductor

  공정변수를 조절하여, conductivity를 control하여, channel로 사용하는 연구와, conducting material을 그대로 이용하되, gate-insulator를 ferroelectric을

  리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.10.18

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  FRAM과 Flash Memory

  What is the ferroelectricity? ... 강유전체는 전기적으로는 절연체인 유전체의 일종으로서, 특수한 물리적 성질을 가진 물질이다.강유전체(ferroelectrics)는 1920년 로쉘 염이라는 물질에서 처음 그 성실서 상전이

  리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.11.28

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  Multiferroics.다강체 관련 레포트

  강유전큐리온도(ferroelectric Curie temperature)는 높았으며, 670K까지는 어떤 상전이도 관측되지 않았다.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.12.11

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  BaTiO3의 소결 실제와 밀도측정, SEM을 통한 미세구조 관찰

  (cubic)상이 안정하다가 120℃이하에서 정방정(tetragonal) 구조로 바뀌며, 이 과정에서 Ti+4이온이 대칭중심에서 c축 방향으로 변위하면서 자발분극이 생겨 강유전성(ferroelectricity

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.11.26

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  충격량 실험

  guage type transducer② 직접측정- Piezoelectric transducerPiezoelectric elements :artificially polarized ferroelectric

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.26

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  LCD 액정

  이상이므로 동적 안정성 확보를 위해 선경사각을 크게,다량의 도펀트 첨가그 외에 Ferroelectric LCD, ECB LCD 및 산란형과 흡수형이 존재한다.1. ... 제품(시계,계산기 등)에 많이 이용되었고 LCD에 쓰이는 액정의 종류에 따라 Twisted Nematic(TN)-LCD, Super Twisted Nematic(STN)-LCD, Ferroelectric

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.11.02

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  액정디스플레이

  사용온도 범위등(2) STN-LCD (Super Twist -ed Nematic LCD) -twist 각이 240°~270°로 인가전압에 따른 투과도가 급격히 변화됨(3) F-LCD (Ferroelectric

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.09

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  DRAM과 Flash memory에 관련하여 영어로 정리하였습니다.

  For example, the ferroelectrics have much higher dielectric constant than SiO2 and offer larger capacitance

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.05.14

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  [mocvd]mocvd(영문 파워포인트)

  Specially, It is used in manufacture of memory element that use ferroelectric substance.The representative

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.08

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  차세대 비휘발성 메모리

  메모리 반도체를 구성하는 기본 단위를 이루는 물질에 따라서 종류가 구분된다.P(Phase Change)램은 상변화를 일으키는 물질을 이용하여 메모리 반도체를 구성하는 것이며.F(Ferroelectric

  리포트 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2009.07.18 | 수정일 2018.11.24

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  유전체의 특징

  electrical & electronic materials(dielectric materials) D-유전체(dielectric materials)? dielectric materials : polarization phenomena? insulating materia..

  리포트 | 64페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.01.22

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  BaTiO3의 조성과 첨가제에 따른 물성 변화

  정방정 구조를 띠게 되면서 강유전성(ferroelectric)을 나타내게 된다.

  리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.04

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  AFM

  하지만 시료에 electrostatic force이나 potential, ferroelectric domain, magnetic domain이 있을 경우 시료에서 발생하는 전기장이나

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.06.17

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  금속의 결정구조(crystal structure)

  - Ba2+ : 1개, Ti4+ : 1개, O2- : 3개결 정 구 조(Crystal structure)5) 3성분 Perovskite 산화물 ⅰ) A1+B5+O3형 산화물 : ferroelectric

  리포트 | 49페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.04.16

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  [반도체공정] Photoresist 및 OF

  기타(ferroelectrics 등) 물질- 결론-- 서론 -현재 반도체 공정에서의 Photoresist를 이용한 여러 응용은 보다 나은 product을 위해 이제 없어서는 안 될

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.19

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  [공학기술]요즘 새로 나온 저장매체(2005년이후로)

  .- 기본적인 구조 및 동작원리FeRAM(Ferroelectric RAM)은 DRAM의 연장선에 존재하는 메모리 아키텍처에서, DRAM셀에 있어서 전하를 보유하고 있는 유전체 커패시터를

  리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.06.22

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  [반도체 제조공정] 반도체 제조공정

  이러한 문제를 극복하기 위하여 그림 4와 같이 강유전체와 실리콘 사이에 버퍼층(buffer layer)을 삽입한 MFISFET(metal ferroelectric insulator ... semiconductor FET)구조와 게이트 전극과 채널 사이에 부유게이트(floating gate)를 삽입한 MFMISFET(metal ferroelectric metal insulator ... metal oxide semiconductor field effect transistor)의 게이트 절연막인 실리콘 산화막 대신 강유전체 박막을 사용한 것이 MFSFET(metal ferroelectric

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.11

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  신소재 용어 전기적 기능 도전성

  분극하고, 대전한 물질에 접근하면 대전하는 능력* 유전체(dielectric)는 전기를 저장하는 역할을 하는 재료로서, 특정온도에서 급격한 유전율 증가를 나타내는 BaTiO3 강유전체(ferroelectrics

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.03.21

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  논리회로실험- 램(RAM) 예비보고서

  최근 들어 비휘발성 철전기(ferroelectric) RAM이 개발되어 왔다.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.30

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