"LPCVD" 검색결과 81-100 / 182건

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  진공 및 박막의 전제척인 개념 및 박막의 3가지 성장모델, CVD & PVD 비교 정리

  이 진공도에 따라서 저진공, 고진공, 초고진공으로 나눌 수 있다.저진공은 1atm~10^-3Torr 정도이고 음식건조, 네온사인, 플라즈마공정, LPCVD 같은 곳에 쓰인다.

  리포트 | 8페이지 | 6,500원 | 등록일 2013.04.22 | 수정일 2022.11.21

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  반도체 공정의 이해

  용매액을 사용해 액체를 젤로 다시 젤을 고체물질로 변화시켜 막을 형성 Sputtering( DC/RF/magnetron ) Evaporation( Thermal/E-beam ) LPCVD

  리포트 | 29페이지 | 3,500원 | 등록일 2011.11.18

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  [공학기술]반도체증착기술

  LPCVD: LPCVD 장비의 설비 구성APCVD의 수평 대기압 반응로는 융통성이 있고 잘 이해할 수 있지만 다음과 같은문제점이 있다1 Wafer가 Susceptor 위에 평행으로 ... *저압 화학 기상 증착 (LPCVD)은 다음과 같은 이점을 갖고 있다.1 Wafer 처리 용량이 증가한다. (100 ~ 200장 동시 공정 가능)2 사용되는 Gas량의 감소1) LPCVD ... LPCVD 장비 설비 구성의 Block-DiagramLPCVD System은새로운 고체면의 생성과 휘발성의 반응가스 생성된다.

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.07.19

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  Thermal Evaporation법을 이용한 박막의 제조 결과

  감압하의막 형성법으로 LPCVD라 불리는 방법이 있다.

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.03.08 | 수정일 2015.06.29

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  화학적 기상 증착법 (Chemical Vapor Deposition) 7~8분 분량의 핵심적인 내용만 담은 잘 정리된 PPT자료

  Using a Plasma - Low-Temperature - High deposition rate - Limited step coverage  Low Pressure CVD(LPCVD

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.11.17

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  CVD Chemical Vapor Deposition

  CVD)열활성화 CVD-Thermal Activated CVD 정상압 CVD (APCVD) HTCVD-고온도CVD LTCVD-저온도CVD MOCVD-유기금속CVD 저압 CVD (LPCVD ... 종류열활성화 CVD (Thermal Activated CVD) 정상압 CVD (Atmospheric PressureCVD – APCVD) 저압 CVD (Low PressureCVD – LPCVD

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.20

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  CMOS Inverter 동작원리 & 제작공정(Twin-well)

  이용 ⇒ 고성능 집적회로 제작을 위해 에피택셜 도핑레벨을 아주 낮게 형성자기정렬 Twin-Well CMOS 공정자기정렬 Twin-well 공정 순서① Si3N4를 저압화학기상증착(LPCVD ... 질소화물이 접속되는 것을 막는다자기정렬 Twin-Well CMOS 공정자기정렬 Twin-well 공정 순서⑭ Gate Oxide가 기판위에 성장(건식산화방식 사용)⑮ 산화 후, LPCVD

  리포트 | 20페이지 | 4,000원 | 등록일 2008.06.03

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  cvd

  Pressure CVD) APCVD (Atmospheric Pressure CVD) 여기 에너지에 따라 Thermal Energy : APCVD, LPCVD Plasma Energy ... 단점 - 기판에 대한 안정성 고려해야 함 - 부산물을 제거하기 위해 추가 장치필요 - 사용기체의 위험성: 유독석, 폭발성, 가연성, 부식성CVD 분류생성 압력에 따라 LPCVD (Low

  리포트 | 50페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.11

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  의용초음파 초음파 트랜스듀서의 종류

  다음과 같은 방법을 혼합하여 미시적 구조(microscopic structure)를 만드는 것이다. ① 모형제작 기술(리소그라피), ② PVD(물리적 증착), CVD(화학적 증착), LPCVD

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.27

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  박막증착 공정과 식각 공정 자료입니다.

  Low pressure CVD (LPCVD) of polysilicon and silicon nitride is widely used in silicon technologies.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.23

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  MOCVD의 구성 및 원리

  MOCVD반응기 내의 압력에 따른 분류 APCVD (Atmospheric Pressure CVD) : 1atm LPCVD (Low Pressure CVD) : mTorr ~ Torr

  리포트 | 30페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.24

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  반도체 공정 프로젝트

  method.1)substrate-Make p-type Si wafer by doping-Wafer cleaning-Buried SiO2 using mask & epitaxial SiO2-LPCVD-Si3N4

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.23

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  박막재료와 그 증착공정의 종류

  APCVD② LPCVD(low-pressure CVD)LPCVD 방식은 낮은 압력을 통해 반응 기체 분자들의 확산도가 크게 증가하여웨이퍼에 도달하는 반응기체의 질량이동이 박막 성장률에 ... CVD 반응 장치CVD는 반응기 내부의 압력 정도에 따라 상압 CVD (atmospheric CVD;APCVD)와 저압 CVD(low-pressure CVD; LPCVD)로 나뉘고,

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.09.22

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  의용 초음파 트랜스듀서의 종류

  다음과 같은 방법을 혼합하여 미시적 구조(microscopic structure)를 만드는 것이다. ① 모형제작 기술(리소그라피), ② PVD(물리적 증착), CVD(화학적 증착), LPCVD

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.10.19

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  박막 증착 방법의 종류

  기상 증착법(CVD)1.정의 열의 분해과정 및 기체 화합물의 상호작용에 의해 기판의 표면에 박막을 형성하는 증착법. 2.종류 저압 화학 기상 증착 (Low Pressure CVD, LPCVD ... 원리 가스의 혼합 성분인 (AX+H2)가 반응로에 주입되어 웨이퍼 기판 의 표면에서 가열에 의해 화학반응이 발생하고, 새로운 고체면과 휘발성의 가스 생성.화학 기상 증착법(CVD):LPCVD정확한 ... to control composition easy mechanism good adhesion safe process high dep. rate장점PECVD, Thermal CVD LPCVD

  리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.01.16

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  Epitaxial Growth

  성장방법2.1 CVD2.2 LPE2.3 MBE분류LPCVD (Low Pressure CVD) APCVD (Atmospheric Pressure CVD)수직형 Barrel 형 연속형수평형 ... 성장방법2.1 CVD2.2 LPE2.3 MBEPECVD저압에서 열에너지에 의한 반응 Gas를 열분해하고 고압에 의해 여기시켜 기판위에 박막을 증착시키는 방법정의특징LPCVD/APCVD

  리포트 | 30페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.20

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  ALD (Atomic layer Deposition) 원자층 증착

  요구되고 생산성이 떨어지며 장비 자체의 가격이 비싼 단점을 갖고 있어 소자의 양산에 사용되는 데는 어려운 점이 있다.CVD(Chemical Vapor Deposition) 방법은 LPCVD

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.07.05

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  진공(vacuum) 진공펌프(vacuum pump) 진공게이지(vacuum gauge) 조사

  RF, DV MAGNETRON, OF MAGNETRONBIAS, REACTIVEION PLATING화학적 박막 형성(by CVD>분무법(SPRAY)화학증착법(CVD)APCVD, LPCVD

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.03.26

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  실리콘 나노와이어의 합성

  있다.Atomic Layer Deposition technique을 사용한 방법ALD기법은 나노파티클을 seed로 사용하여 낮은 압력의 Chemical Vapor Deposition(LPCVD

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.21

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  박막 증착의 방법

  : LPCVD) 낮은 압력 (typically ≤ 1 Torr), 300℃~900℃에서 동작 확산이 빠름, Surface reaction controlled에 의한 증착 증착 속도가 ... 간단한 Reactor, 진공이 쉬움, 증착속도가 빠름 Step coverage 나쁨.3.화학 기상 증착(CVD)LPCVD (Low Pressure chemical vapor deposition

  리포트 | 19페이지 | 2,500원 | 등록일 2006.11.09

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