"LPCVD" 검색결과 101-120 / 182건

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  오일 확산 펌프 ( oil diffusion pump )

  청정공간의 형성각각의 이용의 예는,저진공의 경우, Food processing, 증류, 박막증착(sputtering, LPCVD), 네온사인고진공의 경우, 진공관의 제작, CRT,

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.05.06

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  반도체 제조 공정

  APCVD는 공정 온도 영역에 의해 다시 저온 CVD(LTCVD; T500 ℃) 등으로 나뉘어 지며, LPCVD는 고온 벽 CVD와 저온 벽 CVD로 구분되어 진다.그림은 상업적으로 ... vertical reactor)로 나뉘어지며, 반응기 내부의 압력 정도에 따라 상압 CVD (atmospheric CVD; APCVD)와 저압 CVD(low-pressure CVD; LPCVD

  리포트 | 15페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.05.01

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  화학적 기상 증착법 (Chemical Vapor Deposition,CVD) (친절한 설명과 핵심적인 내용을 논문 형식으로 작성)

  CVD 반응기 내의 공정압력이 대기압인 APCVD의 경우에는 기체상의 반응물의 농도가 높기 때문에 박막의 성장속도가 충분히 커야하는 경우에 활용되며, LPCVD는 박막의 성장속도를 ... 나 BPSG(boro-phosphosilicate glass)등이 APCVD법에 의해 증착되며, 반도체 박막의 경우는 IC 내 트랜지스터의 게이트 층으로 사용되는 다결정 실리콘이 LPCVD

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.17

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  Thin film Deposition(박막 제조)

  Deposition-CD(3)- Classified by operating pressure Atmospheric pressure CVD (APCVD), Low-pressure CVD (LPCVD

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.03

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  mos (Metal-Oxide-Semiconductor)작동원리 이해

  .- 에너지에 따라 : thermal CVD, plasma enhanced CVD, photo CVD,laser CVD- 압력에 따라 : APCVD, LPCVD, UHVCVD장점:

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.07.07

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  [공학기술]박막증착 기술보고서<스퍼터링&CVD>

  CVDCVD(화학기상증착)는 기체 상태의 화합물을 가열된 모재표면에서 화학적 반응을 통하여 생성물을 모재표면에 증착 시키는 방법으로 APCVD, LPCVD, UHVCVD, RTCVD

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.14

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  [재료공학]LTPS TFT-LCD 원리 및 종류 공정 응용

  LTPS 의 제조법저온에서 다결정 실리콘박막을 제작하는 제조공정은 다음과 같이 주로 네가지 방법에 의해서 만들어진다.(1) 초저압 화학기상 증착법 (VLPCVD, LPCVD)(2) ... 비정질의 경우 ELA후 (111) 방향으로 우세하게 나타나고 LPCVD small grain poly-Si의 경우는 (111)외에 다른 방향에서도 피크가 나타남을 알 수 있다. ... 다결정 실리콘 박막의 구조는 기판의 종류, 온도, 펄스의 duration 시간, 펄스의 에너지 밀도 등과 밀접한 관계를 가진다.그림 2-2는 LPCVD로 증착한 비정질 실리콘 낮은

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.06.06

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  MOS소자

  압력에 따라 : APCVD, LPCVD, UHV다.음극과 양극 사이에 plasma가 형성되고 Ar+가 음극의 target 에충돌하여 target의 원자를 나오게 한다.

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.07.04 | 수정일 2016.04.25

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  반도체 용어 정리

  LPCVDLow Pressure Chemical Vapor Deposition ☞ 저압 화학 증착법LPCVD 공정은 저압 분위기 상에서 SiH4/N2O 등의 가스를 혼합하여 산화막을 ... 반응실의 압력에 따라 LPCVD(저압화학기상증착), APCVD(상압화학기상증착), HPCVD(고압화학기상증착)으로 나뉘며, PECVD등도 있다.* MOCVD로 증착시킨 Ⅲ-Ⅴ족 GaN의

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.23

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  반도체공정 (Deposition & Evaluation)

  증착하는 것반응기체의 화학적 반응에 의해 기판에 증착하는 방법단결정 실리콘 웨이퍼표면에 고 순도 결정체를 형성종류Sputter, EvaporatorPECVD, Thermal CVD,LPCVD ... step coverage,particle contamination, and low throughput.Low-temperatureoxides (both dopedand undoped).LPCVD

  리포트 | 39페이지 | 4,500원 | 등록일 2007.01.27

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  [박막] PECVD에 대하여

  LPCVD 5. PECVD 6. ... - COLD WALL CVD : 냉각 장치 필요 (2) 반응기 내부의 압력에 의한 분류 - APCVD (Atmospheric Pressure CVD) : 대기압 (1 atm) - LPCVD ... 달리 RF Generator, Matching Box 등이 필요Plasma Enhanced Chemical Vapor DepositionAPCVD / LPCVD / PECVDChemical

  리포트 | 18페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.11.02

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  반도체 공정의 이해

  CMP이온주입ETCHPHOTODIFFCVD1.산화 공정2.ANNEAL 공정일정한 열을 가하여 장비내부 로 유입된 H2O와 Wafer의 Si을 결합시켜 SiO2막을 형성시키는 공정3.LPCVD

  리포트 | 27페이지 | 3,500원 | 등록일 2010.02.25

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  반도체 제조 공정

  대개 고온에서 이루어지며 사용되는 가스도 다양합니다 CVD 종류는 보통 사용 압력에 따라 APCVD ,LPCVD 로 나누어 지고 에너지 공급에 따라 THERMAL CVD ,PLASMA

  리포트 | 36페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.09

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  Thin film Deposition(박막 제조) - 대본

  두께를 유지하기 위하여 공정 중 제품을 회전시켜야 함:종류- 압력에 따른 분류Atmospheric pressure CVD (APCVD) - 대기압Low-pressure CVD (LPCVD

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.03 | 수정일 2017.02.17

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  [반도체공학]박막증착

  표면미세가공의 기본공정도(가속도 센서의 예)(a)산화막 1μm 형성, 질화막을 LPCVD를 통해 300Å정도증착(b)산화막과 질화막을 식각, 전극형성용 다결정실리콘을 0.3μm 정도 ... 증착 전극을 패턴닝(c)희생층용 PSG를 PSG를 1.5μm 정도 증착한 후 상부 다결정실리콘이 하부전극용 다결정실리콘과 접촉하기 위해 PSG를 패턴닝(d)미세구조물 다결정실리콘을 LPCVD를 ... 견딜 수 있어야 한다.ㆍ기계적 강도가 높아 마찰이나 먼지의 장벽으로 적당하다.ㆍ반도체 센서에 사용되는 것은 무결정질이다.ㆍ열과 플라즈마 CVD에 의해 증착 또는 스퍼터될 수 있고, LPCVD를

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.23

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  반도체공정 (Si)

  같은 Metal 또는 Metal silicide를 polycrystalline silicon 위에 증착하여 전도도를 증가시켜 사용하기도 한다.(1) Poly Silicon의 형성- LPCVD ... (Low Pressure Chemical Vapor Deposition)을 사용한다.Figure 3.1 Hot wall LPCVD system using a three-zone furnace

  리포트 | 14페이지 | 4,000원 | 등록일 2007.01.27

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  Poly-Si 결정화 방법

  LPCVD와 PECVD의 대표적인 a-Si증착 방법이 있따.

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.02

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  [재료공학실험] CVD와 PVD

  즉 LPCVD System의 표면 반응에 온도와 Vacuum의 질량 전달은 비례적이라 할 수 있다.3. ... LPCVD System에서의 증착 변수는 질량 전달에 직접적인 관계가 있는 온도와 Vacuum의 정도이다. ... LPCVD 장비 설비 구성의 Block-DiagramLPCVD System은 기체 흐름 장치와 기체 배기 장치는 APCVD와 비슷하다.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.17

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  디스플레이 물성및재료 반도체 제조공정 디스플레이 제조공정1

  Out Tube : 반응로 내부의 진공을 유지, 외부와의 격리시키기 위한 석영관1) LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) - 열적 에너지

  리포트 | 26페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.20

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  PVD와 CVD

  단점 Poor step coverage Particle 낮은 효율(gas의 소비량이 많음) 적용 Low temp oxide (BPSG) -760torr, 400~500 ℃에서 동작LPCVD

  리포트 | 22페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.10.27

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