"ion beam" 검색결과 81-100 / 462건

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  이온주입공정

  이온주입 공정에서 사용되는 일반적 에너지는 30Kev~800Kev이다.3)원하는 량( DOSE ) : 1㎠ 면적의 크기에 넣어주는 이온의 량으로 단위는 ION의 수/㎠이다.4)BEAM ... 회로 밀집도가 복잡해지고 커짐에 따라 Wafer에 불순물 주입에 있어서 높은 정확도가 요구됨에 따라 최초 영국에서 핵 연구로부터 시작하여 불순물을 이온화시켜 Ion Beam을 가속하여 ... 첨가하는 Ge, P, B 등의 원소도 도판트라고 한다.2)원하는 깊이( ENERGY ) : 동일한 이온도 어느 깊이에 넣어주느냐에 따라 특성이 달라지는데 이를 조절하기 위해선 이온빔(BEAM

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.05.21

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  이온빔 보조 증착법을 이용한 STS 316L 박막 합성에 관한 연구

  한국재료학회 이준희, 송요승, 이건환, 이구현, 이득용, 윤종구

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  [발광디스플레이실험] Photolithography

  특히 dry etching의 경우 ion 가속만을 이용하는 IBE(ion beam etching)나 sputtering과 같이 magnetron을 이용하는 sputtering etching이 ... 비선택적 etching이며, ion 가속에 반응성 gas(reactive gas)를 사용하는 RIE(reactive ion etching)는 선택적 etching이다. ... resistive(저항층), dielectric(유전층), barrier 등으로 나뉜다.2) Evaporation : evaporation의 방법으로는 thermal evaporation과 e-beam

  리포트 | 8페이지 | 10,000원 | 등록일 2013.06.14

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  Atom Probe Tomography: A Characterization Method for Three-dimensional Elemental Mapping at the Atomic Scale

  한국분말야금학회 Pyuck-Pa Choi, Ivan Povstugar

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05

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  진공 증착기를 이용한 Ohmic Contact 형성용 Metal 박막 증착 결보

  sputtering), 이온도금 (ion plating)의 3가지로 분류한다. ... 방법으로는 저항가열, 유도가열, 전자빔, 마그네트론, 반응성 증발, 아크방전등 여러 가지가 있으며, 일반적으로 증기상 증발 (vapor evaporation), 이온 스퍼터링 (ion ... 반응성 이온프로이팅 가운데서도 각종의 원리가 있고 HCD(Hollow Cathode Discharge)법, EB(Electron Beam)법 등을 들 수 있다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.05.09

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  표면 분석(AES/SAM)

  현재 이 MEIS 장비의 UHV-ion beam assisted deposition 박막 성장 장비를 연결하여 epi-초박막의 성장 과정, 초박막과 기판의 계면 구조, 저에너지 이온과

  리포트 | 37페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.09.22

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  재공실 - sputtering 결과보고서

  이온원을 열음극형 카우프만 이온원을 사용하는 이온빔 스퍼터(ion beam sputter), 전자 사이클로트론 공명(electron cyclotron resonance)형 이온형을 ... 분자와 탄성 혹은 비탄성 충돌을 하여 타겟표면의 원자나 분자는 증발하는 스퍼터 증발(sputtering evaporation) 혹은 조사된 이온이 물질 속으로 흡입되는 이온 주입(ion

  리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.10.29

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  BMW GROUP 현황과 미래 - 기술력과 디자인의 조화 [BMW GROUP Present and Future-Harmonization of technical design]

  View Lateral parking aid Night Vision Parking assistant Active Park Distance Control BMW Selective Beam ... and TechnologyC O R P O R A TE CULTURE C O M PET I T IVE ADVANTAGE S TR A T E G IC APP R O A C H VI S ION이동

  리포트 | 56페이지 | 5,000원 | 등록일 2016.09.05

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  Microstructure and Characterization of Ni-C Films Fabricated by Dual-Source Deposition System

  한국재료학회 Chang-Suk Han, Sang-Wook Kim

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.08.09 | 수정일 2023.04.05

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  화훼류의 방사선 돌연변이 육종 현황

  한국화훼학회 박인숙, 송희섭

  논문 | 17페이지 | 5,100원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  결과보고서 2. RF-Magnetron Sputter를 이용한 박막 증착 원리 이해

  이온원을 열음극형 카우프만 이온원을 사용하는 이온빔 스퍼터(ion beam sputter), 전자 사이클로트론 공명(electron cyclotron resonance)형 이온형을 ... .- 반응이 일어나기 위해서는 main chamber가 진공상태에 있어야 한다.b) Electon gun- electron beam을 쏘아 crucible의 증착시편을 녹여 기화시키는 ... 분자와 탄성 혹은 비탄성 충돌을 하여 타겟표면의 원자나 분자는 증발하는 스퍼터 증발(sputtering evaporation) 혹은 조사된 이온이 물질 속으로 흡입되는 이온 주입(ion

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.07.21

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  13E-Beam_Evaporation

  Evaporation의 응용2가지 이상의 물질을 동시에 증착하는 방법Ion Beam Assited EBE 이온빔으로 강제 주입시키는 증착법{nameOfApplication=Show ... 5E-Beam Vs Thermal6E-Beam Evaporation 응용E-Beam Evaporation 개요정 의전자총(E-Beam)을 이용해 타켓을 가열하는 진공증착법EvaporationE-Beam ... E-Beam EvaporationContentsE-Beam Evaporation 개요12Evaporation 이란?3Electron Beam이란?

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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  표면분석장비(SEM,TEM,XPS,AES,RBS,EPMA,SIMS)의 원리와 분석방법, 특징

  : Electrons / Analysis beam : Electrons★ Electron energy analyzer: CMA(Cylindrical Mirror Analyzer), ... 채움 두 전자각의 binding energy 차이가 X-선으로 방출되거나 (④’) 상부 전자각의 다른 전자를 방출함(④) - -> 상부전자각에서 방출되는 전자를 검출★ Probe beam ... 에너지를 보유한 채 표면 밖으로 나오게 된다.★ Auger electron의 구조 및 생성원리:- AES/SAM은 다음으로 나눌 수 있다 :Electron gun – primary beam으로

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.06.28

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  저 에너지 표면 개질 이온원이 설치된 진공 웹 공정을 이용한 2층 flexible copper clad laminate 제작

  한국재료학회 최형욱, 박동희, 최원국

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  다양한 리소그래피법을 이용한 나노구조 형성

  beam lithography - 전반적으로 E-beam lithography 시스템과 비슷하고 source 에 차이가있음 . ... Field Emission Devices(DNT- FEDs) 이용하여 전자빔 발생시키는 연구가 진행중 전자빔 리소그래피 시스템 모식도 Hynix 발표자료 , 2003. 10.6 Ion ... -E-beam 에 비해 beam 의 scattering 이 작아 높은 resolution 을 지님 - 고속의 deflection 시스템이 필요하고 높은 휘도의 source 가 필요하다는

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.06.17

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  반도체 공정 ppt

  설계 :CAD(Com-puter Aided Design)시스템을 사용하여 전자회로와 실제웨이퍼 위에 그려질 회로패턴을 설계함.5.MASK(RETICLE)제작 :설계된 회로패턴을 E-beam서리로 ... 이온주입(ION IMPLAN-TATION)공정 :회로패턴과 연결된 부분에불순물을 미세한 GAS입자 형태로 가속하여 웨이퍼의내부에 침투시킴으로써 전자소자의 특성을 만들어줌.이러한 불순물주입은

  리포트 | 35페이지 | 2,500원 | 등록일 2015.08.01 | 수정일 2016.07.20

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  Production and Properties of Amorphous TiCuNi Powders by Mechanical Alloying and Spark Plasma Sintering

  한국분말야금학회 J. C. Kim, E. H. Kang, Y. S. Kwon, J. S. Kim, Si-Young Chang

  논문 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05

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  콜라중 인산의 정량

  각각의 양을 결정하는 것이 목적이다.몰리브덴청법은 가장 감도가 높아서 총인산은 물론 소량의 인산을 함유하는 콜라용액 중의 인산을 분석하는 데 까지 쓰인다. orthophosphate ion ... )기기 혹은 겹빛살(double beam)기기로 분류하며 기술이 발달함에 따라 생겨난 다중채널기기가 있다.홑빛살기기는 기가장치가 간단하고 싸고 견고하지만 시간에 따른 빛살세기 변화로 ... 전자전이를 일으켜 흡수 스펙트럼을 나타낸다.광원->단색화장치->시료용기->검출기->계측기를 거치는 동안 빛살이 한 방향 또는 두 방향으로 나누어지는가에 따라 홑빛살(single beam

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.05.15 | 수정일 2014.10.21

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  EUVL (Extreme Ultraviolet Lithography) for semiconductor processing

  but ion beam, lower energy6International Technology Roadmap for SemiconductorsPresent: 45nm node(193nm ... technology using an EUV wavelength, currently expected to be 13.4 nm.DUVL(Deep Ultraviolet Lithography)IPL(Ion ... structureXRL: no reduction, 1:1 projection, no performance decline, wavelength ~1nmIPL: not electron beam

  리포트 | 20페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.06.26

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  E-Beam Evaporator를 이용한 박막 증착 원리 이해(결과보고서)

  이온원을 열음극형 카우프만 이온원을 사용하는 이온빔 스퍼터(ion beam sputter), 전자 사이클로트론 공명(electron cyclotron resonance)형 이온형을 ... 분자와 탄성 혹은 비탄성 충돌을 하여 타겟표면의 원자나 분자는 증발하는 스퍼터 증발(sputtering evaporation) 혹은 조사된 이온이 물질 속으로 흡입되는 이온 주입(ion ... ReportE-Beam Evaporator를 이용한 박막 증착 원리 이해Beam evaporator의 각 부분의 명칭과 기능E-beam evaporator 장비는 크게 6개의 파트로

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.05.20

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