"pspice mos" 검색결과 81-100 / 190건

• 

  2stage CMOS Amp Design 2단증폭기 설계 및 피스파이스 시뮬레이션

  아래 조건을 만족하도록 MOS의 사이즈 및 저항의 크기를 구하시오.우선 power가 2mW보다 작아야 하므로 Rs로 흐르는 전류 0.08mA, M3,M4,M6로 흐르는 전류를 모두 ... PSPICE 시뮬레이션에서 아래 소자를 사용하여 위 회로를 설계하시오.바이어스 전류를 보면 M8로 0.08mA가 흐르고 M2에 0.083mA, M6에 0.087mA가 흘로 초기 가정을

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.09.14

  다운로드 장바구니
• 

  전자회로실험 결과5 MOS공통소오스 증폭기

  통해서 측정한 전압 이득 사이의 차이가 발생하는 원인을 설명하시오.첫 번째, PSpice에서 사용한 MOS의 소자 값과 실험을 진행한 MOS의 소자 값이 다르기 때문이다. ... 그래서 안정도는 높여주고, 교류적인 증폭도를 높여주기 위해 이미터 저항과 병렬로 콘덴서를 붙여 증폭도를 높여준다.(2) 예비 보고사항에서 PSpice를 이용하여 구한 전압 이득과 실험을 ... 그러나 MOS의 회로에서 커패시터는 기본적인 동작 외에 직류전류를 차단하고 교류전류를 통과시키는 목적도 가지고 있다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.08.15

  다운로드 장바구니
• 

  9조 pre 7주 Mosfet Basic

  drain 이 N형 반도체 이고 표면이 P형 반도체일 경우 이 MOS 트랜지스터는N 채널 MOSFET 또는 NMOS라 불린다MOS 트랜지스터는 디지털 회로에 광범위하게 쓰이는데 스위칭 ... 그래서 이 값을 다시 에 대입하면부합하는 수치 βN는 0.012A가 나오는 것을 알 수 있다.예비 실험 높은 오차의 원인pspice의 결함으로 이번 실험에 쓰이는 소자(2n7000) ... 흐름을 방해하게 된다.Simulation result & Analysis[1-1] 다음과 같은 N-Channel MOSFET 회로에서 VDS (0~10V)에 대한 IDS 그래프를PSPICE를

  리포트 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.03.06

  다운로드 장바구니
• 

  JFET 특성 예비보고서

  컴퓨터 실습PSpice 모의실험 12-1PSpice 모의실험 12-2회로를 교재에 나온 대로 구성하고 시뮬레이션을 돌려 보았는데 전압값이 변할 때 마다 출력 되는것에 대한 경고창은 ... 이후 1970년대 부터 본격적인 산업화가 이루어 지면서 대량 생산이 시작 되었다.(2) FET 종류 및 기호FET 는 크게 JFET(접합형 FET)와 MOSFET(MOS형 FET)로

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.06.19

  다운로드 장바구니
• 

  전자회로_CMOS Cascode Amp.설계

  III. 전자회로2설계Project II. CMOS Cascode Amp.설계1. 설계 목표아래에 제시된 CMOS 소자를 이용하여 어떻게 해야 저주파에서 전압이득을 극대화 할 수 있는지를 설계 목표로 설정 하였다.2. 최종 설계 회로↑ CMOS Cascode Amp 최..

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.07.07

  다운로드 장바구니
• 

  CMOS CS Amp

  사용가능한 주파수의 대역이 많을 것인가 아니면 전압 이득을 많이 취할 것인가 생각해 봐야 하는 데, 이번 설계에서는 그 둘의 적절한 값인,인 MOS를 선택해서 CS AMP를 구성하기로 ... CS AMP의 주파수 응답∴개방 회로 시정수 방식을 이용하면따라서∴fHMidBand Gain(dB)PSPICE Simulation6.516MHz33.19계산값7.816MHz32.63CS ... 설 계 수 정∴∴∴로 대입을 하면∴의 관계에 있으므로 위의 식에 대입하면∴∴∴대신호 전압 이득VIA(V)VOA(V)VIB(V)VOB(V)PSPICE Simulation1.232.671.330.959계산값1.322.671.460.755설계

  리포트 | 10페이지 | 5,000원 | 등록일 2009.11.30

  다운로드 장바구니
• 

  2-Stage CMOS OP-Amp Design(홍익대, Hspice이용, 조건 만족시키기)

  요구되는 1000이상의 voltage gain을 얻고자 한다.2‘nd stage = common source amplifier그리고 current mirroring의 방법을 이용하여 MOS가 ... CL값, min. channel length 값을 반드시 준수하고, 아래 Spec을 가능한 한 많이 달성할 것.SPICE model parameter: BSIM3 Level 49 (PSPICE ... ) } / {4.1E-9 (m) } = 8.57 x10-15 F/(μm)2FinSPICE BSIM3 VERSION 3.1 PARAMETERS* HSPICE Level 49 --> PSPICE

  리포트 | 21페이지 | 3,000원 | 등록일 2017.03.08 | 수정일 2020.09.27

  다운로드 장바구니
• 

  MOSFET Circuit 사전보고서

  Saturation 되었을 때의 전압-전류 특성을 알아본다.2) Essential Backgrounds for this LabMOSFET이란 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOS ... " www.onsemi.com에서 2N7000 트랜지스터의 Pspice model Library를 다운받았으나, 추가가 되지 않았다. ... N-Channel MOSFET[1-1] 다음과 같은 N-Channel MOSFET 회로에서 VDS (0~10V)에 대한 IDS 그래프를 PSPICE를 통해 구하시오.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.03.23

  다운로드 장바구니
• 

  아주대학교 전자회로실험 CMOS 증폭단 설계 결과

  MOSFET은 크게 n-MOS와 p-MOS가 있고 표기법은 아래의 그림과 같다.MOSFET의 단자는 위의 과 같이 Source, Gate, Drain으로 구성되어 있다. p-type ... 3,4,5번의 핀을 사용하였을 때는V _{TH}가 0.5V이고 6,7,8번의 핀을 사용하였을 때는V _{TH}가 1.5V가 나옴을 알 수가 있었다.각각의 그래프를 예비보고서에 기재했던 PSPICE ... 따라서 Metal-Oxide-sI의 앞글자를 따서 MOS라고 칭한다.Gate 전압이 인가되면, 아래의 과 같이 Gate의 SiO2아래에 전하가 유도가 된다.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.06.15

  다운로드 장바구니
• 

  디지털실험 - 실험 8. CMOS – TTL interface 예비

  (PSpice에 4001소자가 없어 2입력 NOR 게이트 7402로 대체함.)V _{NH} `=`V _{OH} -V _{IH} = 1-1 = 0V _{NL} `=`V _{IL} -V ... gate-source 전압이 (+)일 때 전도된다.② p-channel MOS는 gate-source 전압이 (-)일 때 전도된다.③ nMOS는 gate-source 전압이 0V, ... 사이이고, low level은 0V, high level은V _{DD}이다.CMOS inverter의 동작원리를 이해하기 위하여 MOSFET의 특성을 정리해 보면,① n-channel MOS는

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.04.02

  다운로드 장바구니
• 

  예비1. CMOS OP AMP 설계

  CD4007 MOS Array Pin 구성도, Datesheet2. Capacitors : 0.1uF(1개)(code 104), 10pF(1개)(code 10)3. ... 실제 실험에서는 pspice 시뮬레이션상의 제약이 없으므로 제대로 된 출력 값을 얻을 수 있을 것이다. ... 예전에 독학으로 Pspice 공부하던 중 C거해 줌으로써 overshoot현상이 제거되는 결과를 정확하게 확인해 볼 수 있었다.

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.29

  다운로드 장바구니
• 

  9조 post 8주 p-mos(CMOS Inverter)

  4.64VSource Voltage : 1.28VCurrent (ID, IS) : 0.2395 = 0.24mATransistor에 흐르는 전류 측정[2-2] 사전 보고서의 계산 값, PSPICE ... 이는 p-MOS가 ON, n-MOS가 OFF되었기 때문에 Vout은 VDD 값이 나온 것이다. 2V이상은 p-MOS가 OFF, n-MOS가 ON되었기 때문에 Vout 은 GND값이 ... C-MOS Inverter실험에서는 VGS와 Vt의 높고 낮은 관계를 이용해서, P-MOS, N-MOS를 각각 ON&OFF 시켰다.

  리포트 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2014.03.06

  다운로드 장바구니
• 

  차동증폭기 예비

  [그림 1] 능동 부하가 있는 MOS 차동 쌍 위 그림은 능동 부하가 있는 MOS 차동 이다. ... 하지만 언제나 실습과 PSpice 측정값은 달랐기 때문에 모든 측정값들은 실습을 통해 실질적인 환경에서 어떠한 값을 나타내는미디어 ... 단, 능동 부하가 있는 MOS 차동 쌍의 출력저항은 r_o2 ||r_o4이며, 이 때의 차동 이득은 다음과 같다.

  리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2014.06.10 | 수정일 2022.11.04

  다운로드 장바구니
• 

  전자회로실험 결과8 차동 증폭기 기초 실험-2

  하지만 실제로는 이론과 같이 두 MOSFET이 같을 수 없기 때문에 이 차이로 인해서 오차가 발생하였다.두 번째, PSpice에서 사용한 MOS의 소자 값과 실험을 진행한 MOS의 ... 또한 MOS에도 내부 저항이 있고 디지털 멀티미터의 측정 단자에도 저항이 있기 때문에 이 저항에 의해서 오차가 생겼을 것이다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.08.15

  다운로드 장바구니
• 

  [아주대 전자회로실험] 설계2결과.CMOS OP AMP 설계

  회로도에서는 MOS가 8개가 필요하다 하지만 CD4007소자는 3개로 충분하였다. ... 그래서 3번 실험부터는 실험시간에 만들어 보지 못했다. 3번 부터는 조교님께서 말씀하신대로 Pspice모델로 결과를 설명하기로 한다.?

  리포트 | 14페이지 | 4,000원 | 등록일 2011.09.10

  다운로드 장바구니
• 

  서강대학교 전자회로1 설계과제 2 - MOSFET을 이용한 differential amplifier 설계

  .- MOS와 저항의 오차에도 불구하고 위의 규격이 구현되도록 설계 (±10%의 오차를 가정)(7) 실행가능성- 구현 가능한 MOS와 R을 사용MOS의 경우 W< 1000 um 이하저항은 ... 시험 및 평가 - 설계 과정3- Pspice를 이용하여 설계 조건에 명시된 spec를 만족시키는지 시험.- 설계의 구성 및 제한 요소를 고려하여 목표와 기준에 맞도록 회로가 구현되고 ... R을 사용MOS의 경우 W< 1000 um 이하저항은 100 kohm 이하W는 18.4863um이고, 사용한 저항의 최댓값은 63.53kΩ이다.

  리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.11.29

  다운로드 장바구니
• 

  차동증폭기 결과

  PSpice를 통해 구한 값과의 오차는 다음과 같다. ... 실험에 사용된 이론 [그림 1] 능동 부하가 있는 MOS 차동 쌍 위 그림은 능동 부하가 있는 MOS 차동 ㅆㆍㅇ이다. ... 단, 능동 부하가 있는 MOS 차동 쌍의 출력저항은 r_o2 ||r_o4이며, 이 때의 차동 이득은 다음과 같다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.06.10 | 수정일 2022.11.04

  다운로드 장바구니
• 

  실험02 MOSFET Digital Logic Gate(예비)

  물론, 이외에도 고집적도를 얻기 위하여 메모리나 마이컴 관련 IC에 사용되는 N채널 MOS를 시초로 한 초고속 응답용과 컴퓨터나 카운터에 사용되고 있는 ECL(Emitter Coupled ... 예비보고 3에서 설계한 CMOS NOR회로를 구성하고 동작을 확인하라.5 PSpice 시뮬레이션V _{A}V _{B}V _{out}LLHLHHHLHHHL[V _{A}=0V ,V _{ ... 시뮬레이션을 잘못한 것인지 아니면 PSPICE의 소자의 어떠한 특성 때문에 이러한 값이 나온 것 인지는 친구들과 토의를 해본 후 조교님이나 교수님께 질문을 통해 확인 해 보아야 겠다.V

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.12.11

  다운로드 장바구니
• 

  MOSFET Circuit 사전보고서

  PSPICE로 증폭기 회로를 구현하시오. (Textbook Example 4.14 참조 바람)- Pre-Lab 실험Ⅱ. ... Common-Source 증폭기 회로를 구현해보고 분석해본다.2) Essential Backgrounds for this LabMOSFET이란 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOS ... (트랜지스터의 Drain 단자 전압 값을 측정하면 트랜지스터에 흐르는 전류를 용이하게 측정할 수 있음)[1-2] MOS 트랜지스터가 Saturation 동작 영역에 있음을 검증하시오.실험Ⅱ

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.03.23

  다운로드 장바구니
• 

  MOSFET Circuit 결과보고서

  Saturation 되었을 때의 전압-전류 특성을 알아본다.2) Essential Backgrounds for this LabMOSFET이란 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOS ... " www.onsemi.com에서 2N7000 트랜지스터의 Pspice model Library를 다운받았으나, 추가가 되지 않았다. ... N-Channel MOSFET[1-1] 다음과 같은 N-Channel MOSFET 회로에서 VDS (0~10V)에 대한 IDS 그래프를 PSPICE를 통해 구하시오.

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.03.09

  다운로드 장바구니