"pspice mos" 검색결과 101-120 / 190건

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  9조 pre 9주 commom source mosfet

  PSPICE로 증폭기 회로를 구현하시오. ... 제 9주차 Pre Report실험제목: MOS FET Amplifier Circuit담당교수: 박병은 교수님담당조교: 박인준 조교님실험일: 2013.05.09제출일: 2013.05.08소속 ... IDS = 2.346mA가 나왔다.전류는 2.3mA~2.6mA사이에 있으며, VGS는 2.0V > Vt이므로 Saturation함을 알 수 있다.[2-2] PSPICE에서 동작 온도를

  리포트 | 8페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.03.06

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  CMOS 기반의 1 to 4 MUX Pspice(피스파이스) Simulation

  【 목 적 】 - Pspice를 통하여 CMOS MUX의 시뮬레이션을 통하여 동작 및 특성을 고찰한다.【 수 행 계 획 】 - MbreakN/P MOS 소자를 주어진 Schematic을

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.03.29

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  전자회로실험 24장] 전류원 및 전류 미러 회로

  다음 값을 측정하라.c.을 3.6KΩ으로 바꾸고, 순서 4(a), 4(b)를 반복하라.5] 컴퓨터 실습[PSpice 모의 실험 24-1]아래에 보인 전류미러는 그림 24-3과 같다. ... 설계상바꿔줄 수 있는 것은 W/L과 Vgs 이다.따라서 그림에 보인 전류미러를 구성하는 MOS의 사이즈가 동일하다고 가정하면 게이트-소스간의전압이 같아지기 때문에 오른쪽 mos에서 ... 왼쪽 mos와 같은 전류가 흐르게 된다.mos를 20개를 같은 방식으로 연결해 간다면 같은 전류를 흐르는 전류원을 20개를 만들 수 있다.또한, 사이즈 조절해서 전류값도 조절 가능하다

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.01.10 | 수정일 2014.02.01

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  9조 post 10주 CS with source resistance

  측정할 수 있음)RG1을 4M으로 실험을 했을 때 왼쪽 사진과 같이 2.4451mA가 나온 것을 확인 할 수 있었다.이는 실험 조건인 2.3mA~2.6mA를 만족한다.[1-2] MOS ... Pspice를 통해서 Simulation을 할 때도 전류 값이 올라갔었다.Rs =0일 때와 Rs = 500ohm 일 때의 차이점이 있다면, Rs = 500ohm일 때 전류의 상승이 ... 동시에 VGS는 1.3473V가 출력 되었다..[2-3] PSPICE에서 동작 온도를 80oC로 정한 후 [2-1] 및 [2-2]의 경우에 대하여 다시Simulation을 수행하시오.실험을

  리포트 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2014.03.06

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  전자회로2_설계 1_권익진_2012년 1학기

  전압을 임의의 적당한 크기로 정하여 모든 MOS의 W/L을 설계하시오. ... (pspice schematic을 DC bias 시뮬레이션을 하면 표시되는 전압과 전류를 schematic과 함께 나타내고 설명하시오.)saturation 영역 확인①(NMOS)②( ... 조건에 달린 PMOS 아래에 있는NMOS는로 흐르는 전류원으로 생각한다.가 saturation 영역이므로라고 생각하면그러므로←saturation 조건()2)이 gate로 연결된 MOS의를

  리포트 | 9페이지 | 4,000원 | 등록일 2012.09.09

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  서강대학교 전자회로실험 3주차 결과보고서 - PSpice 사용법 및 시뮬레이션 실습

  출력 신호의 tTLH, tTHL, tpHL, tpLH를 측정한다.5) 설계 프로젝트 inverter 설계MbreakP 소자와 MbreakN 소자를 이용하여 cmos inverter를 ... 제목PSpice 사용법 및 시뮬레이션 실습2. 도입1) DC sweepVoltage source의 전압을 ? ... 따라서 교영역에서의 ID는 다음과 같은 equation을 만족한다.즉, ID는 W/L에 비례한다. pspice MOSFET manual에 의하면 W와 L이 100μm가 기본 값으로

  리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.11.30

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  전자회로실험 결과6 MOS 공통소스 소스팔뤄

  오차의 원인과 해결 방안전압 이득 사이의 차이가 발생하는 원인을 설명하시오.첫 번째, PSpice에서 사용한 MOS의 소자 값과 실험을 진행한 MOS의 소자 값이 다르기 때문이다. ... 이 MOS 회로는 saturation 영역에서 동작하였다.(7)v _{sig} 값을 0V,V _{GG} 전압을 0V~12V까지 2V 간격으로 변화시키면서v _{o}의 DC 전압을 측정하여 ... 또한 MOS에도 내부 저항이 있고 디지털 멀티미터의 측정 단자에도 저항이 있기 때문에 이 저항에 의해서 오차가 생겼을 것이다.네 번째, 전압이나 전류, 저항 등을 측정하는 오실로스코프와

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.08.15

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  CMOS 기반의 NAND NOR NOT Gate PSPICE(피스파이스) Silmulation

  【 목 적 】 - Pspice를 통하여 CMOS Inverter, NAND, NOR의 시뮬레이션을 통하여 동작 및 특성을 고찰한다.【 수 행 계 획 】 - MbreakN/P MOS

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.03.29

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  전자회로실험 예비 - 9. MOSFET 기본 특성 II

  예비 실험 (Pspice-simulation)1) 아래 과 같은 회로에서, DMM을 사용하여 드레인-소스 저항 R _{on}을 게이트-소스의 전압 V _{DS} 의 함수로 측정한다. ... 저항 R _{G}는 단순히 MOSFET의 게이트를 보호하기 위함이며 MOS의 게이트로 흐르는 DC 전류는 'zero' 이기 때문에 R _{G}의 양단에 인가되는 전압 역시 'zero'임을

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.04.20

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  [전자회로실험](예비,결과보고서)실험7. Passive Loaded MOS Amp를 이용한 DC 및 소신호 특성

  Passive Loaded MOS Amp를 이용한 DC 및 소신호 특성□ 실험목적MOSFET에 저항을 직렬연결 하여 MOSFET의 게이트에 인가된 DC전압은 FET의 동작 점을 지정하게 ... 그러기 때문에 바이어스 점 Q의 위치를 고려할 때,의 관계도를 참고하는 것이 더욱 적절하다.□ PsPice 시뮬레이션 결과(1) 저항을 1K Vdd를 5V로 하였을 때 Vin을 0-

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.03.08

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  전자공학실험1 실험 6장 결과보고서 : MOSFET의 특성과 바이어스 회로

  n-channel MOSFET2커패시터0.1㎌ 50V1저항1㏀, 100㏀, 1/4W1저항390Ω, 2.2㏀, 1/4W1저항1.5㏁, 5.1㏁, 1/4W1회로 시뮬레이터PSpice, ... 회로를 계속 고쳐보기도 하고 친구의 도움을 받기도 했는데, 원인은 MOS트랜지스터였다. MOS트랜지스터를 몇 번 바꾸니 실험이 진행이 됐다. 저번 실험도 이런 일이 있었다. ... 결과보고서전자공학실험1실험6 MOSFET의 특성과 바이어스 회로조 :실험일자 : 2012.5.11제출일자 : 2012.5.181.실험목적-MOSFET의 전기적 특성을 측정하여 MOS

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.01.31

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  전자회로실험 결과7 차동 증폭기 기초 실험

  하지만 실제로는 이론과 같이 두 MOSFET이 같을 수 없기 때문에 이 차이로 인해서 오차가 발생하였다.두 번째, PSpice에서 사용한 MOS의 소자 값과 실험을 진행한 MOS의

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.08.15

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  전자회로실험 예비7 차동 증폭기 기초 실험

  증폭기의 기본적인 특성으로 두 개의 동일한 규격의 MOSFET에 대하여 각 MOS의 두 소오스를 연결하여 정전류원으로 바이어스한다. ... 예비 퀴즈 문제(2) 차동 증폭기에서 공통 모드 입력 범위가 존재하는 이유를 설명하시오. pspice 모의실험을 바탕으로 공통 모드 입력 범위를 구한 결과는 얼마인지 설명하시오.차동

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.08.15

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  MOS를 이용한 Ampilfier 설계

  분석MOSGainM122.8984M222.8984M322.8983M421.096M51.42 * 10^ -4Gainpower consumption5. discussionproject결과 pspice ... 급격히 떨어지기 때문에 추가로 common source형태의 MOS를 연결해서 Gain을 충분히 높힌다.MOS 제원2. ... Design Conceptconcept 1 : 각 MOS의는 가능한 작게 한다.일때 MOS가 작동하므로는 1.75V이상이 되어야 한다의 값이 낮으면 낮을수록 forward-active영역에서

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.12.13

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  집적회로 프로젝트-Ring oscillator

  500-MHz CMOS Ring Oscillator Design - Using PSPICE1. ... モn= 2.5 (=Wp/Wn)(The Size of nMOS and pMOS are the same)Phase Splitter1 nMOS : W=1.44 レm(=16ル) (=1¨ MOS ... )pMOS : W=3.60 レm(=40ル)2 nMOS : W=0.72 レm(=9ル) (=2¨ MOS)pMOS : W=1.80 レm(=20ル)3 nMOS : W=0.36 レm(=4ル)

  리포트 | 9페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.08.18

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  MOSFET Circuit 결과보고서

  흐르는 전류2-1]에서 구한 VGS 및 IDS와 유사한 값을 갖도록 만드시오.RS = 0 이므로, VGS = 2.178 – 0 = 2.178V, IDS = 213.6uA[2-3] PSPICE에서 ... Common-Source 증폭기 회로를 구현해보고 분석해본다.2) Essential Backgrounds for this LabMOSFET이란 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOS ... (트랜지스터의 Drain 단자 전압 값을 측정하면 트랜지스터에 흐르는 전류를 용이하게 측정할 수 있음)[1-2] MOS 트랜지스터가 Saturation 동작 영역에 있음을 검증하시오.실험Ⅱ

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.03.09

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  실험01 MOSFET 특성(예비)

  게이트, 드레인, 소스, 바디의 4단자로 이루어져 있으며, 게이트에 전압을 인가했을 때, 생성되는 채널이 전자 혹은 정공에 따라 MOS의 타입이 결정 된다. ... PSpice 시뮬레이션[실험회로-1][실험회로-2][Simulation 결과 1][R _{D} =1.33K][R _{D} =1.78K][R _{D} =2.0K][R _{D} =4.0K

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.12.11

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  소자 모델링 실험-결과보고서

  및 다이오드와 BJT, MOS 소자를 이용하여 같은 동작을 하는 회로를 꾸미고 DC sweep을 통해 DC커브 그래프를 그린다. ... 이때 구한 식을 plot 기능을 이용하여 그려보고 측정한 데이터와 비교해 본다.(2) 실험으로 측정한 전자회로 소자의 I-V특성과 모델링한 수식을 고려하여 Pspice에서 R,L,C ... 이 때, 실험에서의 측정치와 최대한 비슷한 특성이 나오도록 구성해 본다.(3) -(3)의 실험을 수행한 경우, 동작점을 전체 전압의 절반 ()로 잡고 실제 블록과 본인이 Pspice에서

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.03.27

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  전자회로의 역사, 전자회로의 부가조건, 전자회로의 해석, 브리지(브릿지)의 의미, 브리지(브릿지)와 다이얼, 브리지(브릿지)와 저항,브리지(브릿지)와 휘트스톤브리지(브릿지) 분석

  Berkeley 버전의 SPICE3 및 HSPICE, PSPICE, IsSPICE등의 상용 프로그램 외에도 개인 또는 그룹이 소자나 모형 등을 추가하여 SPICE2 또는 SPICE3를 ... 예를 들어, MOS 트랜지스터의 게이트 캐패시턴스는 MOS 모형의 일부이므로 레이아웃 추출 프로그램이 뽑아낸 총 캐패시턴스 값에서 빼 주어야 한다.Ⅱ. ... Diodes, Bipolar Transistors, MOS transistors, JFET, MESFET 등의 비선형 소자SPICE3의 MOS 모형은 LEVEL 6까지의 모형이 전재하며

  리포트 | 7페이지 | 5,000원 | 등록일 2013.07.18

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  Mosfet measurement and applications

  #PSPICE? N MOS FET의 정확한 스펙을 맞추기가 어려웠다. ... (MOS FET과 차이점)왼쪽은 위의 실험에서 한 것처럼가 변할 때와와의 관계를 나타낸 이론적인 그래프이다. 그리고 오른쪽은 위의 실험에서 나온 PSPICE 결과이다. ... 그리고 전류가 drain으로부터 source 방향으로 흐른다(N MOS 일 경우).MOS FET에서 전류는 위의 그래프에 나와있는 것처럼 흐른다.

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.10.28

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