"스퍼터링 공정" 검색결과 101-120 / 491건

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  2016년 하반기 동부하이텍 합격 자기소개서

  아직 중국 기업들은 DRAM 공정이 28nm일 정도로 기술력에서 뒤쳐져 있으나, 5년 간 55조원의 투자를 통해 삼성의 기술력을 따라잡기 위해 도전해오고 있습니다. ... 이 과정은 막연하게만 생각했던 반도체에 대한 ‘호기심’을 ‘새로운 목표’로 바꿔준 계기가 되었습니다.수업 시간 중, ‘산화물 반도체의 layer 증착 시, GI를 제외한 부분은 스퍼터링을 ... 원리에 대해 배우고 나니, PVD와 CVD 모두 활용할 경우 챔버 내에서 진공 과정을 중간에 넣어야 하는 등 공정 시간과 비용이 증가하게 되는 것을 알 수 있었습니다.

  자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.11.20

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  건식식각 PPT

  좋 다건식식각의 종류 진공펌프 ~ ~ 진공펌프 Gas 진공실 이온 빔 테이블 웨이퍼 RF 발생기 양극 웨이퍼 음극 이온빔 식각 RF 스퍼터 식각건식식각의 종류 입사각 a 에 따른 스퍼터링 ... 종류 3 문 제 점 4 건식식각 장비1 건식식각의 원리건식식각의 원리 금속 , 세라믹 , 반도체 표면에서 불필요한 부분 을 화학적 , 물리적 으로 제거 하여 원하는 모양을 얻는 공정 ... Gas Flow( 가스 유량 ) Process Gas( 가스 종류 ) RF Power, Magnetic field intensity(RF 파워 ) Process Pressure( 공정압력

  리포트 | 25페이지 | 3,000원 | 등록일 2017.06.05

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  열화학기상증착법(Thermal-CVD)과 수열합성법(Hydrothermal solution)을 이용하여 각 기판위에 나노와이어 성장

  스퍼터링 공정을 진행하는 장비를 스퍼터 혹은 스퍼터링 시스템이라 한다.원리는 먼저 챔버 내부를 진공에 가깝게 만든 후에 낮은 압력의 Ar(아르곤)gas 또는 O2(산소)gas를 챔버 ... 스퍼터링 장비에서는 타겟쪽을 음극(Cathode)로 하고 기판쪽을 양극(Anode)로 한다. ... (Sputtering)은 집적회로 생산라인 공정에서 많이 쓰이는 진공 증착법의 일종으로 비교적 낮은 진공도에서 플라즈마를 이온화된 아르곤 등의 가스를 가속하여 target에 충돌시키고

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.05.14 | 수정일 2017.05.29

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  무기합성 및 분석화학 실험 결과보고서(제올라이트)

  현재 상용화되어 증착 공정에서 많이 사용되는 마그네트론-스퍼터링의 경우 입자의 이온화율이 10%를 넘지 못하는데 반하여 ICP-스퍼터링의 경우 약 80%까지 증가시킬 수 있는 것으로 ... 또한 기존의 어느 공정보다 높은 이온화율과 이온 밀도를 얻을 수 있다는 큰 장점을 지니고 있다. ... 최근 ICP 발생 코일을 스퍼터링 장치 내부에 삽입하여 실리콘 기판 위에 금속물질을 증착하였는데 이때 금속의 이온화율이 기존의 스퍼터링법보다 월등히 증가하는 것이 발견되었다.내부 삽입형

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.05.11 | 수정일 2022.09.29

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  표면개질공학-2

  (공정, 재료, 경도, 깊이, 온도, 가격, 시간, 기타)A. ... 충돌해 타겟원자가 스퍼터링 되어 기판에 흡착하는 pvd 방법으로 열을 이용하지 않기 때문에 도가니의 증발이 없다. ... 가열에 의한 기화를 이용해 밀착강도와 증착속도가 낮으며 도가니가 증발해 도가니 물질이 증착될 가능성이 있다.스퍼터링은 진공 챔버 내에서 전자에 의한 Ar+ 이온이 타겟(증착물질)을

  시험자료 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2016.06.24 | 수정일 2022.10.17

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  스퍼터링, sputtering

  기본 설명 장치의 구성 원리 공정과정 Q A Sputtering 코팅 , 도금 , 박막의 차이 ? ... 물질이 수 마이크로미터 이하의 두께로 자체적으로 독립적인 기능을 가지고 있는 층 (layer ) 들어가기 앞서 들어가기 앞서 CVD PVD ALD 열 CVD 플라즈마 CVD 증발법 스퍼터링

  리포트 | 38페이지 | 3,800원 | 등록일 2016.01.04

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  pvd,cvd의 종류와 원인 분석, 펌프와 진공펌프의 종류,원리 분석

  pvd,cvd와 진공공정에 필요한 pump배경지식-Deposition (증착) ; 반도체 웨이퍼 표면에 얇은 막을 씌워 전기적 특성을 갖도록 만드는 공정으로 deposition process는 ... -PVD (Physical vapor deposition)-증착하고자 하는 박막과 같은 재료를 진공 중에서 증발 또는 스퍼터링을 시켜 기판 위에 증착시키는 기술이다. ... 이에는 열증발법(thermal evaporation), 전자빔 증발법(electron-beam evaporation),스퍼터링법(sputterion)이 있다.(1)열증발법(thermal

  리포트 | 21페이지 | 3,500원 | 등록일 2017.01.31

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  [반도체 공정 A+] High k(고유전체) 관련 레포트

  정공에 대한 전위 장벽이 전자에 대한 전위장벽보다 높기 때문에, 정공에전체를 형성하기 위해서 스퍼터링, CVD 및 ALD를 이용해서 증착한다.TiO2TiO2는 약 40~86 정도의 ... 하지만 대부분의 공정으로는 40정도의 비유전율을 갖는 anat-ase 구조를 갖는다. ... 일반적인 공정으로 얻을 수 있는 anat-ase 구조는 약 40정도의 비유전율을 갖는다.

  리포트 | 8페이지 | 3,500원 | 등록일 2018.12.07 | 수정일 2021.11.08

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  CIGS 개론

  과잉 전자와 전공은 각각의 접촉되어진 외부 전극으로 이동(2) 공정현재까지 연구되고 있는 CIGS 태양전지의 흡수층 제작 방법은 동시증착(co-evaporation)법, 스퍼터링(sputtering ... 약 1.5eV 의 밴드갭)→ Ga, S, Na(glass 로 부터 확산) 를 포함최대 6원계 화합물 ⇒ 복잡한 제조공정제조하는 공정도 가능하다.버퍼층 : CIS 태양전지는 p형 반도체인 ... 이와 같이 CIS 박막은 다원화합물이기 때문에 제조공정이 매우 까다롭다.

  리포트 | 18페이지 | 2,500원 | 등록일 2014.02.08 | 수정일 2015.08.24

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  표면 및 열처리 기술 동향

  살펴본 결과 기술별 수요산업이 매우 상이한 것으로 조사- 전기도금, 무전해도금, 표면경화는 기계·전자·자동차 산업, 양극산화는 자동차, 화성처리와 도장은 기계·전자·자동차·조선, 스퍼터링은 ... 표면처리1) 기술 및 공정 설명○ 각 기술에 대한 공정 설명을 위해 표면처리가 이루어지는 상태(환경)에 따라 습식공정(수용액 상태), 도장, 건식공정(대기·진공 상태)으로 크게 나누고 ... 반면 처리시간이 짧기 때문에 제품의 품질 균일도와 불량 등을 방지하기 위해서는 전처리 공정으로서 노멀라이징 공정 또는 퀜칭 & 템퍼링 공정을 진행하여야 함- 실시간 모재 온도 측정을

  리포트 | 21페이지 | 3,000원 | 등록일 2018.05.30

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  신소재공학실험 집적회로실험보고서 반도체 집적회로 IC

  실험주제 : 반도체 집적소자 제조 단위공정 실험2. ... 오염한 오염 가능성.(2) 스퍼터링의 종류(가) 직류 인가 스퍼터링(D.C Glow Discharge sputtering)가장 간단한 스퍼터링 구조로서 전도성 물질의 스퍼터링에 사용된다 ... Cleaning Process 기술 이론세정 공정세정 공정(Cleaning Process) 이란 웨이퍼 표면뿐만 아니라 반도체 제조 장치 기술 과이다.

  리포트 | 37페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.06.29

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  [반도체 공정 및 실습]Cryo pump

  표준대기압을 760Torr로 정의한다.러프진공고진동초고진동식품생산진공증착냉동건조증류법스퍼터링전기제품(네온등)튜브공정열처리집적회로생산장식용코팅입자가속화학연구E-beam, 용접기상증착이온주입우주개발재료연구금속공학물리연구표면연구MBE2

  리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2019.09.01 | 수정일 2020.08.10

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  투명전극 전기적 특성 평가

  기존의 평판디스플레이의 화소 전극은 주로 ITO(인듐 주석 산화물)가 스퍼터링에 의해 유리 기판 상에 박막으로 코팅된 유리가 주로 사용되고 있다. ... 기존의 평판디스플레이의 경우, 금속 산화물 투명전극이 진공 공정을 통해 도포된 유리 기판상의 각 화소를 포토리소그래피 공정으로 제조된 박막 트랜지스터(TFT : thin film transistor ... 반도체의 제조공정 개발, 소자 개발 및 집적 회로 개발과 성능 개선을 위해서는 전류 형성을 지배하는 요소들을 측정, 분석하는 것이 매우 필요하고 중요하다.

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.06.30

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  멜트 스피닝 (melt spinning)

  비정질을 형성하는 실험방법 3가지- 스퍼터링- 진공증착- 이온플래이팅멜트 스피닝(melt spinning)- 섬유 형성능이 있는 고분자 물질을 가열 융해하여 방사 노즐에서 공기나 수중에 ... 보통 사출 후 연신공정이 수반된다. 방사속도가 빨라 분당 500~1,500m가 보통이고 3,000m 이상 고속 방사도 가능하게 되었다. ... 어느 것이나 방사 후의 세척(洗滌)·건조 등의 공정을 필요로 하지 않는 생산성이 높은 방사법이다. 나일론, 폴리에스테르, 폴리올레핀, 염화비닐리덴 혼성 중합체 등에 적용된다.

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.01.12

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  [A+ 보고서] 패터닝 예비보고서

  이온과 웨이퍼 위의 재료와 화학 반응 에 의해 휘발 물질화하는 식각과 물리적인 스퍼터링의 두 가지 효과를 이용하고 있다.② 이방성식각과 등방성식각이방성 식각은 웨이퍼 면에 수직방향으로 ... 여러 가지 공정 중 세 가지 의 기본 공정이 웨이퍼에 주로 적용된다.⑤ 칩 선별웨이퍼 가공 공정 후 개개의 칩으로 나누어 겉을 싸고 패키지로 연결한다.⑥ 조립 공정1. ... 생산성이 높 고, 낮은 비용으로 가능한 공정이지만, 가공의 정밀도가 좋지 않아 특수한 공정으로의 사용에 제한을 받는다.

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.02.24

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  반도체 제조 공정의 종류와 기법 서술

  (Sputtering) 방법의 특징열에너지를 이용하는 이베퍼레이션 방식과는 달리 물리적인 운동에너지를 이용스퍼터링 방식은 많은 플럭스 라인으로 인해 그림 (a)와 같이 웨이퍼 표면에 ... 이용함으로 질소를 액체소스가 있는 용기로 주입 하여 액체소스를 버블링을 통하여 기체화의 경우 디씨 방식을 주로 사용하며, 알에프 방식은 주로 유전체 박막의 증착에 이용 된다.㉢ 스퍼터링 ... 사진공정은 집적회로 제조공정에서 가장 비싼 단위공정으로 전체 집적회로 제조 공정비의 35%를 차지합니다.

  리포트 | 17페이지 | 4,500원 | 등록일 2015.06.09

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  생명화학공학실습 - 은 잉크 영어 논문 번역 및 요약 과제 레포트

  또한, 전자 산업에서, 스퍼터링과 에어 브러시 스프레이는 현재 전도성 전극을 증착하는 기술로 사용 되고있다. 복잡 할뿐만 아니라 비싸거나 시간도 많이 걸린다. ... 비교를 위해, 은 잉크의 합성 공정의 일부 작동 파라미터가 다음과 같이 요약되어있다. ... 여기에서 사용 된 셀룰로오스 막은 셀룰로오스의 재생 공정 [26]에 의해 미리 제조되었다.

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.12.21 | 수정일 2022.01.02

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  스퍼터 원리와 종류

  그 이유는 이 진동수가 국제적으로 플라즈마 공정에 허용되었기 때문이다.플라즈마의 발생 및 oscillating power source를 사용하므로 부도체 재료를 스퍼터링 할 수있고 ... *스퍼터의 종류-DC 스퍼터링은 diode 스퍼터링 또는 cathode 스퍼터링이라고 하며, 증착 속도는 기체의 압력과 전류 밀도에 의존한다. ... 이러한 장점 외에도 낮은 압력에서의 증착이 가능하기 때문에 collision scattering에 의한 영향을 받지 않는 상태로 스퍼터링이 가능해 스퍼터링 기구를 연구하는 데에 이

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.06.30

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  삼성디스플레이 연구개발 17상반기 인턴 최종합 자소서입니다

  ALD 증착, 스퍼터링 등의 실험을 하며 이러한 공정이 디스플레이의 TFT 제작에도 유사하게 사용된다는 것을 알았습니다.

  자기소개서 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2017.11.04

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  반도체 공정 장비 개요 (트랜스퍼 챔버, EFEM, 트랜스퍼 모듈)

  Chamber의 중앙에는 공정간 가공 대상물을 이동시키기 위한 로봇암이 설치됨Transfer chamber는 투입구, PECVD, CVD, 에칭, 스퍼터링 장치 및 중앙 로봇로 구성됨Transfer ... 크기를 최적화 하여 생산 부지 및 소재비 절감장비 크기의 최적화공정 최적화 구상을 통하여 공정 소요 시간 단축 방안공정 시간단축..PAGE:4Ⅱ. transfer Chamber의 기술 ... 반도체 트랜스퍼 모듈의 개요적층되어 있는 LCD 패널/반도체 웨이퍼 등을 진공 공정처리하기 위해서 로봇 암을 배치하고 이를 이용하여 공정 위치를 변경하는 구조임.

  리포트 | 12페이지 | 3,000원 | 등록일 2015.05.19

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