"이온선택성막" 검색결과 101-120 / 209건

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  등장액고장액

  이런 현상은 원형질막의 선택성에 기인하는 것이다. ... 이것은 전해질이 용액 내에서 이온화하여 한 개의 분자가 둘 또는 그 이상의 이온으로 분리되어 이온 하나하나가 독립적으로 운동하기 때문이다. ... 이제 1M의 설탕용액을 반투성막을 경계로 하여 증류수와 접촉시키면, 용매인 물분자는 반투성막을 자유롭게 통과하여 속으로 들어가서 유리관의 수위가 상승한다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.27

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  각종증착장비에대하여...

  성막속도가 여러 종류의 금속에 대해 거의 일정하다.? 전류량과 박막두께가 거의 정비례하므로 조절이 쉽다.? RF sputtering에 비해 성막속도가 크다.? ... 삼성분계 물질은 박막의 조성의 균일성 문제 및 반응 원료 선택의 어려움 등으로 인해 지금까지는 거의 연구가 이루어지지 않았다. ... 내의이온은 큰 전위차에 의해 cathode(target)쪽으로 가속되어 target의 표면과 충돌하면, 중성의 target 원자들이 튀어나와 기판에 박막을 형성한다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.13

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  wet etching

  or { H2O + HF } 반응식 4HF + SiO2 → SiF4 + 2H2O 6HF + SiO2 → H2SiF6 + 2H2O NH4F의 첨가 목적 pH값의 조절 소모된 불화물 이온을 ... 방지 : H2SO4 Boil처리, O2 Plasma처리 식각비에 의한 정확한 Etch time 설정물반점 소수성막질과 친수성 막질이 공존하거나, 소수성 막질만으로 되어있는 경우에 wafer의 ... Si + 2H2O + 2OH- → Si(OH)2(O- )2+ 2H2OEtchant : 농축된 HF 또는 BHF 또는 끊인 H3PO4 일반적인 산화막에서 질화막의 선택적 산화는 180

  리포트 | 22페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.01 | 수정일 2013.12.18

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  SiO2 박막의 식각 및 PR 제거 [예비]

  실험내용가장 널리 사용되는 실리콘 산화막(silicon oxide; SiO2) 박막을 적절한 식각가스를 선택하여 반응성 이온 식각장치(reactive ion etcher; RIE)를 ... 특성을 만들어 준다.☞ 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition) : 가스의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼 표면에 수증기 형태로 쏘아(증착) 절연막이나 전도성막을 ... 식각장치를 사용하여 적절한 식각가스와 파워를 선택하여 식각 실험을 진행4) 식각된 산화막의 표면의 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용5) 마스크 패턴의 제거(O2 plasma

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.11.07

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  세포와 세포외 환경 사이의 상호작용

  삼투현상(물의 확산) : 막을 통과하는 물 or 용매의 순확산(고농도에서 저농도로 분자 이동): 삼투현상 일어날 수 있는 조건 - 선택적인 투과성막의 양쪽에 용질 농도에 차이가 있어야 ... 투과성 - 세포 내 어떤 물질은 통과할 수 있고 어떤 물질은 통과할 수X→ 이온에 대해 선택적 투과성을 보여 신경과 근세포는 전기화학적 전류로 형성된 충격을 만듬② 세포가 세포막을 ... 엘라스틴 - 결합조직에 구조적으로 강도를 제공-겔 모양의 기질 - 겔은 당단백질과 프로테오글리칸으로 구성3) 원형질막 수송① 원형질막 - 세포내 환경을 세포외 환경으로부터 분리함- 선택적

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.21

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  막분리(기기분석 및 실험)

  으로, 상의 물리화학적 성질에 의해 물질 및 에너지의 교환속도가 좌우되는 제 3의 상이다.(2) 막은 모든 이동현상의 저항이 총집중되어 있는 상을 말하며, 그 저항은 물질에 따라 선택적으로 ... Nanofiltration 은 50%-97.5%의 배제율을 동시에 취할 수 있으며 물의 연화과정에서 이온교환법의 대치용으로 이용되고 있다. ... cellulose-tri-acetate, crosslinked polyether 등이 주로 사용된다.역삼투막은 공경이 약 10Å 내외이고, 세공이 거의 존재하지 않으므로 일반적으로 비공성막이라고

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.05.15

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  막여과공정 ppt

  도 입 기존 정수장의 노후화 개선 새로운 오염물질의 출현 고품질 수돗물 생산 막 여 과 정 수 처 리 목 적 필 요 성막 여과 공정 결 과 수돗물 안의 알루미늄 제거 ( 응집 , 침전 ... 막 여과의 개요 선택적 투과기능을 갖는 분리막을 이용하여 물질에 따라 투과성이 다른 막을 사용하여 용액 속의 목적 성분을 분리 정수처리에서는 막을 여재로 하여 물을 통과시켜 원수중의 ... 나노여과 (NF) pH 가 증가할수록 제거율이 증가 막 구조는 비대칭 막 기능은 분리 , 정제 , 농축 , 회수 , 제균 향후 증발법 등에서 스케일을 유발시키는 이온물질을 제거하기

  리포트 | 19페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.07.29

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  반도체이론

  제거 시키는 공정식각 공정(Development Process)반도체 제조 공정*이온 주입공정(Ion implantation)반도체 제조 공정- 회로패턴과 연결된 부분에 불순물을 ... *화학기상증착(CVD) 공정반도체 제조 공정GAS간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼 표면에 증착하여 절연막이나 전도성막을 형성시키는 공정웨이퍼표면에 형성된 각 회로를 알루미늄선과 ... 반도체 제조 공정웨이퍼 표면에서 빛을 받은 부분의 막을 현상시키는 공정 (일반 사진현상과 동일)*회로패턴을 형성시켜 주기 위해 화학물질이나 반응성 GAS를 사용하여 필요 없는 부분을 선택적으로

  리포트 | 35페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.17 | 수정일 2019.06.20

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  반도체 제조 공정에 대한 리포트

  입자들을 웨이퍼표면에 수증기 형태로 쏘아(증착) 절연막이나 전도성막을 형성시킨다. ... 형성시켜 주기 위해, 화학약품(습식식각, wet etching)이나 플라즈마 상태의 식각용 가스(건식식각, dry etching)를 사용하여 원하는 부분만을 남기고 불필요한 부분을 선택적으로 ... 이온주입공정은 일정한 에너지를 가지고 불순물을 웨이퍼에 강제로 주입하는 공정이기 때문에 공정이 이루어진 이후 웨이퍼에 결함이 발생하게 된다.

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.07.02

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  반도체의 제조 공정

  이것은 패턴공정이라고도 한다.* Etcher(에쳐) : 웨이퍼 위에 형성된 패턴대로 필요한 부분을 선택적으로 깍아 내는 설비.* Asher (에셔) : 건식 식각이나 이온 주입 등에 ... 화학기증착 (CVD)가스의 화학 반응 으로 형성된 입자들을 웨이퍼 표면에 수증기 형태로 쏘아(증착) 절연막이나 전도성막을 형성 시킨다. 일종의 보호막 과도 같은 역할을 한다. ... 회로패턴을 형성시켜 주기 위해 화학물질(습식)이나 반응성 GAS(건식) 를 사용하여 필요 없는 부분을 선택적으로 제거 시키는 공정을 말한다.

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.12.08

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  세포막의 물질수송

  막 수송의 선택성은 단백질 통로, 펌프, 그리고 문 등에 의하여 이루어지며, 생체분자의 이동과 세포 주위의 이온 조성을 조절한다.세포는 또한 그 주위 환경과 교류해야 한다. ... 이 모델은 그 당시에 알려진 막의 많은 특성을 설명할 수 있었다.(3)지질 비대칭성막의 지질과 단백질 성분은 생체막의 양 쪽 면에서 같은 비율로 존재하지 않는다. ... 막은 또한 세포의 성장과 발달에 필요한 영양물을 흡수하고 대사의 노폐물을 방출하기 위한 선택적 여과 기능을 해야 한다.

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.11.17

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  화학공학실험 막분리공정 예비레포트입니다.

  > 2가 이온 > 1가 이온)④ 무기이온 제거율은 기 이온 특유의 수화수, 수화이온 반경에 따라 영향을받고 수화이온 반경이 큰 이온은 잘 제거된다.⑤ 비전해질의 경우는 분자의 크기가 ... 분리대상물질의 물리화학적 특성, 그리고 압력차를 추진력으로 하는 세가지 요소의 조합에 의해 행하여 진다.역삼투막은 공경이 약 10Å 내외이고, 세공이 거의 존재하지 않으므로 일반적으로 비공성막이라고 ... 장애물로서 , 어떤 물질을 선택적으로 통과시키거나 배제시키는 역할을 하는 소재를 말한다 .

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.27

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  이온선택성 전극을 이용한 Ammonium의 정량 : 예비보고서

  다공성막의 역할은 시료용액과 액체 이온교환체가 서로 접촉하기는 하지만 서로 섞겔에 고정시키고 양이온선택성유리전극의 표면에 입힘이 전극을 요소가 있는 용액에 담그면 요소는 전극표면의 ... 이온선택성 전극의 원리목적이온에 선택전극으로 감응하는 감응막을 가진 이온선택성 막 전극을 기준전극과 함께 시료용액에 담그면 이온감응막에서 기전력이 생기게 되고 양전극간에 전위차가 생기게 ... Title이온선택성 전극을 이용한 Ammonium의 정량Date2009. 04. 14Object이온선택성 막 전극을 이용하여 시료중의 NH4+ 이온을 정량분석 한다.Theory1.

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.09.13

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  박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거 (반도체 식각)

  이루어진다제12단계 : 화학 기상 증착 (Chemical VaporDeposition)가스의 화학 반응 으로 형성된 입자들을 웨이퍼 표면에 수증기 형태로 쏘아(증착) 절연막이나 전도성막을 ... 단결정 성장(Polisilicon creation)고순도로 정제된 실리콘 용액을 주물에 넣어 회전 시키면서 실리콘 기둥(Ingot)을 만든다제2단계 : 규소봉 절단 (Wafer s선택적으로 ... 이 기체에 더욱 에너지를 가하면, 중성 입자에서 전자가 방출되어 이온으로 되고, 이온과 전자가 혼재된 상태로 된다. 이 상태가 플라즈마 이다.

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.10.13

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  와류 발생에 의한 막 막힘(Fouling) 현상 최소화 기술 연구

  비대칭성막 친수성막과 소수성막 단일막과 복합막THEORY S U N G K Y U N K W A N U N I V E R S I T Y C H E M I C A L E N G I ... 이용하여 분리 혹은 전달을 강화THEORY S U N G K Y U N K W A N U N I V E R S I T Y C H E M I C A Lialysis process)) 이온교환막 ... 막공정의 한계를 뛰어넘어 , 막 표면에 강력한 전단력을 발생 - 이러한 막 오염 저항성의 향상은 처리 공정 구성 시 , 제한성을 낮춰줌으로써 자유로운 적용이 가능해지고 , 분리막의 선택폭을

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.06.30

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  반도체공정-유전체증착

  에 의해서도 이루어짐 .⑫화학기상증착 (CVD:Chemical Vapor Deposition) 공정 가스간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼 표면에 증착하여 절연막이나 전 도성막을 ... 웨이퍼 제조 및 회로설계웨이퍼 가공 (Fabrication) 웨이퍼의 표면에 여러 종류의 막을 형성시켜 , 이미 만든 마스크를 사용하여 특 정부분을 선택적으로 깍아내는 작업을 되풀이함으로써 ... 웨이퍼 가공 (Fabrication)웨이퍼 가공 (Fabrication) ⑩식각 (Etching) 회로패턴을 형성 시켜주기 위해 화학물질이나 반응성 가스를 사용하여 필요없는 부분을 선택적으로

  리포트 | 26페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.05.19

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  물리기상증착법(PVD)

  각각의 절삭공구에 대해 공구의 모재 -코팅막종류- 성막조건이 만족되지 않으면 목적하는 사양특성은 얻을 수가 없다.그림 2. ... ·온간·냉간·단조를 조합시킨 복합가공에조도가 대단히 평활(Rmax 1S 이하)하여 최종마무리 공정으로 처리될 수 있다.④ 코팅피막은 초경질로, 요구하는 특성에 따라 피막의 종류를 선택할 ... .1) 각종 처리법으로 L적정한 사용방법2) 코팅피막에 대한 물성평가기술의 확립3) 전처리· 후처리 기술의 개발4) 신세대에 맞는 막의 개발연구5) 양산부품등의 처리비용 저감6) 성막장치의

  리포트 | 27페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.09.03

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  빅막의 식각 및 PR제거 예비보고서

  의한 식각 속도는 물질별로 차이가 거의 없어 선택성 특성이 나쁘다.- 화학적으로 기판과 잘 반응하는 가스를 사용하고, 이온타격에 의해 식각이 더 잘 일어나도록 하는 반응성 이온 식각 ... 실험내용가장 널리 사용되는 실리콘 산화막 (silicon oxide; SiO2) 박막을 적절한 식각가스를 선택하여 반응성 이온식각장치(reactive ion etcher; RIE)를 ... 공정에 의해서도 이루어짐.12) 화학기상증착(CVD; Chemical Vapor Deposition) 공정Gas간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼 표면에 증착하여 절연막이나 전도성막을

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.11.26

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  모발염색의 원리,기법,도구,장비

  [인용일자 : 2010.10.25]모발 염색과 pH에 대해 설명pH는 물 한 방울을 전기적으로 분해시켜서 수소(H+)이온과 수산화이온(OH-)로 나누었을 때 수소 이온이 어느 정도 ... 두피와 모발의 pH는 4.5~5.5(모발의 등전점-전기적으로 가장 안정된 상태)인데 이것은 실제 모발과 두피의 pH가 아니라 표면을 덮어 매끄럽게 만들고 있는 산성막 때문이다. ... 뜻하지 않는 컬러나 얼굴, 연결 미흡 등이 일어나지 않도록 모발진단 과정에서 충분하고 세심한 관찰과 적절한 제품선택 등이 이뤄져야 한다.참고문헌 :권태신 외 9인(2004).

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.06.02

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  pvd 실험 보고서

  (일명 이온 본드법)은 러시아에서 개발된 이온플레이팅법이다. ... MOCVD(또는 OMCVD), HVD등 원료명을 붙인 CVD법의 명명도 이러한 사정을 반영하고 있다.(3)온도(기상, 기재, 로벽, 노즐)기상온도, 기재온도는 성막속도나 입자생성속도에 ... 레이저 CVD법에 의한 H막의 특성은 플라즈마법과 동등한 수준이고 성막속도는 보통 램프광을 이용한 광 CVD법보다는 빠르지만 대면적화가 곤란하여 이것을 고려한 레이저광원이나 장치구성

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.03

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