"이온선택성막" 검색결과 141-160 / 209건

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  [센서]바이오센서

  간접변환 (a)생화전변환: 화학변화를 전기신호로 변환 (수소이온,이온선택성,Clark형산소,과산화수소 전극등) (b)생열전변환: 열변화를 전기신홀 변환 (구현장치는 생물 기능성막과 ... -변환기 능부는 이온이나 가스 감지전극이 가장 많이 이용되며, 이들 전극에서 얻어진 전기신호는 전류값이나 전압값중의 하나가 된다.바이오센서의 변환기능 (1)1.직접변환 -생물기능성막이 ... 짧은 편이다.바이오 센서의 원리(1)구성(2)원리(1)선택감지기능부 (식별기능) -생체 내에서 친화성을 가진 물질의 한쪽을 고정화하여 그 상대를 식별할 수 있게한 생물기능성막이다.생체

  리포트 | 36페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.07.24

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  생체 고정화 기술

  (proteomics)의 핵심 기술 중 하나로 질병진단과 치료, 환경물질의 초고속 분석 등 다양한 분야에 이용될 수 있다.단백질 칩의 표면은 초미량의 특정 생물학적 물질에 대하여 선택적인 ... 존재하여 가스 투과성막을 투과할 수 없기 때문에 pH 3의 완충액을 센서 시스템에 연속적으로 흘려 보내면서 아세트산을 포함하는 시료액을 주입하면 극소 전류값이 얻어진다. ... 이 미생물을 다공성 아세틸셀룰로오스 막에 흡착 고정화하여 산소 전극의 테플론 막 위에 부착하고 다시 가스 투과성막으로 피복하여 O-링으로 고정하면 알코올 센서를 제작할 수 있다.이

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.04.29

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  고정화효소

  -기질 특이성효소는 기질과 반응할때 높은 선택성을 나타내며 이와 같은 선택성을 기질 특이성이라 한다.효소는 기질 특이성이 높기때문에 유기 화합물의 혼합액 중에서도 특정의 효소는 특정물질만의 ... 미세캡슐화(microencapsulation)는 미세하면서 속이 빈 다공성막(porous membrane)으로 구(球)를 만들어 효소액을 그 내부에 담는다.포괄법의 경우에는 효소가 ... -최적 pH수소이온농도는 효소단백질의 활성중심에 있어서 원자단의 이온화, 기질 또는 활성화인자 해리에 영향을 미치므로 효소반응속도를 좌우하며 효소반응에는 최적작용 pH가 있다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.10.05

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  화공실험 연속 교반 액상 반응기(CSTR)를 이용한 반응 속도식 측정, 기체확산실험 예비보고서

  기체의 확산은 두 가지 이상의 기체들을 같은 공간에 넣거나 또는 다공성막에 의해 갈라져 있을 때 일어난다.확산의 일반적인 원인이 농도구배이긴 하지만, 역삼투압에서와 같은 활동도 구배 ... 흩어져 있어 미분법을 사용하기가 곤란한 경우에 적합하다.① 미분법에 의한 데이터 해석 순서ⅰ) CA를 t에 따라 plot하고 데이터를 가장 잘 지나는 곡선을 그린다.ⅱ) 적절히 선택된 ... 여기서를 녹아 OH- 이온이 된다.

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.06.30

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  박막재료의 표면처리 및 식각실험(예비)

  실험내용가장 널리 사용되는 실리콘 산화막 (silicon oxide; SiO2) 박막을 적절한 식각가스를 선택하여 반응성 이온 식각장치(reactive ion etcher; RIE) ... 만들어 준다.ⓛ 화학 기상 증착 (Chemical Vapor Deposition) : 가스의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼 표면에 수증기 형태로 쏘아(증착) 절연막이나 전도성막을 ... 기본적으로 화학반응을 이용하기 때문에 Etching 선택성도 순수한 물리 Etching보다는 상당히 양호하다.

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.07.28

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  SiO2 박막의 식각 및 PR 제거

  실험내용가장 널리 사용되는 실리콘 산화막 (silicon oxide; SiO2) 박막을 적절한 식각가스를 선택 하여 반응성 이온 식각장치(reactive ion etcher; RIE ... 화학기상증착(CVD:Chemical Vapor Deposition)공정GAS간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼표면에 증착하여 절연막이나 전도성막을 형성시키는 공정13단계. ... 플라즈마플라즈마는 이온화된 상태의 기체이다.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.19

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  [분리정제]Membrane separation

  분리-유기 이성체의 분리-알코올의 탈수공정-압력차-Ethanol-물-물-Ethanol이온교환막(연료전지)-연료전지 사이에서 수소,수산이온의 선택적 투과-전기화학반응-이온의 확산-수소이온 ... 분리막의 성질에 따라 생채막과 합성막(인공막), 다공질막과 비다공질막, 대칭성막과 비대칭성막, 단일막과 복합막, 균질막과 불균질막, 유기막과 무기막, 친수성과 소수성막 으로 분류되어지며 ... 그리고 막은 모든 이동현상의 저항이 총 집중되어 있는 상을 말하며, 그 저항은 물질에 따라 선택적으로 다르다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.09.28

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  막이란

  이온의 95%이상 분리되는 역삼투막, 기 체분자 등이 용해되어 확산되는 고분자, 금속막 등 이 이 부류에 속한다.액체막유 화 액 막분리 대상에 선택성 물질을 투입하여 분리한다.지 지 ... 막은 모든 이동현상의 저항이 총집중되어 있는 상을 말하며, 그 저항은 물질에 따라 선택적으로 다르다. ... 물성별{천연막 (생체막)생체막 구조는 인산지질 2분자층에 단백질의 소 수성 부분이 들어있다.합성막(무기질막, 합성고분자막)합성막은 분리 대상 물질에 따라 이온교환막, 역 삼투막, 정밀여과막

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.13

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  sputtering결과보고서

  따라서 염료감응 태양전지용 투명전도성 기판은 온도 안정성을 고려하여 선택해야 한다. ... 반도체 산화물 전극으로 주입된 전자는 나노입자간 계면을 통하여 투명 전도성막으로 전달되어 전류를 발생 시키게 된다. ... 내가 예상하기에도 Ar이 플라즈마화 되고 그 양이온이 타겟을 때려 타겟의 원자나 분자가 튀어 나와 증착되는 양은 시간이 지난다고 줄어들거나 하지 않을 것이다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.25

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  [공업화학 실험]박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거

  실험내용가장 널리 사용되는 실리콘 산화막 (silicon oxide; SiO2) 박막을 적절한 식각가스를 선택하여 반응성 이온식각장치(reactive ion etcher; RIE)를 ... 공정에 의해서도 이루어진다.-12단계 화학기상증착(CVD:Chemical Vapor Deposition)공정Gas간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼표면에 증착하여 절연막이나 전도성막을 ... 식각장치를 사용하여 적절한 식각가스와 power를 선택하여식각 실험을 진행한다.(4) 식각된 산화막의 표면의 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용(5) 마스크 패턴의 제거

  리포트 | 13페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.01.28

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  PVD피막의 공업적응용

  각각의 절삭공구에 대해 공구의 모재 -코팅막종류- 성막조건이 만족되지 않으면 목적하는 사양특성은 얻을수가 없다.그림 4.1.7에는 TiAlN피막의 내산화성 시험결과를 나타냈다. ... 마스킹이 쉽게 가능하다.③ 코팅피막의 표면조도가 대단히 평활(Rmax 1S 이하)하여 최종마무리 공정으로 처리될 수 있다.④ 코팅피막은 초경질로, 요구하는 특성에 따라 피막의 종류를 선택할 ... 4.2.3은 이온프레이팅을 금형에 적용한 예로, 그 효과에 대해 열거한 것이다.

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.04.21

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  박막재료의 표면처리 및 PR제거

  실험 내용가장 널리 사용되는 실리콘 산화막 (silicon oxide; SiO2) 박막을 적절한 식각가스를 선택하여 반응성 이온 식각장치(reactive ion etcher; RIE ... 의해서도 이루어짐.12.화학기상증착공정(CVD; Chemical Vapor Deposition)GAS간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼표면에 증착(蒸着)하여 절연막이나 전도성막을 ... 증착확산시에 확산되어진 불순물을 웨이퍼 내에 더욱 깊이 확산시키며, 이 때 온도는 높게 선택된다.

  리포트 | 27페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.05.27

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  [작물생리]영양생리

  뿌리에 의한 무기양분의 흡수기구(1) 원형질막의 투과성 : 반투성막(선택적 투과성)의 원형질막에 의한 용질의 투과성 차이 → 인지질 원형질막의 투과성 차이로 비전해질과 전해질로 구분① ... 작물의 양이온 선택 흡수능력 → K > Ca, Mg > Na(2) 뿌리에 의한 이온의 선택흡수① 뿌리는 이온종류에 따라 선택적으로 흡수한다.② 1가 이온이 2가 이온보다 흡수가 잘된다 ... 흡수① 이온 상호간에 선택적 흡수 능력뿐 아니라 하나의 염에 있어서 양이온과 음이온을 불평등하게 흡수한다.② 한 전하 이온 흡수 축적 → 전기적 평형 유지위해 → 유기산 생성 또는

  리포트 | 19페이지 | 4,300원 | 등록일 2007.11.23

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  반도체 제조공정

  제거시키는 공정이다...PAGE:13반도체 제조공정11) 이온주입공정회로패턴과 연결된 부분에 불순물을 미세한 가스입자 형태로 가속하여 웨이퍼의 내부에 침투시킴으로써 전자소자의 특성을 ... 속에서 불순물입자를 웨이퍼 내부로 확산시켜 주입하는 확산공정에 의해서도 이루어진다.12) 화학기상증착공정반응가스간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼표면에 증착하여 절연막이나 전도성막을 ... 현상공정웨이퍼 표면에서 빛을 받은 부분의 막을 현상시킨다...PAGE:12반도체 제조공정10) 식각공정회로패턴을 형성시켜 주기 위해 화학물질이나 반응성 가스를 사용하여 필요없는 부분을 선택적으로

  리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.11.05

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  반도체 용어 정리

  성막속도가 빨라 공정시간을 단축시킬 수 있지만 사용되는 소스와 반응 가스들 중 폭발 위험성 및 인체에 해롭다. ... LOCOSLocal Oxidation of Silicon반도체 기판 상에 산화막을 선택적으로 성장시켜 소자 분리막을 형성하는 방법이며 기판상에 제작한 트랜지스터 사이에 있는 실리콘에 ... Si₃N₄가 열산화를 막는다는 유용한 성질을 이용하여 두꺼운 LOCOS 산화물이 격리영역에서 습식 산화에 의해 선택적으로 성장하게 된다.* 옥사이드 사이드월 LOCOS 제조방법옥사이드

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.23

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  DCJTB를 주입한 Alq3의 두께에 따른 백색 유기발광소자의 변화

  등이 우수한 양극전극으로서의 ITO 특성이 충분히 고려되어야 한다.②ITO etchingglass 기판의 전면에 형성된 ITO film을 현상과정에서 형성된 PR층의 패턴을 통해 선택적으로 ... 고분자 필름과 같은 유연성이 있는 기판에 적용하기에는 문제가 있다.봉지 공정은 sealing cover 세정, 건조제 & film 부착공정, UV sealant dispensing, 성막공정이 ... 구동전압을 저하시키기 위해 양극으로부터의 정공의 주입 장벽을 낮추는 것, 즉 정공주입 수송재료의 이온화 포텐셜이 ITO의 일함수(~5.o eV)에 가까운 것이 요구된다.5.

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.14

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  반도체 제조공정

  (일반 사진현상과 동일).10.식각 (ETCHING)회로패턴을 형성시켜 주기 위해 화학물질이나 반응성 GAS를 사용하여 필요 없는 부분을 선택적으로 제거 시키는 공정. ... 이온주입 (ION IMPLAN-TATION)공정회로패턴과 연결된 부분에 불순물을 미세한 GAS입자 형태로 가속하여 웨이퍼의 내부에 침투시킴으로써 전자 소자의 특성을 만들어줌. ... 화학기상증착 (CVD; Chemical Vapor Deposition)공정GAS간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼 표면에 증착(蒸着)하여 절연막이나 전도성막을 형성시키는 공정.13

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.27

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  생화학 석박사 종합시험 자료

  선택적 투과성막 : 세포는 막을 통하여 세포 안팎으로의 물질 이동을 조절하는데, 이러한 물질의 출입은 세포의 필요에 따라 선택적으로 일어난다. ... H+에 상응하는 음이온이 막 외부로 나가지 못하여 막 내부는 음(-)전하를, 외부는 양(+)전하를 갖게 되어 전기적 전위(electrical potential)가 생긴다.-. ... 무질서화한 space에서 자신이라는 존재를 유지시키기 위해 외부와의 물질이나 에너지교환도 가능하면서도 자신이 유지되는 반투막을 선택-.

  시험자료 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.08.11

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  반도체 제조,제작 공정 총정리

  기상 증착 (Chemical Vapor Deposition)○ 가스의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼 표면에 수증기 형태로 쏘아(증착) 절연막이나 전도성막을 형성. ... 동일)Phtoresist Develop Strip9식각 (Etching)① 웨이퍼에 회로 패턴을 만들어주기 위해 화공약품(습식)이나 부식성 가스(건식)를 이용해 필요없는 부분을 선택적으로 ... 이온주입 12. 화학 기상 증착 13. 금속배선반도체 제조를 위한 공정흐름도14. 웨이퍼 자동선별 15. 웨이퍼 절단 16. 칩 접착 17. 금속 연결 18. 성형 19.

  리포트 | 29페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.01.11

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  반도체 제조 공정

  이온주입(Ion Implantation)공정반응가스간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼표면에 증착하여 절연막이나 전도성막을 형성시키는 공정12. ... 현상(Development)공정회로패턴을 형성시켜 주기 위해 화학물질이나 반응성 가스를 사용하여 필요없는 부분을 선택적으로 제거시키는 공정10.

  리포트 | 29페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.01.03 | 수정일 2019.04.09

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