"전전설3" 검색결과 101-120 / 17,150건

• 

  전자전기컴퓨터설계실험3(전전설3)3주차예비

  사전보고서 5[1-1] 5[2-1] 9[2-2] 10[3-1] 11[3-2] 11Ⅴ. 참고문헌 11Ⅰ. ... R1, R2, R3이라고 하자. ... 처음 반전증폭기의 경우엔 가산기로 3개의 DC신호를 받아 위상을 반대로 바꿔주면서 그 크기를 합쳐주는데 위의 결과에서도 검은 원 부분이 각각 1V짜리 입력 신호 3개를 나타낸다.

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09

  다운로드 장바구니
• 

  전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 3주차 결과

  첫 번째 값은 위상이 뒤집어져서 – 가 되었고 그 값은 약 3배의 값이 나왔다. ... 위의 오른쪽 사진에서 보면 각각 CH2의 –단자 +단자를 1번 2번으로, CH1의 –단자 +단자를 3번 4번으로 표시한 것을 볼 수 있다. ... Lab#03 Operational Amplifier지도교수 : 이 주 한 교수님실험조교 :실 험 일 : 2016년 3월 28일학 번 : 2012440이 름 : TOC \o "1-3"

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12

  다운로드 장바구니
• 

  전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 11주차 예비

  8[2-4]9 Hyperlink \l "_Toc414807359" [3-1]10 Hyperlink \l "_Toc414807359" [3-2]10Ⅴ. ... Circuit(BJT Amplifier Circuit)지도교수 : 이 주 한 교수님실험조교 :실 험 일 : 2016년 5월 30일학 번 : 2012440이 름 : TOC \o "1-3" ... \l "_Toc414807357" [1-1]6 Hyperlink \l "_Toc414807357" [2-1]7 Hyperlink \l "_Toc414807357" [2-2]7[2-3]

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12

  다운로드 장바구니
• 

  전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 7주차 예비

  " [3-2]9Ⅴ. ... Circuit(Rectifier Circuit Design)지도교수 : 이 주 한 교수님실험조교 :실 험 일 : 2016년 5월 2일학 번 : 2012440이 름 : TOC \o "1-3" ... 1] 실험에 필요한 장비 목록을 작성하시오.함수발생기, 오실로스코프장비에 대한 설명의 위 목차에서 소개하였다.[3-2] 실험에 필요한 소자 목록을 작성하시오.다이오드, 저항마찬가지로

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12

  다운로드 장바구니
• 

  전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 8주차 결과

  gate에 음의 전압이 가해졌을 때 majority carrier인 홀이 oxide 층과 semiconductor 사이 표면에 축적되고 양의 전압인 threshold voltage 전 ... )에서의 IDS값을 측정하시오.구현해야 할 회로실제 구현 회로{VDS,VGS} = (5V, 3.5V)IDS[1-3] N-Channel MOSFET이 saturation 상태에서 전압-전류 ... Circuit(Basic MOSFET Circuit)지도교수 : 이 주 한 교수님실험조교 :실 험 일 : 2016년 5월 9일학 번 : 2012440이 름 : TOC \o "1-3"

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12

  다운로드 장바구니
• 

  전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 5주차 예비

  1]8 Hyperlink \l "_Toc414807359" [3-2]8Ⅴ. ... Operational Amplifier(Active-RC Filter)지도교수 : 이 주 한 교수님실험조교 :실 험 일 : 2016년 4월 11일학 번 : 2012440이 름 : TOC \o "1-3" ... 이를 만족하는 값들로 위의 회로를 구성하였다.Simulation (크기)Simulation (위상)[3-1] 실험에 필요한 장비 목록을 작성하시오.dc서플라이, 멀티미터장비에 대한

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12

  다운로드 장바구니
• 

  전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 10주차 결과

  gate에 음의 전압이 가해졌을 때 majority carrier인 홀이 oxide 층과 semiconductor 사이 표면에 축적되고 양의 전압인 threshold voltage 전 ... 1]10 Hyperlink \l "_Toc414807358" [3-2]19 Hyperlink \l "_Toc414807360" Ⅳ. ... Circuit(MOSFET Amplifier Circuit)지도교수 : 이 주 한 교수님실험조교 :실 험 일 : 2016년 5월 23일학 번 : 2012440이 름 : TOC \o "1-3"

  리포트 | 23페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12

  다운로드 장바구니
• 

  전자전기컴퓨터설계실험3(전전설3)12주차결과

  따라서 위 실험에서는 R3만 있기 때문에 gain에 큰 영향을 준다.3. ... 의해 gain값과 fH가 가장 영향을 많이 받는다는 것을 알 수 있었다.R3 = 1kR3 = 1[2-2] fL 및 fH 값을 검증할 수 있는 방법에 대하여 고려하고 이를 통해 성능을 ... 사실 R3는 negative feedback 역할을 수행주기 때문에 있어야만 하는 소자이지만 small signal 모델에서 capacitor를 병렬로 달아주지 않는 이상 이처럼 R3는

  리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09

  다운로드 장바구니
• 

  전자전기컴퓨터설계실험3(전전설3)4주차예비

  ■실험방법3개의 op-amp를 직접 납땝하고 dc파워서플라이를 이용하여 구동 전압 및 입력 전압을 넣어준다. ... Instrumentation Amplifier Circuit)지도교수 : 이 주 한 교수님실험조교 :실 험 일 : 2016년 4월 4일학 번 : 2012440이 름 : TOC \o "1-3" ... 마찬가지로 이상적인 증폭기의 모형이므로 v+= v−=vi 이고is = i+=i−= 0 가 성립한다.3. difference amplifier감산기로 불리는 회로의 모습이다.

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09

  다운로드 장바구니
• 

  전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 6주차 예비

  " [3-2]7Ⅴ. ... Circuit(Basic Circuit Analysis)지도교수 : 이 주 한 교수님실험조교 :실 험 일 : 2016년 4월 18일학 번 : 2012440이 름 : TOC \o "1-3" ... 사전보고서5 Hyperlink \l "_Toc414807357" [1-1]6[2-1]6 Hyperlink \l "_Toc414807359" [3-1]7 Hyperlink \l "_Toc414807359

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12

  다운로드 장바구니
• 

  전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 10주차 예비

  gate에 음의 전압이 가해졌을 때 majority carrier인 홀이 oxide 층과 semiconductor 사이 표면에 축적되고 양의 전압인 threshold voltage 전 ... 10[2-4]12 Hyperlink \l "_Toc414807359" [3-1]13 Hyperlink \l "_Toc414807359" [3-2]14 Hyperlink \l "_Toc414807359 ... Circuit(MOSFET Amplifier Circuit)지도교수 : 이 주 한 교수님실험조교 :실 험 일 : 2016년 5월 23일학 번 : 2012440이 름 : TOC \o "1-3"

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12

  다운로드 장바구니
• 

  전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 6주차 결과

  Circuit(Basic Circuit Analysis)지도교수 : 이 주 한 교수님실험조교 :실 험 일 : 2016년 4월 18일학 번 : 2012440이 름 : TOC \o "1-3" ... region을 형성하게 된다.이 depletion region의 전기장으로 인해 “전위장벽”이 형성되는데 예를 들어 1V를 정방향으로 전압을 넣어주었을 때 전위방벽이 0.7V 라면 0.3V만 ... 회로입력 전압 5V측정 전압 VD측정 ID0.0A0.95925mA1.205mA1.4503mA1.6967mA1.94345mA2.19055mA2.4383mA2.68565mA2.9337mA3.1821mA4.67775mA7.16675mA9.65945mA14.6506mA

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12

  다운로드 장바구니
• 

  전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 12주차 예비

  8 Hyperlink \l "_Toc414807359" [3-1]9 Hyperlink \l "_Toc414807359" [3-2]9Ⅴ. ... Circuit(Voltage follow Circuit)지도교수 : 이 주 한 교수님실험조교 :실 험 일 : 2016년 6월 13일학 번 : 2012440이 름 : TOC \o "1-3" ... \l "_Toc414807357" [1-1]6 Hyperlink \l "_Toc414807357" [2-1]7 Hyperlink \l "_Toc414807357" [2-2]7[2-3]

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12

  다운로드 장바구니
• 

  전자전기컴퓨터설계실험3(전전설3)2주차결과

  마찬가지로 6개의 표본을 토대로 데이터표를 만들어 보았더니 시뮬레이션과 비슷한 모양을 가짐을 알 수 있다.3. ... 계산은 아래에서 실제 측정값을 토대로 해보도록 하자.3. 자동 계산 measure 기능오실로스코프 자체에 measure라는 기능이 있다. ... 6[2-1]8 Hyperlink \l "_Toc414807359" [2-2]9[2-3]11[2-4]13 Hyperlink \l "_Toc414807360" Ⅳ.

  리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09

  다운로드 장바구니
• 

  전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 2주차 예비

  사전보고서 5[1-1] 5[1-2] 6[1-3] 7[2-1] 7[2-2] 7[2-3] 7[2-4] 7[2-5] 8[2-6] 9[3-1] 10[3-2] 10Ⅴ. 참고문헌 10Ⅰ. ... 여기서 또 보조방정식을 이용하여 식을 표현해보면 결론적으로 다음과 같은 식을 얻을 수 있다.02차 회로에서는 damping ratio에 값에 따라 3가지 제동이 존재한다. i(t)에 ... band-pass filter와 band-rejection filter 의 기능을 수행한다.보통 다음과 같은 전달함수를 통해 그 기능을 확인할 수 있다.2차 회로의 제동비는 크기에 따라 3가지의

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12

  다운로드 장바구니
• 

  전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 4주차 결과

  Instrumentation Amplifier Circuit)지도교수 : 이 주 한 교수님실험조교 :실 험 일 : 2016년 4월 4일학 번 : 2012440이 름 : TOC \o "1-3" ... 마찬가지로 이상적인 증폭기의 모형이므로 v+= v−=vi 이고is = i+=i−= 0 가 성립한다.3. difference amplifier감산기로 불리는 회로의 모습이다. ... 사진에서 보면 총 3개의 op-amp가 사용되었고 동그라미 부분에서는 두개의 저항을 연결하고 접지시켜 사용하기도 하지만 두 부분을 묶어 가변저항을 이용해 gain값을 조정하기도 한다

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12

  다운로드 장바구니
• 

  전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 1주차 예비

  사전 실험 4[1-1] 4[1-2] 5[2-1] 6[2-2] 6[2-3] 6[2-4]7[2-5] 8[3-1] 9[3-2] 93. 결과 분석 및 토론 104. 참고문헌 13Ⅰ. ... Pin 또한 전압 측정을 위한 것이 아니기 때문에 vpin을 사용하는게 아니라 크기는 vdb를 위상을 vphase를 사용해야만 한다.3. ... (파형을 위해서 PSPICE, Matlab, C, Excel, … 등의 프로그램을 사용하시오.)전압분배 : , 데시벨 : 20 = -3주어진 회로에서 전압 분배를 이용하여 다음과 같이

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12

  다운로드 장바구니
• 

  전자전기컴퓨터설계실험3(전전설3) 11주차결과

  보통 일반적으로 0.3V 정도의 값을 갖는데 따라서 위에 실험에서 보면 0.3V 이상의 값이 측정되었으므로 active 영역에 있다고 할 수 있다.세 번째로는 다이오드에서 볼 수 있는 ... 해당 ac신호의 크기가 0.1이어서 이 정도였지만 1볼트를 집어넣었을 때는 더 깎이는 모습을 확인할 수 있었다.3. ... Circuit(BJT Amplifier Circuit)지도교수 : 이 주 한 교수님실험조교 :실 험 일 : 2016년 5월 30일학 번 : 2012440이 름 : TOC \o "1-3"

  리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.03.22

  다운로드 장바구니
• 

  전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 8주차 예비

  gate에 음의 전압이 가해졌을 때 majority carrier인 홀이 oxide 층과 semiconductor 사이 표면에 축적되고 양의 전압인 threshold voltage 전 ... Circuit(Basic MOSFET Circuit)지도교수 : 이 주 한 교수님실험조교 :실 험 일 : 2016년 5월 9일학 번 : 2012440이 름 : TOC \o "1-3" ... Toc414807357" [0-1]6 Hyperlink \l "_Toc414807357" [0-2]6 Hyperlink \l "_Toc414807357" [1-1]7[1-2]9[1-3]

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12

  다운로드 장바구니
• 

  전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 9주차 예비

  gate에 음의 전압이 가해졌을 때 majority carrier인 홀이 oxide 층과 semiconductor 사이 표면에 축적되고 양의 전압인 threshold voltage 전 ... Toc414807359" [3-2]9Ⅴ. ... MOSFET Circuit(CMOS Inverter)지도교수 : 이 주 한 교수님실험조교 :실 험 일 : 2016년 5월 16일학 번 : 2012440이 름 : TOC \o "1-3"

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12

  다운로드 장바구니