"Thermal evaporator 단" 검색결과 101-106 / 106건

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  [디스플레이공학] 고분자 OLED재료의 최신 기술동향

  유기 단분자의 특성상 각 층은 고진공(10-6 ~ 10-7Torr) 상태에서 thermal evaporation을 통하여 형성되며 가능하면 한 층을 증착한 후 진공을 해제하지 않은 ... OLED의 구조 ............ 6(2) 단분자 OLED재료와 고분자OLED 재료의 비교a. 단분자 재료의 기술 현황과 장, 단점 ............ 8b. ... 단분자 재료의 기술 현황과 장 ? 단점OLED 소자 중에서 유기 단분자를 이용한 소자가 가장 먼저 연구되었으며 현재 상용화되고 있는 거의 유일한 구조이다.

  리포트 | 28페이지 | 2,500원 | 등록일 2004.11.17

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  [반도체] 스퍼터링

  Target의온도가 높으면 sputter yield가 증가하는데 그 이유는 어느 정도 thermal evaporation이 기여하기 때문이다.⑤ 튀어나오는 원자으며 Maxwell-Boltzmann ... ※sputter yield 특징① Sputter yield는 target 원소의 heat of evaporation에 의존하는데, heat of evaporation이증가하면 sputter ... 이 단분한 에너지가 target 원자에 전달되지만 cascade collision을 일으키기에는 에너지가 너무 적다.

  리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.12.08

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  [박막공학] Sputtering

  종류에는 Thermal and E-Beam Evaporation, DC-diode Sputtering, RF Sputtering, Trided Sputtering, Magnetron ... CVD 즉, 화학증기 증착법은 표면 촉매 반응으로써, 기체상이 화학적 반응을 하여 고체 산물 형태로 표면에 증착하는 방법으로 단결정, 다결정, 비결정질 구조를 가질 수 있다. ... d) 이밖에도 광화학 또는 광감성을 이용하는 PHCVD, e) 레이져를 이용하는 LCVD등이 있다.물리적인 방법은 PVD(Physical Vapor Deposition)으로써, evaporation

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.22

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  [해양오염] 해양유류오염방제

  항만 및 부속해에서의 조석한 쪽 끝단에서는 수면이 상승하고, 다른 쪽 끝단에서는 수면이 하강하는 상태가 번갈아 가면서 일어나는 복이 되고, 그 중앙부는 전혀 상하로 움직이지 않는 절이 ... 열오염(thermal pollution)8. 선박폐기물(shipboard wastes)9. 선저용 페인트(A/F paint)상기와 같은 오염물질로 인하여 해양이 오염 된다. ... 유출량에 따라 크게 다르며 기타 해상 기상조건 및 해면상태 등에 따라서 그 변화양상이 달라지게 된다.구체적으로는 다음과 같은 과정을 거친다. 1) 확산(Spreading), 2) 증발(Evaporation

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.01

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  [반도체공학] 반도체 제조공정

  반도체막 or 절연막을 형성 - 반응실의 압력에 따라 LPCVD(200~700mm Torr), APCVD(대기압 700mm Torr), HPCVD로 나뉘며 에너지 공급에 따라 THERMAL ... Bunny, 웨이퍼 카셋의 색깔을 달리 사용 - 칩 차원 = 구리를 확산방지막(Ta/Ta-N계, 실리콘 질화막)에 가두는 방법 DaessMetal Deposition - Evaporation ... 단결정 성장과정 공정중 필요한 요소 Poly silicon Dopant[그림1] Chuck poly [그림2] Granule poly [그림3] Quartz crucible [그림4

  리포트 | 29페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.01.02

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  [응용실험] N+P 다이오드 제작

  Evaporator로 Al을 입힌다.4) I-V 측정5) C -V 측정Potolithography(이 그림은 n형 기판이다.)앞장에서의 그림과 같이1) Si sample(P-type ... 단면적 A인 시료의 경우 접합부 양쪽의 전체적인 보상되지 않은 전하는qAx_p0 N_a = qAx_n0 N_d--------- (10)여기서x_po는 공간전하영역의 p형 물질속으로의 ... 실험 방법 과 절차실험 절차1) cleaning 한 wafer를 Potolithography 한다.2) 3 Zone tube Furnace를 이용한 diffsion을 한다.3) Thermal

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.12.22

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