"cvd 박막" 검색결과 101-110 / 110건

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  Sputtering의 종류와 메카니즘

  , step 또는 defect coverage가 좋다.- 박막 두께의 조절이 비교적 용이함- 진공증착에 비하여 보다 정확한 합금 성분 조절 가능- 여러 가지 다른 재료에서도 성막속도가 ... 가능하다.- 기판의 sputter etching으로 pre-cleaning이 가능하다.- O2, N2 등의 reactive sputter로 산화물, 질화물 박막의 형성이 가능하다.단점 ... 금속 박막의 제작 : 자성체 또는 전도성 박막의 제작2. 유전체 및 반도체 박막의 제작3. 전극 제작 : 전자 소자의 전극 형성4.

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.09.11

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  [재료공학실험] 진공, cvd, pvd

  이를 좀더 쉽게 이해하기 위하여 대기압을 우선 g으로 나타내보면,1기압은 = 76cmHg76cm인 수은주의 부피 = 1cm(수은주의 단면적) 76cm = 76cc76cc 13.6(수은의 ... Torr는 mmHg 와 동일한 단위이며, cmHg도 단지 mm를 cm로 표시한 것으로 같은 개념입니다.그러나 독일공업규격(DIN)에서는 mbar를 사용하고 있는데, 이는 대기압을 C ... 76cm의 높이를 항상 유지 하게된다는 것입니다.이때 유리관 위쪽에는 진공상태가 되는데 이를 "토리첼리 진공"이라 합니다.유리관 안의 수은주가 76cm가 되는 것은 수은주의 무게가

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.11.11

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  [반도체공학] 박막증착의 방법

  반도체기판상에 박막을 형성시키는 방법인 CVD는 기판표면의 배선.전극 등에 다른 종류의 가스와 고체 또는 가스와 액체의 화학반응에 의해 생성되는 박막 퇴적물질을 부착시키는 공정상의 ... (1) CVD : Chemical Vapor Deposition의 약어로 화학적기상성장법을 말하는데 반도체기판상에 화학반응을 이용해 실리콘(SiO⁴) 등의 박막을 형성시키는 공정을 ... 방법을 말한다. ◎ CVD 기술 및 특징 : CVD는 가스상의 화합물을 기판 위에 퇴적시키고, 기상 또는 기판표면 상에서 분해, 산화 등의 화학반응에 의해 박막을 형성하는 기술이며

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.05.08

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  [재료공학실험]hall effect

  Hall voltage를 측정하고 magnetic field(B)과 y-방향으로의 크기(박막의 두께) d를 알면 charge의 drift velocity vd를 알 수 있다. ... 힘을 받은 charge는 힘의 방향으로 움직이나 박막, 도선 등 제한된 크기의 물체내에 있는 charge의 경우에는 charge가 물체의 바깥으로 쉽게 나갈 수가 없으므로, 이들 경우에는 ... 또, drift velocity와 current density(단위 면적당의 current) J 사이에는(6)의 관계가 있어, Hall voltage의 측정으로부터 charge carrier의

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.06.03

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  [박막] 박막(thin film)

  대개 cold trap에 의한 제거, 흡수나 가스세정기(scrabber) 등을 통해서 수세, 중화 등을 하게 된다.4) CVD의 종류① PECVD(Plasma Enhanced Chemical ... Vapor Deposition)PECVD는 chemical vapor를 진공상태의 chamber에 주입하고, 전장을 형성하여 플라즈마를 유도하는 장치로 구성되는데 전장에 의해as ... 기상도금(chemical vapor deposition)과 구별하기 위한 명칭이며, 물리적 증발도금이라고도 말하며 진공 증착법(vacuum metallizing), 음극 스퍼터링(cathode

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.05.27

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  SOI MOSFET 의 Process Parameter 최적화에 관한 연구

  +VD1-2 Short Channel Effect해결책!! 도핑 두께를 줄이면, 면적에 비례하여 공핍층의 면적 또한 줄어든다. ... But 초 박막공정 으로 넘어가면 효과적으로 도핑두께를 조절하기 어렵다.1-3 SOI MOSFET (Silicon On Insulator MOSFET)장점 -효과적으로 도핑 두께를 ... gain (Beta) vs. collector current EXTRACT NAME=Beta EXPRESS=@I(Collector)/@I(Base) PLOT.1D IN.FILE=MDEX2FI

  리포트 | 24페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.29

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  [박막공학] CVD의 모든것

  )3170℃130℃400∼800℃2×10-1 Torr10∼40 sccm30∼60 sccm2. ... (c) 25 ㎛/hr.증착한 박막의 X-선 회절결과 증착속도가 1 ㎛/hr.이하로 느린 경우 TiN은 예외없이 (200) 우선방위를나타내었다. ... 같이 증착된 W 박막은 구조적으로 열적(columnar) 구조를 갖고 있으며, 200 nm 두께에서 20-40 nm 크기의 grain은 후속열처리(900 ℃)공정에 의해 50-70

  리포트 | 12페이지 | 4,000원 | 등록일 2002.07.20

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  [반도체공학] 전계효과 트랜지스터

  ⇒ enhancement Mode (일반적인 것)2 MIS-MOS가 drain 쪽이 반도체 단결정으로 이루어짐나 산화물, 절연물 첨가3 TFT(Thin Film TR)가 증착시킨 박막을 ... 바이어스 -VG의 영향은 채널의 저항을 증가시키고 보다 낮은 전류 값에서 핀치오프 를 유기 시기는 것이다.나 게이트 전압이 더욱 음으로 됨에 따라 핀치 오프 이하에서는 ID 대 VD ... 맞닿아서 채널이 거의 막힌 현상⇒게이트 전압을 핀치오프 전압이라 한다.나 역방향 전압 증가 ⇒ 공핍층 증가 ⇒ 채널 폭 감소 ⇒ 채널 저항 증가 ⇒ 전류감소{다 핀치오프가 일어나면 VD는

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.04.15

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  [반도체]열CVD 와 플라즈마CVD

  G.T.and Cheng.K.C : J.Heat Transfer. ... 후에 기술하는 바와 같이 분해 주파수 vd가 크게 되며 증착속도가 증가한다. 또한 H2기체는 SiH4기체에 비하여 열전도도가 약 1자리 만큼 높고 플라즈마의 안정화에도 기여한다. ... 또한 박막, 섬유, 분체, 벌크, 콤포지트등 다양한 형상의 재료가 얻어진다.

  리포트 | 35페이지 | 4,000원 | 등록일 2003.01.10

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  hall effect

  홀 전압을 측정하고 자기마당(B)과 y-방향으로의 크기(박막의 두께) d 를 알면 전하의 표류속도 vd 를 알 수 있다. ... Stormer, Daniel C. ... 기본전하량보다 더 작은 전하량이 존재함을 보여 준 분수양자 홀효과(fractional quantum Hall effect)의 실험에 의한 발견은 이제까지 알려지지 않았던 전자의 집단운동(collective

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.09.27

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