"etching" 검색결과 101-120 / 2,010건

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  부경대학교 VLSI 과제(CMOS 인버터) 실험보고서

  y=-5etch con x=10.5 y=1etch con x=11.5 y=1etch done x=11.5 y=-5etch oxide start x=18.5 y=-5etch con ... x=18.5 y=1etch con x=19.5 y=1etch done x=19.5 y=-5etch oxide start x=24 y=-5etch con x=24 y=1etch con ... y=-15etch alum start x=20.25 y=-10etch cont x=20.25 y=1etch cont x=22 y=1etch done x=22 y=-15etch alum

  리포트 | 16페이지 | 5,000원 | 등록일 2023.12.24

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  [재료기초실험]마그네슘, 중탄소강 미세조직관찰 - 미세조직검사

  일반적으로 저배육의 관찰에서는 조금 지나친듯한 부식(over etching)이 좋고 고배율의 관찰에서는 약간 부족한 듯한 부식이 좋다.부식 정도가 적당한 정도로 되면 시편을 흐르는 ... 2000번), 알루미나 및 polishing 장비3) 마운팅을 위한 재료(마운팅 프레스, 폴리코트, 레진(중탕소강) )4) 금속현미경, 조직을 촬영하기 위한 금속현미경 및 기타 장비5) Etching을 ... 있다.이 전해연마 방법은 시편을 양극으로 하고 납이나 스테인리스강을 음극으로 하여 전기를 통하면 시편의 관찰면에 있는 볼록부분에 전류가 집중되어 용해됨으로서 평평한 면을 얻 는 방법이 Etching

  리포트 | 8페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.04.18 | 수정일 2020.08.13

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  재료공학기초실험_광학현미경_저탄소강미세구조관찰

  이론적 배경(1) Etching? ... Dry etching? ... 결과[ Gringing 마친 시편 ][ Etching 후 곧바로 시편 관찰 ][ 과 Etching 된 시편 관찰 ][ Etching 후 일주일 정도 경과 후 관찰 ]4.

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.05.22

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  PDMS를 이용한 Micro pyramid 제작

  NH4F는 etch rate를 HF에 비해 etch rate를 1/20 정도 늦춰주는 완충제 역할을 하면서 etching의 균일성을 높인다. ... 후 oxide strip까지 하면 아래 그림과 같이 나오기 때문이다.2)SEM image를 보고 해당 이미지의 etching에 대해 설명Wet etching으로 (100) si wafer을 ... 플라즈마 식각, 스퍼터링, 반응성 이온 식각(RIE, Reactive Ion Etching) 등을 포괄하는 명칭에 가깝다.3.

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.08.03 | 수정일 2023.11.08

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  2020하반기TEL 합격자소서

  TEL은 ETCH, DEPO 장비의 기술력을 바탕으로 지속적인 성장을 해왔습니다. 이러한 기술력의 근원은 주인의식을 가진 TEL의 엔지니어로부터 시작된다고 생각합니다.

  자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.04.12

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  Semiconductor_Device_and_Design -5_

  Etch nitride Step 11. Deposit metal Step 12. Etch metal4. ... Etch oxide for pMOSFET Step 3. Diffuse n-well3. CMOS Step 4. Etch oxide for nMOSFET Step 5. ... Etch polysilicon and oxide Step 8. Implant sources and drains Step 9. Grow nitride3. CMOS Step 10.

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.06.22

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  [재료공학기초실험]광학현미경 조직검사

  , potentiostatic etching, magnetic etching, ion etching, thermal etching 등이 있으며 이 중에서 가장 많이 쓰이는 방법이 단순히 ... 그 방법과 원리에 따라 precipitating(deposit) etching, heat tinting, chemical etching, electrolytic etching, anodizing ... 부식액을 표면에 묻혀 부식시키는 chemical etching과 전해연마 같은 방법이나 낮은 전류(전압)로 상을 나타내는 electrolytic etching방법이 가장 많이 쓰인다.나

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.07.17

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  영문양해각서, MOU샘플, 미국회사와 반도체 식각 장비 구입 협상MOU샘플

  B hand over exclusive rights to semiconductor etching equipment to A.5. ... A and B cooperate in purchase of B’s product, semiconductor etching equipment.3. ... Memorandum of Understanding(MOU)for semiconductor etching equipment purchase.This MOU is made and entered

  서식 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.10.12 | 수정일 2024.06.23

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  신소재프로젝트 - 금속세션/금속재료의 회복 및 공정 결과보고서

  Etching액- 증류수 100ml- Hydrofluoric acid (40%) 2ml- Hydrogen peroxide (30%) 5ml다. 실험 방법압연 ? 연마 ? ... Etching광학적으로 grain의 크기, 상 등의 미세조직을 관찰하기 위한 전처리 과정7.beta 형 Ti 합금beta 형 Ti 합금은alpha +beta 형 Ti 합금보다 다량의beta

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.06.13

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  [A+] 성균관대 고역실 Microscope 레포트

  7. x500 Etching Sample Figure 8. x1000 Etching SampleFigure 4를 포함하여 다섯 장의 사진을 살펴보면, polishing과 etching을 ... , 1,000배율로 조절하여 시료 표면을 확대 촬영한 결과이다.Figure 5. x100 Etching Sample Figure 6. x200 Etching SampleFigure ... Polishing Steel Figure 4. x50 Etching SteelFigure 2~4는 각각 bare steel, polishing 후의 강, Etching 후의 강을 광학현미경으로

  리포트 | 12페이지 | 3,500원 | 등록일 2022.12.16

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  TEL(도쿄일렉트론코리아) FE 최종합격 자기소개서

  하겠습니다.TEL은 미세화 구현에 있어 Etching의 중요성을 인지하고 Etching장비 개발에 주력하고 있습니다. ... Etching장비에 전문성을 키우고자 반도체 기업에서 주관한 반도체 교육 프로그램과 NCS반도체/Etching공정 강의를 수강했습니다. ... (최소 100자, 최대 500자 입력가능)[고객 만족 실현 : Etching장비의 주치의]Etching장비 전문가로서 장비 문제에 발빠르게 대응해 고객이 TEL의 장비와 서비스에 만족하도록

  자기소개서 | 3페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.04.05

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  반도체 8대 공정 정리

  일반적으로 Wet Etching 은 등방성 , Dry Etching 은 이방 성으로 이분화시키지만 , Dry Etching 방식 또한 여러가지 방법이 있기 때문에 , 단순히 Dry ... 식각 공정의 종류에는 용액을 이용하는 습식 식각 (Wet Etch) 와 플라즈마를 이용하는 건식 식각 (Dry Etch) 가 있다 . ... Etching 이 무조건 이방성 식각을 한다고 볼 수는 없다 .

  리포트 | 56페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.06.09

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  [반도체공학실험]반도체 패터닝

  박막(2,3번 박막)Etching 과정을300W로 식각한 박막(4,5번 박막)V _{PR-Etching}(㎛/min)0.048650.08165V _{SiO _{2} -Etching ... }(㎛/min)0.073150.1072V _{PR-Ashing}(㎛/min)0.10620.09957Selectivity(V _{SiO _{2} -Etching}/V _{PR-Etching ... 이 산화막을 씌운 실리콘 웨이퍼에 감광액(PR)을 코팅하여 패턴을 새기면서 만들어진다.3) Etching gas (Ar,C _{2} F _{6},O _{2}) : Ar,C _{2}

  리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.08.28

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  삼성전자 반도체 직무 인턴 합격자소서

  1.삼성전자를 지원한 이유와 입사 후 회사에서 이루고 싶은 꿈을 기술하십시오. 700자 (영문작성 시 1400자) 이내최고를 위해 아낌없이 투자하고 연구하는 삼성의 도전적인 자세는 패키지 개발 엔지니어가 가져야 할 참된 태도와 같다고 생각합니다. 삼성은 여전히 세계 메..

  자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.12.03

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  삼성전자 반도체 직무 합격자소서

  1.삼성전자를 지원한 이유와 입사 후 회사에서 이루고 싶은 꿈을 기술하십시오. (700자 이내)[파운드리 사업 육성의 호기]예측 불가능한 D램 호황 사이클, 팹리스 업체 증가 추세 등 현 상황에서 삼성전자의 경쟁력을 키울 방안은 파운드리 사업을 육성하는 것입니다. 이 ..

  자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.12.03

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  삼성전자 반도체직무 합격자소서

  1.삼성전자를 지원한 이유와 입사 후 회사에서 이루고 싶은 꿈을 기술하십시오.학부시절, 반도체과목에 큰 흥미를 느꼈으며 반도체 엔지니어라는 꿈을 가졌고, 많은 회사 중 삼성에 가고 싶은 두가지 이유가 있습니다.[높은 도전과 개척정신].삼성그룹의 고유의 철저한 위기의식을..

  자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.12.03

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  인하대학교 집적회로공정(전자공학과) FINFET레포트

  이때 Fin구조를 형성할 때 사용되었던 mask layer와 dielectric layer를 제거한다.Etching 공정을 통해 절연막의 일부를 etch back하여 fin의 옆면이 ... Etching시 Si 기판이 노출될 정도로 etching함으로써 Fin사이에 있는 절연물질, gate dielectric layer, gate spacer가 앞 뒷면에 노출된다.마지막으로 ... PR과 mask layer를 patterning하며 RIE와 같은 etching공정을 이용하여 식각한다.

  리포트 | 5페이지 | 4,900원 | 등록일 2021.09.26

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  [신소재기초실험] 탄소강(SM45C)의 경도 측정 - 철강재료 열처리에 따른 미세조직 관찰

  S45C탄소강의 미세조직을 관찰하기 위한 기본적인 열처리를 한 후, Polishing과 Etching을 거쳐 광학현미경을 통해 미세조직을 관찰하고 경도를 측정한다.

  리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.04.30 | 수정일 2020.08.13

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  Patterning and treatment of SiO2 thin films 결과보고서 인하대학교 A+

  이는 etch profile이 증가함을 말한다. ... -[Xiao, Yu Bin/Evolution of etch profile in etching of CoFeB thin films using high density plasma reactive ... rate에 영향을 미치는데, RF power가 증가할수록 etch rate에 있어서 증가함을 알 수 있었다.

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.01.02

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  반도체 7개공정 요약본

  식각 10 /18 습식 식각 (wet etch) 건식 식각 (Dry etch) 방법 화학적 반응 물리적 , 화학적 반응 환경 / 장비 대기 , Bath 진공 Chamber 장점 1) ... WAFER 제조 Edge Rouding Lapping Etch CMP 4 /181. ... 저비용 , 쉬운과정 2) 식각속도 (Etch Rate) 가 빠르다 3) 선택비 (Selectivity) 가 좋다 .

  리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.12.06

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