"pspice mosfet" 검색결과 101-120 / 561건

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  실험15_전자회로실험_예비보고서_다단 증폭기

  실험회로 2의 전압 이득, 입력 임피던스, 출력 임피던스를 Pspice를 이용해 구하시오.입력 전류 그래프출력 전류 그래프- 실험에 대한 pspice 회로도 및 시뮬레이션 결과예비보고사항에 ... 각 단자들의 전압을 바탕으로 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하시오.포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 의 트랜스 컨덕턴스 값, 출력 저항 를 구하여 표에 기록하시오. ... 각 단자들의 전압을 바탕으로 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하시오.능동 영역에서 회로가 동작하는 경우 의 트랜스 컨덕턴스 값, 출력 저항 를 구하여 표에 기록하시오.

  리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.01.09

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  설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정 예비레포트

  회로도 구성 및 시뮬레이션 (OrCAD PSPICE)(A) OrCAD를 이용하여 그림 1의 회로도를 설계하여라.(2N7000/FAI 이용, 와 MOSFET 게이트 연결 시 점퍼 와이어 ... MOSFET 소자 특성 측정예비 레포트전자전기공학부3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산(A) Data Sheet를 이용하여 , 을 구하여라. ... 대신 1K옴 이하 저항 사용가능)(B) PSPICE를 이용하여 특성곡선을 시뮬레이션 하여라. (=5V를 이용하여 측정)(C)Triode영역에서 를 구하는 식이다.가 0보다 커진다는

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.03.09 | 수정일 2021.03.12

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  중앙대 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서(실험4)

  MOSFET 소자 측정 회로(B) PSPICE를 이용하여 iD-vGS특성곡선을 시뮬레이션 하여라. ... 회로도 구성 및 시뮬레이션 (OrCAD PSPICE)(A) OrCAD를 이용하여 그림 1의 회로도를 설계하여라. (2N7000/FAI 이용, VG와 MOSFET 게이트 연결 시 점퍼 ... (E) PSPICE를 이용하여 iD-vDS 특성곡선을 제출하여라.참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type→DC Sweep

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.08.18

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  A+ 전자회로설계실습_MOSFET Current Mirror 설계

  MOSFET Current Mirror 설계목적 N-Type MOSFET을 이용하여 특정 Reference 전류가 흐를 수 있는 단일 Current Mirror와 Cascode Current ... (RL=500 Ω으로 설계)PSPICE를 이용하여 시뮬레이션 하고, 시뮬레이션 값을 다음 표에 작성하라. (Bias Point로 설정하고 시뮬레이션한다. ... (RL=500 Ω으로 설계)PSPICE를 이용하여 시뮬레이션 하고, 시뮬레이션 값을 다음 표에 작성하라.SimulationSimulation2.35V4.88V2.35V10.3mA10.3mA

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.08.21

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  중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서8

  MOSFET Current Mirror 설계1. ... (D) ==10mA인 전류원을 OrCAD로 설계하여 회로도를 제출한다. (=500Ω)(E) PSPICE를 이용하여 시뮬레이션하고, 시뮬레이션 값을 다음 표에 작성하라. ... (B) = = 10mA 인 Cascode 전류원을 OrCAD로 설계하여 회로도를 제출한다. (=500Ω)(C) PSPICE를 이용하여 시뮬레이션하고, 시뮬레이션 값을 다음 표에 작성하라

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.03.10

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  전자회로실험 A+ 12주차 결과보고서(MOSFET Characteristics)

  PSPICE 사진실험(1):실험(2):실험(3):7. ... PSPICE 결과실험(1):[ID가 1mA가 되는 VIN 찾기, VIN=20.977->VGS=1.907V]실험(2):[VCC = 10V로 고정하고 VIN를13~21까지 1V 단위로 ... Measure the characteristics of MOSFET.4.

  리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.07.02 | 수정일 2023.07.25

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  MOSFET 증폭기 회로 예비보고서

  목적MOSFET를 사용한 소스기호. ... 예비 보고 사항1) 실험 회로 6-1에 대해 PSPICE를 이용하여수식입니다.V _{GS} -I _{D}관계 그래프를 그리고, 이로부터 문턱 전압수식입니다.V _{TH}와수식입니다.V ... CLP00004150000f.bmp원본 그림의 크기: 가로 307pixel, 세로 235pixel입력 전압출력 전압전압 이득-9.964m109.787m-114) 실험 회로 6-3에 대해 PSPICE를

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.01.12 | 수정일 2024.07.12

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  [전자공학응용실험] 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 결과레포트

  이것이 다른 원인들에 비해 유의미한 영향을 출력에 미쳤다.(2) 출력 전압의 크기가 왜곡 여부에 영향을 줄 수 있는 설계 요인들을 생각해보고, 그 원인을 분석하시오출력 전압은 각 MOSFET들이 ... 3)Pspice에서는 1.5V에서 2V에 걸쳐서 전류가 감소하였지만 실험에서는 1V에서 1.5V에 걸쳐 전류가 감소하였다.(4) 는 Pspice에서는 Vth 및 기타 소자의 특성이 ... 단, VDD 에 따른 전류에 관한 실험에서 Pspice는 3V에서 움직이기 시작하였는데 실험에서는 2.5V부터 전류가 흘렀고, 그 외 전류의 양 등은 실험과 비슷한 결과가 나왔다.(

  리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.12.19

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  [전자회로설계실습]실습8(MOSFET Current Mirror 설계)_예비보고서

  MOSFET Current Mirror 설계예비보고서제출자 성명:제출자 학번:1. ... 또한 를 만족시키기 위한 값을 구하여라.==10mA인 Cascode 전류원을 OrCAD로 설계하여 회로도를 제출한다.(=500Ω으로 설계)PSPICE를 이용하여 시뮬레이션하고, 시뮬레이션 ... 영역에서 동작하기 위한 조건은이므로이므로이 줄어도 를 조절하여 로 유지할 수 있기 때문에 상관없다.==10mA인 전류원을 OrCAD로 설계하여 회로도를 제출한다.(=500Ω으로 설계)PSPICE를

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.05.15

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  (22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 8. MOSFET Current Mirror 설계

  MOSFET Current Mirror 설계목적: N-Type MOSFET을 이용하여 특정 Reference 전류가 흐를 수 있는 단일 Current Mirror와 Cascode Current ... (RL=500Ω)(E) PSPICE를 이용하여 시뮬레이션 하고, 시뮬레이션 값을 다음 표에 작성하라. (Bias Point로 설정하고 시뮬레이션한다. ... (RL=500Ω으로 설계)(C) PSPICE를 이용하여 시뮬레이션하고, 시뮬레이션 값을 다음 표에 작성하라.SimulationSimulationVGS22.353VVO4.619VVGS44.705VIO10.76mAIREF10.76mA

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.02.12

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  실험 11_공통 소오스 증폭기 결과보고서

  )고찰 : PSpice그래프와 측정데이터로 만든 그래프가 비슷하게 나온 것으로 보아 실험이 잘 진행되었다는 것을 알 수 있다.3. ... 각 단자들의 전압을 바탕으로 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하시오. ... [표 11-1] 공통 소오스 증폭기의 DC 조건R _{D}값(PSpice 결과)R _{D}값(측정)V _{sig} 전압V _{G} 전압v _{o} (V _{D} ) 전압I _{D}

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.01.31

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  소오스 팔로워와 공통 게이트 증폭기

  각 단자들의 전압을 바탕으로 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하시오.실험회로 1PSpice 모델링PSpice를 사용하여 전압 그래프- 위의 그림과 같이 Vsig에 6V, ... 각 단자들의 전압을 바탕으로 MOSFET가 포화 영역에서 동작하는지 확인하시오.실험회로 2PSpice 모델링PSpice를 사용하여 얻은 전압 그래프- 위의 그림과 같이 Vsig에 0V ... 실험 개요MOSFET을 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중, 소오스 팔로워와 공통 게이트 증폭기에 대한 실험이다.

  리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.10.01

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  실험 13_공통 게이트 증폭기 결과보고서

  각 단자들의 전압을 바탕으로 MOSFET이 포화 영역에서 동작 하는지 확인하시오. ... )고찰 : PSpice를 사용하여 구한 입력-출력 전달 특성 곡선과 실험 측정값을 토대로 구한 전달 특선 곡선이 유사한 것으로 보아 실험이 잘 진행되었음을 알 수 있다.3. ... [표 13-1] 소오스 팔로워 회로의 DC 조건R _{D}값(PSpice 결과)R _{D}값(측정)V _{D} 전압V _{G} 전압V _{S} 전압I _{D} 전류동작 영역30kOMEGA

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.01.31

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  8. MOSFET Current Mirror 설계 예비보고서 - [전자회로설계실습 A+ 인증]

  (RL=500 Ω으로 설계)(E) PSPICE를 이용하여 시뮬레이션 하고, 시뮬레이션 값을 다음 표에 작성하라. (Bias Point로 설정하고 시뮬레이션한다. ... (RL=500 Ω으로 설계)(C) PSPICE를 이용하여 시뮬레이션 하고, 시뮬레이션 값을 다음 표에 작성하라.SimulationSimulationVGS22.346 VVO4.876 ... RL값이 줄어들어도 상관없는지 설명하라.MOSFET은 VGS – Vth VDS 일 때 Saturation 영역에서 동작하며 M1과 M2는 동일 MOSFET에 GATE와 SOURCE

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.05.02 | 수정일 2023.01.03

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  전자회로실험 실험1.Pspice 이론 및 실습 예비 보고서

  Pspice 이론 및 실습 예비 보고서제출자 성명학번학과학년분 반▣ 실험1. Pspice 이론 및 실습1. ... 기초이론2.1 SPICESimulation Program for Integrated Circuit Emphasis비선형 회로의 직류응답, 과도응답, 선형 교류 해석BJT, MOSFET ... 과제15.1 아래 직렬저항회로 Pspice 시뮬레이션하여 코드 및 결과 첨부

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.12.06

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  [A+결과레포트 전자회로설계실습]8. MOSFET Current Source와 Source Follower 설계

  그리고 동일한 MOSFET(2N7000/FAI)을 사용하였으므로, 임을 PSPICE 시뮬레이션 결과 얻었지만, 실제 실험을 한 결과, 값은 옴의 법칙에 의해 9mA로 계산 되었다. ... 즉, MOSFET소자의 오차와 저항의 고유 오차의 영향을 크게 받는다. ... Pspice 시뮬레이션에서는 두 전류의 값이 같았지만 실제 회로를 구현 한 결과, 두 전류는 0.27mA의 오차를 보였다.

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.11.26

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  [A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 시험 대비 자료 / 족보 , 01,02,03,04,05,06,07,08,09,10

  (B) 단계 3.2(a)에서 그린 PSpice schematic에서 입력저항을 10kΩ으로 변경한다. 피드백 저항을 구성하고 있지. ... (A) 센서의 Thevenin 등가회로를 구하는 과정을 기술하고 센서의 Thevenin 등가회로를 PSPICE로 그려서 제출한다.연립해서 저항 전압 구하기. ... 소자 특성 측정MOS Field-Effect(MOSFET) 소자의 특성 ( , )을 Data sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를

  시험자료 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.03.13 | 수정일 2024.03.20

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  공통 게이트 증폭기 [A+/고찰사항포함/결과레포트] 전자회로실험, 고찰사항

  실험절차 (2)에서는 4V일 때 오차가 17%로 매우 크게 나왔는데 이에 대해서는 위에서 서술한 것처럼 실험이 잘못되어서 발생한 오차가 아닌, 저항이나 DC 서플라이의 전압 오차, MOSFET의 ... 따라서 이상적인 상황을 가정하는 PSpice의 결과와 달리 오차가 17%정도 나온 것이다. ... PSpice 결과와 비교했을 떄 파형의 위상은 일치하지만, 진폭의 결과가 다르게 나왔음을 확인할 수 있다

  리포트 | 14페이지 | 81,000원 | 등록일 2021.06.19 | 수정일 2024.02.28

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  실험 12_소오스 팔로워 예비 보고서

  각 단자들의 전압을 바탕으로 MOSFET이 포화 영역에서 동작 하는지 확인하시오.실험절차 1을 위한 회로도[표 12-1] 소오스 팔로워 회로의 DC 조건R _{S}값(PSpice 결과 ... [그림 12-6] PSpice 모의실험을 위한 소오스 팔로워의 회로도[그림 12-7]은 소오스 팔로워의 PSpice 모의실험 결과이다. ... [그림 12-7] 소오스 팔로워의 PSpice 모의실험 결과5 실험 절차1.

  리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.01.25

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  공통 소오스 증폭기

  위의 PSpice를 통해 얻은 전압이득은 ? ... 모델링PSpice를 사용하여 얻은 입출력 그래프V _{sin}- 에서 6V의 DC 전압을 인가해주고, 0.01V의 AC 소신호 전압을 인가하여 입력 전압은 위의 초록색 선과 같이 ... V _{GS} -V _{th} )= mu _{n} C _{ox} {W} over {L} V _{OV}즉, 전류여 전압 이득, 입력 임피던스 및 출력 임피던스를 구하시오.실험회로 1PSpice

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.10.01

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