"pspice mosfet" 검색결과 121-140 / 561건

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  [전자회로실험]MOSFET 기본특성 결과보고서

  기본 특성실험 결과이번 실험에서는 NMOS의 경우에만 실험을 진행한다.(1) PSpice의 실험 결과수식입니다.R _{D}의 값이 약수식입니다.10 rm ohm이었다. ... [표 7-1] 실험 회로1의 DC 동작 조건수식입니다.R_C값(PSpice)수식입니다.R_D값수식입니다.V _{sig}전압수식입니다.V _{o}수식입니다.I _{D}전압동작 영역약수식입니다 ... .10 rm ohm수식입니다.10rm ohm6V6.48V0.45A포화 영역회로는수식입니다.V_DS전압에 따라 포화 영역에서 동작한다.수식입니다.V_o전압이 6.48V로 측정되어 PSpice

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.12.04

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  [전자공학응용실험] 차동 증폭기 기초 실험 결과레포트

  Pspice와는 Bias point가 많이 달랐지만, 최종적으로 입력에 따라 확장되는 전압이득과 Clipping현상은 Simulation한 바와 같이 나왔다. ... Current Mirror와 차동증폭기를 활용하여 각 MOSFET이 Saturation영역에서 동작하도록 Bias point를 잡고, 증폭되는 출력과 입력의 소신호를 크게 했을 때 ... 이 값과 흐르는 전류와의 곱이 input bias voltage가 되며, Current mirror의 두 MOSFET이 같다고 할 때, 증폭기에 흐르는 전류와 Current mirror의

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.12.19

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  [전자공학응용실험] MOSFET을 이용한 피아노_Term Project

  CircuitSimulation results by using PSpice ResultsSimulation results by using PSpice ResultsPhotographs ... Electronic Piano (Using MOSFET)Object This project aims to design an electronic Piano Using a 555-Timer ... Based on MOSFET knowledge learned in electronic circuit and electronic engineering application experiments

  리포트 | 17페이지 | 3,500원 | 등록일 2022.12.19

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  실험14_전자회로실험_예비보고서_캐스코드 증폭기

  이 경우 MOSFET의 각 단자들의 전압() 및 전류()를 구하고, 표에 기록한다. ... 실험회로 2에서 PSPICE를 이용하여 12V, , 가 되는 값을 결정하시오.PSpice(나머지 저항은 10kΩ으로 설정)5. ... 실험회로 1과 실험회로 2를 결합한 실험회로 3에서 PSPICE를 이용하여 를 구하고, 전압 이득을 구하시오.- 실험에 대한 pspice 회로도 및 시뮬레이션 결과예비보고사항에 기재한

  리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.01.09

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  MOSFET 기본특성

  [그림 8-15]는 PSpice 모의실험을 위한 회로도이다. ... MOSFET 기본특성1. 실험 개요MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소오스 단자. ... 실험회로 및 Pspice 시뮬레이션- NMOS[그림 8-13]은 NMOS의 전류-전압 특성을 측정하기 위한 회로이다.V _{sig} 전압을 0V부터 증가시킬수록 NMOS의 동작 영역이

  리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.10.01

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  실험 13_공통 게이트 증폭기 예비 보고서

  각 단자들의 전압을 바탕으로 MOSFET이 포화 영역에서 동작 하는지 확인하시오.실험절차 1을 위한 회로도[표 13-1] 소오스 팔로워 회로의 DC 조건R _{D}값(PSpice 결과 ... [그림 13-6] PSpice 모의 실험을 위한 공통 게이트 증폭기 회로도[그림 13-7]은 공통 게이트 증폭기의 PSpice 모의실험 결과이다. ... [그림 13-6]은 PSpice 모의실험을 위한 공통 게이트 증폭기 회로도이다.

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.01.25

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  [전자회로설계]pspice를 이용한 오디오 다단증폭기 설계

  Bipolar Junction Transistor(BJT)와 Field Effect Transistor(JFET/MOSFET)이 그것이다. ... Pspice 라이브러리에 있는 트랜지스터 중, 자주 쓰이는 트랜지스터를 선별하여 각각 전류 증폭률 비교 분석을 해서 설계에 필요한 부품을 설정할 수 있었고, 기본적인 BJT 회로에서

  리포트 | 19페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.06.24

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  서울시립대 전자전기컴퓨터설계실험3 예비레포트 8주차

  [1-1] 다음과 같은 N-Channel MOSFET 회로에서 VDS (0~10V)에 대한 IDS 그래프를PSPICE 등의 프로그램을 통해 구하시오. ... Web 상에서 필요한 정보를 찾아 보기 바랍니다[0-2] PSPICE 상에서 이러한 트랜지스터를 사용하여 회로를 Simulation 하기 위해서는해당 트랜지스터에329L (PMOS) ... MOSFET에서 VGS VTH이면 MOSFET에 전류가 흐르는 데, 특히 VDS> VGS – VTh일 때 MOSFET이 saturation 상태로 작동함을 알아보았다..Figure

  리포트 | 14페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.03.10

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  [A+] 중앙대 전자회로설계실습 예비보고서 4주차 MOSFET 소자 특성 측정

  회로도 구성 및 시뮬레이션 (OrCAD PSPICE)(A) OrCAD를 이용하여 그림 1의 회로도를 설계하여라. (2N7000/FAI 이용, RG=1 MΩ으로 설정)(B) PSPICE를 ... MOSFET 소자 특성 측정1. ... 설계실습 계획서3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산(A) Data Sheet를 이용하여 VT, kn을 구하여라.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.07 | 수정일 2021.04.16

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  [전자회로실험2]보고서5주차- MOSFET CS Amplifier

  [PSpice 시뮬레이션]시뮬레이션 회로ⅰ) f=1kHz일 때ⅱ) f=5kHz일 때ⅲ) f=10kHz일 때[시뮬레이션 결과표]시뮬레이션 실험결과V _{i[mV]f[kHz]V_0[mV ... [전자회로실험2] 보고서MOSFET CS Amplifier[실험목적]-MOSFET 증폭기의 바이어스 방식을 공부하고, enhancement-mode MOSFET을 이용한common ... [실험이론]-MOSFET의 특징->드레인 전류가 게이트 전압에 의해 제어되는 field-effect Tr 이다.MOSFET은 제작되는 방식에 따라 depletion mode와 enhancement

  리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.12.26

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  [전자회로실험2]보고서7주차- Two Stage Amplifier

  [PSpice 시뮬레이션][1. 시뮬레이션 결과(CS Amplifier 전압 이득A _{V1})]v_{i n}v_o1전압이득(A _{V1})18.592mV155mV8.34[2. ... M2 mosfet으로 전류가 흐르지 않기 때문에, 전체 전압이득은 M1 mosfet전압이득과 M2 mosfet 전압 이득의 곱과 같다. ... I _{x=} {V _{x}} over {R_{10}||R_11} , { V_x} over { I_x}=R_{10}||R_11 #R_{i}=R_{10}||R_11[실험방법]실험과정Mosfet

  리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.12.26

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  전자공학실험 13장 공통 게이트 증폭기 A+ 예비보고서

  이 경우 MOSFET의 각 단자들의 전압(VD, VG ,VS) 및 전류(ID)를 구하여, [표 13-1]에 기록하시오. ... 시뮬레이션 결과 vO=6V이고, 이때 RD=56.46kΩ이 된다.ㄴvin의 파형ㄴv_o의 파형위의 시뮬레이션은 PSpice를 이용하여 실험회로 1에서 RS=2kΩ, VDD=12V, ... 따라서 전압 이득의 크기=|Av|=vo/vin=0.24/0.003=80[V/V]이 된다.ㄴi_i의 파형ㄴi_o의 파형위의 시뮬레이션은 PSpice를 이용하여 실험회로 1에서 RS=2kΩ

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.04.09

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  [전자공학응용실험] 다단 증폭기(Multistage Amplifier) 결과레포트

  Discussions우선 실험에 앞서 Pspice를 통해 시뮬레이션했던 소자와 실제 사용된 MOSFET은 Vth와 gm의 값이 다르게 측정되었다. ... 증폭기 회로가 제대로 동작하려면 Saturation영역에서 MOSFET이 동작해야 하기에 소자의 차이와 인가하는 Vdc의 값이 바뀐 것으로 인해 소자의 값을 바꿔준 것이다.

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.12.19

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  중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 8_MOSFET Current Mirror 설계

  MOSFET Current Mirror 설계3. ... (D) ==10mA인 전류원을 ORCAD로 설계하여 회로도를 제출한다. (=500Ω으로 설계)(E) PSPICE를 이용하여 시뮬레이션 하고, 시뮬레이션 값을 다음 표에 작성하라. ... (B) ==10mA인 전류원을 ORCAD로 설계하여 회로도를 제출한다. (=500Ω으로 설계)(C) PSPICE를 이용하여 시뮬레이션 하고, 시뮬레이션 값을 다음 표에 작성하라.SimulationSimultion2.346V4.876V2.346V10.25mA10.25mA

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.03.05 | 수정일 2024.03.11

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  전자회로실험 결과

  내 추측으로는 PSpice에서 사용한 MOSFET소자가 실제 실험에 사용한 2N7000이 아닌 Mbreak 소자의 값을 변경시킨 거라서 그런 것이라고 생각한다.지금까지 오차의 원인을 ... 21.528kΩ, 21.299kΩ으로 측정되었고 2.4kΩ 저항은 2.37kΩ으로 측정이 되었다.실제 실험에서 사용한 저항들과 OFFSET 전압이 모의 실험한 것과 달랐기 때문에 PSpice로 ... 그래서 저항과 MOSFET 소자를 바꿨을 때도 제대로 측정이 안돼서 마지막으로 MOSFET 소자를 교체해봤는데 원하는 결과 파형을 측정할 수 있었고 전압이득이 1임을 보일 수 있었다

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.11.30

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  전자전기컴퓨터설계실험3 - 예비레포트 - 실험10 - MOSFET(CMOS Inverter) (A+)

  (나) NMOSNMOS는 N-type MOSFET으로 P-type의 실리콘 기판에 Source와 Drain이 N+로 도핑 되어있는 MOSFET이다. ... (다) PMOSPMOS는 P-type MOSFET으로 N-type의 실리콘 기판에 Source와 Drain이 P+로 도핑 되어있는 MOSFET이다. ... 그리고 사전보고서의 계산 값, PSpice Simulation을 수행한 값과 비교하시오.

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.11.26 | 수정일 2020.11.29

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  실험 18_증폭기의 주파수 응답 특성 예비보고서

  [그림 18-2] MOSFET의 고주파 모델MOSFET의 고주파 대역에서의 소신호 등가회로는 [그림 18-2]와 같이 나타낼 수 있다. ... [그림 18-3]은 [그림 18-2]에 나타낸 MOSFET의 고주파 모델을 적용한 공통 소오스 증폭기의 소신호 등가회로이다. ... FQP17P10(PMOS) (2개) (단，PSpice 모의실험은 FDC6322CP 사용)3 배경 이론[그림 18-1] 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기의 회로[그림 18-1]은

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.01.31

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  (전자회로실험)MOSFET기본특성 결레 레포트

  줄여서 MOSFET라고도 한다. ... 실험 결과 및 분석(1) PSpice를 이용한 모의실험 결과- N-MOS 소자는 IRF150을 사용하였습니다.1. ... 예비 보고 사항에서 PSpice를 이용하여 구한 값 부근에서R_D`값을 변화시키면서 찾으면 효율적으로 찾을 수 있다.

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.12.11

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  [전자공학응용실험] 차동 증폭기 기초 실험 예비레포트

  통해 확인하면 다음과 같다.아래는 이번 실험의 Pspice이다. ... 각 MOSFET은 Saturation영역에서 동작해야 하기에 VCM의 최소 최대값을 계산하면 다음과 같다.이 식의 Vov는 Overdrive 전압으로 VGS – Vth로 정의된다. ... 그러므로 출력값 또한 바뀌지 않는다.좌측의 그래프는 소신호 입력에 대한 전류의 변화를 나타낸 것이다.입력하는 신호의 크기의 비율에 따라 각 MOSFET에 흐르는 전류의 양이 다르다.

  리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.12.19

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  전자회로실험 A+ 13주차 결과보고서(MOSFET common source amplifier)

  실험목표1) To determine experimentally the drain characteristics of a MOSFET2) To measure the voltage gain ... of a MOSFET common source amp3) To study the purpose and the effect of the source degeneration2. ... PSPICE 사진실험(1):실험(2):실험(3):-R2 있을 때[VDD=5V일 때][VDD=7V일 때][VDD=9V일 때][VDD=11V일 때][VDD=13V일 때]-R2 없을 때[

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.07.02 | 수정일 2023.07.25

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