"wafer" 검색결과 101-120 / 195건

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  아사히다이아몬드의 다이아몬드와이어 개발스토리

  PC나 LED 등에 사용되는 실리콘 웨이퍼, 사파이어 기판은, 덩어리진 상태의 것을 얇게 절단 해 맊들어진다. 1997년 즈음까지, 주로 그 절단에는 ID브레이드로 불리는 다이아몬드 공구가 사용되고 있었다.그러나 와이어로 절단 하는 방법이 받아들여져 멀티 와이어 소라고..

  리포트 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.10.18

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  LG 실트론 합격 자소서

  회사 지원동기 및 희망 직무를 선택한 이유를 서술 하시오(2000 byte 이내)저희가 배우는 화학적인 지식이 가장 필요한 부분으로 공정 분야에서 크게 이바지할 수 있습니다."꿈틀대는 도전정신"차별화된 전략과 투명한 경영신념으로 시장환경을 변화시키며 꾸준히 성장 해온 ..

  자기소개서 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.06.20

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  반도체기술

  ◈ CH2 웨이퍼 공정* 구리배선기술반도체 금속배선에 있어 기존의 알루미늄(Al) 배선물질보다 낮은 전기저항 및 보다 좋은 전자이주 특성을 갖는 구리를 이용하여 금속연결선을 만드는 것?장점1) 생산비용 절감2) 신뢰도를 높일 수 있다3) 수율을 높일 수 있다4) 유해환..

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.03.28

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  Ideal 반도체 설계

  Ideal MOS Diode 설계1. 서 론1. 설계 과제MOS diode 의 특성을 이해하고, ideal MOS 구조를 설계하는데 필요한 Si 의 도핑농도와 metal electrode 를 설계한다.- Metal-SiO2-Si 을 이용하여 Ideal MOS diode..

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.12.03

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  반도체 제조공정 실습 REPORT

  반도체제조공정 실습 REPORT 신소재공학과 2013160015 김홍은반도체제조공정 실습 REPORT1. 실험목표- PVD 방법 중 하나인 Sputtering의 흐름에 대해 익히고 공정 조건변화에 따른 박막특성을 고찰2. 실험과정①Wafer 전처리 -> ②챔버 내 시편..

  리포트 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.03.13 | 수정일 2022.10.13

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  반도체 용어정리

  반도체의 용어정리반도체의 기본 공정반도체 3대 원재료: 웨이퍼, 마스크, 리드프레임웨이퍼 (wafer) : 반도체물질로 만들어진 얇고 둥근 조각. 이 위에 집적회로를 만들어 넣게 된다. 현재 우리회사는 실리콘 웨이퍼를 사용하고 있으며, 직경크기에 다라 4", 5", 6..

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.04.16

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  반도체 제조 공정

  이렇게 철사처럼 전류가 흐르는 물질을 도체라고 하고 유리처럼 전류가 흐르지 않는 물질을 부도체 라고 한다. 전기공학에서는 전기가 흐르는 정도를 전기 전도도 라고 한다. 따라서 도체는 전기전도도가 아주 크고 부도체는 전기전도도가 거의 0(제로)라고 할 수 있다. 그럼 반..

  리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.10.13

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  반도체 제조공정

  개요 반도체 제조 공정 사용되는 가스 및 성상pakaging Polysilicon creation Crystal pulling Wafer slicing Lapping pollishing Wafer Epitaxial processing Oxidation Layering ..

  리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.05.02

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  태양광 교육자료

  태양광 시장왜 태양광 산업이 각광 받는가? 태양전지 동작 원리 결정질 태양 전지 산업 Business Process 태양전지 TYPE 태양전지 재료비율 6. 실리콘 순도별 종류 및 가격 7. Poly Silicon 생산 전망 8. Poly Silicon ~ Cell 제..

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.12.21

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  사점굽힘시험법을 이용한 이종절연막 (Si/SiO2||Si3N4/Si) SOI 기판쌍의 접합강도 연구

  한국재료학회 이상현, 송오성

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  박막증착

  1. Experimental purposesYou can experience the principle of thin films deposition. You can also understand how to make a shadow mask. This experiment ..

  리포트 | 10페이지 | 4,900원 | 등록일 2015.09.15 | 수정일 2021.01.02

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  Back Grinding Process

  Back Grinding1. Back Grinding 란?Wafer 뒷면의 불필요한 막을 제거하고 필요이상으로 두꺼운 뒷면을 깎아 내어 저항을 줄이고 열전도율을 향상시키는 공정.2. Back Grinding 의 필요성- Sawing Operation 의 수월한 진행. ..

  리포트 | 18페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.06.19

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  반도체의 제조공정

  반도체 제조공정반도체는 어떻게 만드는가? 반도체 집적회로는 손톱만큼이나 작고 얇은 실리콘칩에 지나지 않지만 그 안에는 수만 개에서 천만개 이상의 전자부품들(트랜지스터, 다이오드, 저항, 캐패시터)이 가득 들어있다. 이러한 전자부품들이 서로 정확하게 연결도어 논리게이트와..

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.04.16

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  반도체 공정

  공정 (FAB processing) flow 2012. 09. 12 Novel TechAgenda 공정 Flow MPW/Pilot run 21. 공정 Flow Wafer 반도체를 만드는 토대가 되는 얇은 Si 판 . MASK 만들고자 하는 chip 의 물리계층 (lay..

  리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.01.17 | 수정일 2017.01.06

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  WLCSP 소개자료-1

  Seminar 자료1 Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 2 History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.01.18

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  Solar Cell

  Solar Cell태양은 매일 지구가 필요로 하는 에너지의 1만 배를 보내고 있으며 이는 지구상 모든 에너지의 원천이 되고 있다. 한편, 인간의 모든 활동에는 온실가스가 발생하고 있으며 특히 인위적인 CO2의 발생은 지구온난화의 주원인이 되고 있다. 온실가스 배출량을 ..

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.12.11 | 수정일 2014.08.20

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  비정질 자성박막의 제조 및 특징분석

  실험보고서제목 :비정질 자성박막의 제조 및 특징분석-Sputter 장비를 이용하여 실리콘 웨이퍼에 Tb박막 증착 및 XRD분석-과 목 명 :담당교수 :학 과 :성 명 :제출일자 :비 고 : 2조1. 실험목적‘Sputter’에 의한 박막증착 방법의 원리를 이해하고, Sp..

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.28

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  WLP 공정 소개 자료

  WLP PROCESSMicro Electronic Materials Semiconductor Environment Clean1. WLP [Wafer Level Package]란?최종 가공된 Wafer 상태에서 추가 공정을 하여 별도의 Packaging 공정을 하지 않더..

  리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.07.17

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  반도체 집적회로와 소자기술

  반도체 집적회로와 소자기술◆반도체 집적회로 기술반도체 집적 회로 기술이란 다수의 트랜지스터와 저항, 커패시터 등의 수동 소자를 하나의 반도체 칩에 구현하여 원하는 동작을 수행하는 회로를 제작하는 기술을 말한다. 한 장의 웨이퍼로부터 수십 개에서 수천 개의 칩이 반도체 ..

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.10.22

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  산화공정 (Oxidation)

  과목명마이크로팹 설계 실험성명 / 조박 준 영 / 4조실험제목Wafer Cleaning 공정산화 시간에 따른 SiO₂산화층 두께 비교실험목적1. Wafer Cleaning (Si웨이퍼 준비 및 세척)2. Thermal Oxidation (시간에 따른 SiO₂산화층 두께..

  리포트 | 22페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.05.10

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