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"전전설 실험" 검색결과 121-140 / 1,753건

  • 전자전기컴퓨터설계실험1(전전설1) (5) Matlab을 이용한 전기회로의 분석과 시뮬레이션
    실험 장비 (17)2. 실험 방법 (17)2.1. 실험 1 (17)2.2. 실험 2 (17)2.3. 실험 3 (18)2.4. 실험 4 (18)2.5. 실험 5 (18)2.6. ... 실험 6 (19)3. 실험 결과 (19)3.1. 실험 1 (19)3.2. 실험 2 (20)3.3. 실험 3 (23)3.4. 실험 4 (24)3.5. 실험 5 (25)3.6. ... 실험 이론2.1.
    리포트 | 28페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.08.29 | 수정일 2021.04.29
  • 전자전기컴퓨터설계실험3(전전설3) 11주차결과
    실험은 조건에 맞게 잘 설정되었고 해당 실험에서 이론적으로 얻을 수 있는 부분들을 실험을 통해 얻어낼 수 있었다.Ⅴ 참고문헌 (reference)1)각종 참고 사진Semiconductor ... 해당 실험에서는 Active영역에 있는지를 확인하는 것이 가장 중요했는데 이를 알기 위해서 해당 소자에 대한 조사가 충분히 이루어졌어야 하고 또한 실험 시에도 정확한 설계를 통해 해당 ... 오차율시뮬레이션 값전달함수측정값오차율시뮬레이션32.071.09%실제 실험31.724.
    리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.03.22
  • 전자전기컴퓨터설계실험3(전전설3)2주차결과
    결론실험 자체는 지난번과 마찬가지로 매우 간단한 실험이었는데 RLC 회로는 2차 회로이기 때문에 이를 ... 실험목적2 Hyperlink \l "_Toc414807352" Ⅱ. 배경이론 및 지식2 Hyperlink \l "_Toc414807356" Ⅲ. ... PostReport주 제: Lab#02 RCL Circuit지도교수 : 이 주 한 교수님실험조교 :실 험 일 : 2016년 3월 21일학 번 : 2012440이 름 : TOC \o
    리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09
  • 전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 6주차 결과
    결론가장 기초적인 Diode 회로 실험이었다. 첫 번째 실험에서 저항 하나와 다이오드 하나를 이용한 회로를 실험해보고 이를 해석하는 여러 모델들과 실제 값을 비교해볼 수 있었다. ... 실험 2에서의 오실로스코프 설정2-12-22번 실험의 경우 다이오드를 이용한 회로 특성의 결과값이 잘 얻어진 것을 확인할 수 있었다. ... 실험결과(Results)[1-1] 사전 보고서에서 계산한 값과 실험에서 측정한 값을 비교하시오구현해야 할 회로실제 구현 회로입력 전압 5V측정 전압 VD측정 ID2.19055mA(a
    리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12
  • 전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 10주차 예비
    gate에 음의 전압이 가해졌을 때 majority carrier인 홀이 oxide 층과 semiconductor 사이 표면에 축적되고 양의 전압인 threshold voltage 전 ... 실험장비 및 재료와 실험방법6 Hyperlink \l "_Toc414807360" Ⅳ. ... 실험장비 및 재료와 실험방법(Instrument & method)■실험장비 및 재료DC서플라이(DC supply)전압원과 전류원의 역할을 수행하는 기기로 보통 직류를 필요로 할 때
    리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12
  • 전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 12주차 예비
    실험장비 및 재료와 실험방법5 Hyperlink \l "_Toc414807360" Ⅳ. ... 실험장비 및 재료와 실험방법(Instrument & method)■실험장비 및 재료DC서플라이(DC supply)전압원과 전류원의 역할을 수행하는 기기로 보통 직류를 필요로 할 때 ... ■실험방법BJT 소자를 이용한 증폭기 회로를 구현하여 small signal에 따른 출력을 측정해본다.Ⅳ.
    리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12
  • 전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 6주차 예비
    실험장비 및 재료와 실험방법5 Hyperlink \l "_Toc414807360" Ⅳ. ... 실험장비 및 재료와 실험방법(Instrument & method)■실험장비 및 재료함수발생기 (Function Generator)함수발생기란 전자 신호인 파형을 발생시키기 위한 장치이다 ... 실험 목적 (Purpose of this Lab)Diode 소자를 이해하고 이를 이용한 기본 회로의 특성을 이해한다.Ⅱ.
    리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12
  • 전자전기컴퓨터설계실험3(전전설3)4주차예비
    실험장비 및 재료와 실험방법4 Hyperlink \l "_Toc414807360" Ⅳ. ... 실험장비 및 재료와 실험방법(Instrument & method)■실험장비 및 재료저항(register)전류의 흐름을 억제하는 소자를 말하며 저항에 전류가 흐르면 저항에 의하여 전압이 ... ■실험방법3개의 op-amp를 직접 납땝하고 dc파워서플라이를 이용하여 구동 전압 및 입력 전압을 넣어준다.
    리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09
  • 전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 3주차 결과
    실험이었다. ... 이번 실험에서 사용되는 DC파워서플라이의 전류 조정값실험 시 DC파워서플라이에서 돌릴 수 있는 커서를 이용해 전류와 전압을 동시에 조절할 수 있는 것을 알 수 있다. ... 결론Dc 신호를 이용하여 본 실험이고 회로 자체도 굉장히 단순한 회로였기 때문에 본 실험 목적인 add와 subtract를 알아보는데 있어서 큰 어려움 없이 결과를 알아볼 수 있는
    리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12
  • 전자전기컴퓨터설계실험3(전전설3)3주차예비
    실험목적 2Ⅱ. 배경이론 및 지식 2Ⅲ. 실험장비 및 재료와 실험방법 4Ⅳ. 사전보고서 5[1-1] 5[2-1] 9[2-2] 10[3-1] 11[3-2] 11Ⅴ. ... 실험장비 및 재료와 실험방법(Instrument & method)■실험장비 및 재료함수발생기 (Function Generator)함수발생기란 전자 신호인 파형을 발생시키기 위한 장치이다 ... ■실험방법납땜을 이용해 op-amp를 이용한 실험 회로를 구현하고 함수발생기를 이용하여 인풋 전압을 주고 오실로스코프를 이용해 결과를 측정한다.
    리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09
  • 전자전기컴퓨터설계실험3(전전설3)12주차결과
    실험은 조건에 맞게 잘 설정되었고 해당 실험에서 이론적으로 얻을 수 있는 부분들을 실험을 통해 얻어낼 수 있었다.Ⅴ 참고문헌 (reference)1)각종 참고 사진Semiconductor ... 요구 값을 만족시키지 위해서 시뮬레이션을 통해 해당 값을 얻어내고 실제 실험에서도 그 결과를 이용하여 실험을 하여 성공하였다. ... 위 실험에서도 보면 그 정도 값을 가지는 것을 볼 수 있다.4. 오차시뮬레이션 값전달함수측정값시뮬레이션0dB실제 실험-0.34dB4.
    리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09
  • 전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 10주차 결과
    gate에 음의 전압이 가해졌을 때 majority carrier인 홀이 oxide 층과 semiconductor 사이 표면에 축적되고 양의 전압인 threshold voltage 전 ... 해당 실험에서는 온도에 따른 MOSFET에 흐르는 전류 변화를 주고 그에 따른 RS의 용도를 확인할 수 있는 실험이었는데 RS의 Negative Feedback을 확인할 수 있었다. ... 이번 실험에 사용하는 MOSFET 소자는 대표적인 비선형 소자이고 증폭기 회로를 구성할 수 있는 소자이다.
    리포트 | 23페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12
  • 전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 11주차 예비
    실험장비 및 재료와 실험방법5 Hyperlink \l "_Toc414807360" Ⅳ. ... 실험장비 및 재료와 실험방법(Instrument & method)■실험장비 및 재료DC서플라이(DC supply)전압원과 전류원의 역할을 수행하는 기기로 보통 직류를 필요로 할 때 ... 이번 실험에 사용하는 MOSFET 소자는 대표적인 비선형 소자이고 증폭기 회로를 구성할 수 있는 소자이다.
    리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12
  • 전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 8주차 결과
    gate에 음의 전압이 가해졌을 때 majority carrier인 홀이 oxide 층과 semiconductor 사이 표면에 축적되고 양의 전압인 threshold voltage 전 ... 실험은 단순하게 특정 전압을 가하였을 때의 전류를 측정하고 이를 통하여 threshold voltage를 알아보는 실험이었다. ... 결론MOSFET을 이용한 기초 회로 실험으로 단순히 gate와 drain에 따른 해당 MOSFET의 특징을 알아볼 수 있는 실험이었다.
    리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12
  • 전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 5주차 예비
    실험장비 및 재료와 실험방법4 Hyperlink \l "_Toc414807360" Ⅳ. ... 실험장비 및 재료와 실험방법(Instrument & method)■실험장비 및 재료저항(register)전류의 흐름을 억제하는 소자를 말하며 저항에 전류가 흐르면 저항에 의하여 전압이 ... ■실험방법2개의 op-amp를 직접 납땝하고 dc파워서플라이를 이용하여 구동 전압 및 입력 전압을 넣어준다.
    리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12
  • 전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 7주차 예비
    실험장비 및 재료와 실험방법6 Hyperlink \l "_Toc414807360" Ⅳ. ... 실험장비 및 재료와 실험방법(Instrument & method)■실험장비 및 재료함수발생기 (Function Generator)함수발생기란 전자 신호인 파형을 발생시키기 위한 장치이다 ... 실험목적2 Hyperlink \l "_Toc414807352" Ⅱ. 배경이론 및 지식2 Hyperlink \l "_Toc414807356" Ⅲ.
    리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12
  • 전자전기컴퓨터설계실험3(전전설3)5주차결과
    회로의 구성은 생각보다 간단한 실험이었고 그 특성은 LPF였기 때문에 frequency response의 크기와 위상 특성을 얻을 수 있는 실험이었다.Ⅴ 참고문헌 (reference ... 실험목적2 Hyperlink \l "_Toc414807352" Ⅱ. 배경이론 및 지식2 Hyperlink \l "_Toc414807356" Ⅲ. ... 또한 앞서 실험해본 RC filter처럼 low pass filter 나 high pass filter 같은 성질을 갖는 회로를 구현할 수 있다.
    리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09
  • 전자전기컴퓨터설계실험3(전전설3)1주차결과
    결론이번 실험은 결론적으로 dc성분이 주어졌을 때 캐패시터의 역할과 교류신호가 주어졌을 때 low pass filter의 역할을 알아볼 수 있는 실험이었다. ... 실험목적2 Hyperlink \l "_Toc414807352" Ⅱ. 배경이론 및 지식2 Hyperlink \l "_Toc414807356" Ⅲ. ... PostReport주 제: Lab#01 RC Circuit지도교수 : 이 주 한 교수님실험조교 :실 험 일 : 2016년 3월 14일학 번 : 2012440이 름 : TOC \o "
    리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09
  • 전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 8주차 예비
    gate에 음의 전압이 가해졌을 때 majority carrier인 홀이 oxide 층과 semiconductor 사이 표면에 축적되고 양의 전압인 threshold voltage 전 ... 실험장비 및 재료와 실험방법5 Hyperlink \l "_Toc414807360" Ⅳ. ... 실험장비 및 재료와 실험방법(Instrument & method)■실험장비 및 재료DC서플라이(DC supply)전압원과 전류원의 역할을 수행하는 기기로 보통 직류를 필요로 할 때
    리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12
  • 전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 9주차 결과
    gate에 음의 전압이 가해졌을 때 majority carrier인 홀이 oxie 층과 semiconductor 사이 표면에 축적되고 양의 전압인 threshold voltage 전 ... 같은 회로에서(a) Drain 단자 전압 값(b) Source 단자 전압 값(c) 트랜지스터에 흐르는 전류 값을 측정하시오.GND 회로구현 회로Drain 단자 전압Source 단자 전압전류 ... 결론MOSFET을 이용한 CMOS 회로를 통해 inverter의 원리를 이해하는 실험이었다.
    리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12
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2024년 09월 15일 일요일
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- 국내의 사물인터넷 상용화 사례를 찾아보고, 앞으로 기업에 사물인터넷이 어떤 영향을 미칠지 기술하시오
5글자 이하 주제 부적절한 예)
- 정형외과, 아동학대