"AlGaAs" 검색결과 141-160 / 168건

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  [레이저] 반도체 레이저

  때문에이것을 방지 하기 위해서 latticematch를 시켜 주어야 한다...PAGE:10Lattice Matching.전극SubstrateBuffern-AlGaAsp-GaAsp-AlGaAs전극Active

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.18

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  나노기술에 대한 조사

  소자응용 분야나노 소자실리콘 계ㆍCMOS 소자ㆍ양자ㆍ단전자 소자ㆍ터널링 소자ㆍ메모리소자ㆍ시스템 LSI 소자ㆍSoC 소자ㆍ정보통신관련제품ㅇ 화합물반도체ㆍIII-V족 소자(GaAs, AlGaAs

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.04.09

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  [공과]발광소재 LED

  사용된 결과, 발광 다이오드(LED)는 풀컬러 디스플레이와 교통신호에 사용되게 되어서 발광 다이오드(LED)의 응용은 계속 넓어지게 되었다.현재 발광 다이오드(LED) 기술은 고휘도 AlGaAs

  리포트 | 27페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.06.12

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  LED (발광다이오드)

  방식이 있는데, 하나는 단일칩형인 InGaN의 재료로서 청색 및UV LED를 여기 원으로 해서 발광하는 방식이며, 다른 하나는 멀티칩형으로 발광색별(InGaN, AlInGaP, AlGaAs

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.30

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  [광통신]광통신 공학 실습

  .※ Direct bandgact bandgap 구조의 물질은 광원으로 사용하기에비효율적이다)※ 사용 파장대에 따른 물질의 선택※ GalnP, AlGaAs, InGaAs 등 물질의

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.01.13

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  광파이버센서의개론및응용

  2O2S]+YF3, 자외선/가시광 측정범위: -50~200℃, ±0.1℃광파이버 반도체 온도센서광파이버 반도체 온도센서 GaAs, CdTe 흡수광 파장변화, 광투과량 변화 발광소자 AlGaAs

  리포트 | 101페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.11.20

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  [공학]태양광 발전기 특성분석<The Generator Character Analysis of Photovoltaic>

  GaAs는 최적의 밴드갭인 1.45[eV]및 높은 광 흡수계수와 높은 이론 효율 치(39%)등의 장점과 In,Al등과 쉽게 합금을 형성하여 (InGaAs, AlGaAs) 밴드갭을 조절할

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.10.16

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  [led-ld-lcd-pdp] led-ld-lcd-pdp

  광통신시스템의 경우 긴 파장이 요구됨.GaAs, GaP, GaAsP, SiC, InSb, PbS, GaN, AlGaAs, InGaP※GaAs diode : 실온에서 1.4eV, 8900Å

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.17

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  반도체의 역사

  Alferov 연구진은 초기에는 격자정합이 좋지 않은 GaAsP/GaAs 계열의 이질구조를 사용하였으나, 나중에 보다 계면특성이 우수한 AlGaAs/GaAs 이중 이질접합을 도입함으로서

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.04.11

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  반도체 수업자료

  Rn 들은 화합물을 형성할 수 있기 때문에더이상 불활성 가스로 불려지지 않는다.4A족 : 반도체 성분 … Si, Ge, C3A족과 5A족 : 화합물 반도체를 형성 … GaAs, AlGaAs ... 손실이 최소가 되는 파장(8) PbSnTe 혹은 PbSnSe 시스템장파장용 5 ∼50 m에 달하는 포톤을 생성.7.3 가시광선용 LED 반도체(1) 적색용 : GaAsP, GaP, AlGaAs

  리포트 | 58페이지 | 2,000원 | 등록일 2002.11.11

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  [신소재]LED

  사용된 결과, 발광 다이오드(LED)는 풀컬러 디스플레이와 교통신호에 사용되게 되어서 발광 다이오드(LED)의 응용은 계속 넓어지게 되었다.현재 발광 다이오드(LED) 기술은 고휘도 AlGaAs

  리포트 | 30페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.05.24

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  [유기소재] 광학소재

  주요한 반도체 발광재료로는 1970년 저손실 실리카 광섬유이 개발이후 이루어진 광통신의 발전과 함께 발진 파장 830nm의 AlGaAs계열과 발진파장 1300nm~ 1500nm 의

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.30

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  [광통신공학] 광통신공학 (기말)시험자료

  레이저를 제작하기 위해서 사용될 수 있는 반도체물질을 선택하여라.반도체밴드갭반도체밴드갭GaInP1.82∼1.92InGaAs0.95∼1.24GaAs1.4InGaAsP0.73∼1.35AlGaAs1.4 ... 변화시킴으로써 넓은 범위의 Shift 를 가능하게 하는 장점이 있음③특징- 순방향 전압을 인가하면 광흡수스펙트럼 이 장파장쪽으로 Shfit하고 이에 따라 굴 절계수가 변하는 원리를 이용- AlGaAs

  시험자료 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.05.28

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  [나노] 나노기술

  MRAM포함) ㆍ시스템 LSI 소자 ㆍSoC소자 ㆍ광전자소자 --(수광,발광, 모듈소자, photonics) ㆍ디스플레이 ㆍ정보통신관련제품ㅇ 화합물반도체 ㆍIII-V족 소자(GaAs, AlGaAs

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.04.23

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  [디스플레이]디스플레이 - LED

  AlGaAs를 소재로 사용한 녹색 LED는 그동안 1%에 불과한 에너지 변환효율을 기록했던 백열전구보다 높은 수준을 구현하며 각광받았다.

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.03.25

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  [공업재료] 나노기술

  ㆍ폴리머ㆍ나노메탈나노입자나노박막나노벌크나노코팅나노소재ㆍ메모리소자 (MRAM포함)ㆍ시스템 LSI 소자ㆍSoC소자ㆍ광전자소자--(수광,발광, 모듈소자, photonics)ㆍ디스플레이ㆍ정보통신관련제품ㅇ 화합물반도체ㆍIII-V족 소자(GaAs, AlGaAs

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.11.30

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  [기술이론] 나노,바이오,정보통신 기술

  분야나노 소자실리콘 계ㆍCMOS 소자ㆍ양자ㆍ단전자 소자ㆍ터널링 소자ㆍ메모리소자ㆍ시스템 LSI 소자ㆍSoC 소자ㆍ정보통신관련제품비실리콘 계ㅇ 화합물반도체ㆍIII-V족 소자(GaAs, AlGaAs

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.09.20

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  [물리] 반도체에 대해서

  또한 갈륨비소(GaAS) 및 인듐인(InP) 과 같이 두 개의 원소로 만들어진 것과, 알루미늄갈륨비소(AlGaAs)와 같이 세 개의 원소와 갈륨인듐비소인과 같이 네 개의 원소로 만들어진

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.11.12

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  [태양전지] 태양전지

  에서 실용화 -GaAs는 최적의 밴 드갭(1.45eV) 및 높은 광 흡수계수와 가장 높은 이론 효율치(39%) 등의 장점과 In, Al등과 쉽게 합금을 형성하여 (InGaAs, AlGaAs

  리포트 | 34페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.04.29

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  [태양전지] 태양전지의 현상태와 전망

  GaAs는 최적의 밴 드갭(1.45eV) 및 높은 광 흡수계수와 가장 높은 이론 효율치(39%) 등의 장점과 In, Al등과 쉽게 합금을 형성하여(InGaAs, AlGaAs) 밴드갭을

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.03.07

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