"epitaxy 공정" 검색결과 141-160 / 223건

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  반도체 소자의 기초

  형성된 특별한 테스트소자 테스트 다이는 공정중의 품질관리를 위해서 만들어진다. ... 따라 폴리시드(Polished)웨이퍼, 에피텍시얼(Epitaxial) 웨이퍼,SOI 웨이퍼 등으로 구분된다 제조방법-다결정 실리콘을 높은 온도에서 녹여 액체 상태로 만들었다가 서서히 ... 등 다양한 형태의 Device를 만드는데 이용된다 웨이퍼는 원재료에 따라 실리콘(Silicon) 웨이퍼, 게르마늄(Ge)웨이퍼, 갈륨비소(GaAs) 웨이퍼등으로 구분 웨이퍼는 추가공정에

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.10.23

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  [금속공학]건식증착법

  변화이기 때문이다.CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy ... Sputtering), 전자빔증착법 (E-beam evaporation), 열증착법 (Thermal evaporation), 레이저분자빔증착법 (L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy ... 이러한 공정을 반응성 스퍼터링(Reactive sputtering )이라고 한다.(2) 이온주입법

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.04.30

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  PVD와 CVD

  원소들을 가속시킨다 Atomic Layer Deposition (ALD) 개별 원자를 여러 층에 걸쳐 증착하는 기술로 막의 박층화 및 미세구조화에 따라 최근에 각광을 받고 있다에피텍시(epitaxy ... Photo CVD 저온공정(Si₃n₄: photo nitride) De 모든 파장을 커버할 수 없기 때문에 일부 재료에서만 사용가능Plating 열속도보다도 큰 운동에너지로 가속된 ... ) 공정 기판 웨이퍼 위에 같은 방향성을 갖는 단결정 막을 기르는 기술 호모에피텍시(homoepitaxy) :성장되는 결정이 기판 결정과 같은 물질인 경우 헤테로에피텍시(heteroepitaxy

  리포트 | 22페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.10.27

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  나노란 무엇인가?

  분자 조작기술, 3D 나노기술, 나노 조립기술, 나노 리소그라피 양자기능소자, 나노 칩, 스핀트로닉스, 전자광자학, 나노구조화 액정 나노소자 기능해석, 분자 전자공학, 미세입자 제어공정 ... 나노소자 제작에 활용될 수 있는 핵심 기술로 평가해외 기술동향구조들은 얇은 나노벽들의 무작위한 패턴 위에 성장된 나노전선(Nanowire)들로 구성나노벽들과 나노와이어들은 에피(Epitaxy ... grain size Many grain orientations Better adhesionZnOArArO2+O2 plasmaZn, O2 , O2++Ar gasMolecular-beam epitaxy10

  리포트 | 27페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.02.13

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  [공학기술]박막

  구조의 성장기본적인 epitaxy 과정의 개념도. ... ALD가 두각을 나타내게 된 것은 최근 산업이 소형화 집적화가 이루어지면서 공정에서 작은 소자가 필요하고 작은 소자를 만드는 또 하나의 공정이 필요하게 되었다. ... MBE)분자 빔 에피택시 (MBE)초고 진공 상태의 적정온도에서 결정 작용으로 생긴 표면과 반도체 성층을 구성하는 요소의 분자 빔 사이의 작용에 의해 반도체 성층을 성장 시키는 방법.Epitaxy-결정

  리포트 | 38페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.05.23

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  cvd 와 pvd의 특징과 비교

  MOMBE라고 Metal-Organic Molecular Beam Epitaxy인데 원료를 Metal-organic 소스를 써서 PVD와 같이 열이나 전자빔, 레이저 등으로 날려보내서 ... Sputtering), 전자빔증착법 (E-beam evaporation), 열증착법 (Thermal evaporation), 레이저분자빔증착법 (L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy ... PVD 공정의 개요PVD(물리 기상 증착) 공정의 정의는 생성하고자 하는 박막과 동일한 재료(Al, Ti, TiW, W, TiN, Pt 등)의 입자를 진공 중에서 여러 물리적인 방법에

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.10.14

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  화학적 기상 증착법 (Chemical Vapor Deposition,CVD) (친절한 설명과 핵심적인 내용을 논문 형식으로 작성)

  결론박막 증착하는 방법에는 크게 물리 기상 증착법과 화학 기상 증착법, 그리고 분자 빔 결정법(Molecular Beam Epitaxy) 등이 있는데, 위에서는 CVD 공정에 대해서 ... CVD 공정은 다른 박막 증착 공정보다 순도가 높고 대량생산이 가능하며이다. ... (그림 1.~5.) [1,2,11]2.3 CVD 공정의 특징 및 장점CVD 공정은 현재 상업적으로 이용되는 박막 제조기술로 가장 많이 활용되고 있으며 특히 IC등의 생산 공정에서는

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.17

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  LED

  LED의 제작공정이 갈수록 복잡해지고, micro 영역을 넘어서 nano scale로 진 ... LED의 대표적인 재료, 파장 및 제조기술3) 에피성장 기술- Epitaxy는 epi(on)와 taxy(arrangement)의 합성어로서 기판위에 동일한 격자구조를 갖는 박막을 물리적 ... p-GaN 전극 접촉 상으로 방출되는 파장을 고려한 이론적설계를 바탕으로 나노형상의 주기적 패턴을 형성하여 적용되고 최적 설계의 PBC 패턴을 형성하기 위해서 주로 LED 소자의 제조공정에

  리포트 | 51페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.29

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  [박막공학]박막공정

  박막 공정 과정 이 외에도 부가적인 공정으로 도금, 드릴링(drilling), 다이싱(dicing), 트리밍(trimming) 등이 있으나 박막 제조 공정을 의미하지 않음. ... 박막 공정(Thin Film Process)목 차개요 박막 증착 물리 기상 증착법 화학 기상 증착법 분자 빔 결정법개 요박막 공정의 정의 박막 증착과 포토리소그래피 기술을 이용하여 ... 증착법(Physical Vapor Deposition, PVD) 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD) 분자 빔 결정법(Molecular Beam Epitaxy

  리포트 | 43페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.12.29

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  CVD&PVD

  Sputtering), 전자빔증착법 (E-beam evaporation), 열증착법 (Thermal evaporation), 레이저분자빔증착법 (L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy ... 화학적 기상 성장을 이용하는 박막 성장 공정으로 현재 공업적으로 확산되어 지금은 여러 박막제조공정에 이용되고 있다. ... 그러나 일반적으로 이 방법을 이용하여 실용성이 높은 박막을 만들 때 에는 아주 고온을 필요로 하게 되는데 그렇게 되면 공정상 고온을 생성하는데 공정상 어려움이 많게 되고 플라스틱이나

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.01

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  반도체의 역사

  밝힘 Si은 전기적 절연성이 뛰어나고 안정된 구조의 자연산화물 (SiO2) 형성이 가능할 뿐만 아니라 Si-SiO2 계면특성이 우수하기 때문에, 묘화, 식각, 확산 등의 평면 단위공정에 ... 의하여 개발됨.이질접합은 서로다른 밴드갭 에너지를 가지는 2종류의 화합물반도체를 원자적으로 급격한 계면을 가지도록 한층한층 쌓은 구조로서, 보통 MBE (Molecular Beam Epitaxy

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.12.08

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  수직 공진형 표면 광 레이저(VCSEL)

  발광 다이오드와 같이 표면 방출형이면서 주위 환경으로부터 견고하며 집적 회로의 공정과 비슷한 비용으로 생산과 시험이 가능하다. ... 이런 구조는 대부분의 경우 MBE(molecular beam epitaxy)나 MOCVD(metalorganic chemical vapor deposition)공법으로 단결정의 형태로

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.28

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  자기소개서(전자)

  졸업 후 길지 않는 시간이지만, Epi Engineer 연구원으로서 생산의 공정Process 에서 품질(品質)향상, 수율관리(Yield Control) 그리고 개발에 필요한 모든 업무를 ... Semiconductor)인 GaP(Galllium Phosphide) Meterial을 이용한 가시광선(Visible Wavelength)영역의 YG(Yellow Green) Color LED 용 Epitaxial

  자기소개서 | 2페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.12.08

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  반도체 용어 정리

  어떤 조건에서는 화합물 반도체의 결정을 에피택셜 성장(epitaxial growth)시킬 수도 있다.* CVD (Chemical Vapor Deposition)박막을 제조하는 기술은 ... 반도체 공정이나 유사 반도체 공정에서 낮은 온도에서 산화막 형성이 필요한 경우 주로 사용하는 공정이며, 좋은 수율을 얻기 어려운 단점이 있다.일반적으로 cold wall형과 hot ... 요소 프로세스 중의 한 공정이다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.23

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  SiO2 박막의 식각 및 PR 제거_예비

  Crystal Growth: Epitaxial Silicon Wafer Growth? ... 이러한 공정 가운데서 중요한 공정은 박막의 식각공정으로서 마스크 패턴을 가지고 증착된 박막을 식각하는 것이다. ... 실험목적여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 세 가지 공정으로 나눠지는데 첫째로 증착공정 둘째로 마스크의 패턴형성 그리고 셋째로 식각공정으로 나눠진다

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.11.07

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  반도체공정(CVD)

  Epitaxy; single crystal Si Layer on wafervapor phase epitaxy (VPE) - Siliquid phase epitaxy (LPE) - 화합물 ... 반도체molecular beam epitaxy (MBE)Gases and process parameter for silicon epitaxy under H21) SiCl4(1) HCl ... < IC Technology & Fabrication >소속 : 재료공학부학번 : 1996013900이름 : 최 류 탄1999년도에 제작된 반도체 CVD공정에 관한 수업내용이기 때문에

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.10.13

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  SOI와 TFT 기판제작방법

  특징으로 하는 ELTRAN (Epitaxial Layer TRANsfer) 기술 등이 이에 해당한다.1-2. ... TFT 기판 제작장법TFT 공정은 반도체 제작 공정과 매우 유사하며, 증착공정(deposition) 및 사진식각공정(Photolithography), 식각공정(Etching)을 반복하여 ... ELTRAN 공정 (Canon)ELTRAN 의 공정 순서도를 그림 7 에 나타내었다.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.09 | 수정일 2018.11.24

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  [반도체] 단결정 성장

  방법종 류 : 1) 염화 수송법① 할로겐 화합물 공정 (Halide process)② 수소 화합물 공정 (Hydride process)2) 금속 유기물 기상 에피택시(MOVPE). ... ..PAGE:1단결정 성장조원 :..PAGE:2반도체 제조 공정반도체에 단결정이 사용되는 이유결정 성장이란? ... )㉠ 기상 에피택시(Vapor Phase Epitaxy)㉡ 액상 에피택시(Liquid Phase Epitaxy)㉢ 분자선 에피택시(Molecular Beam Epitaxy)5) Application차

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.06.08

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  [반도체공학]박막증착

  {기본공정세부공정종류박막형성(deposition)화학기상증착(CVD)열증착(evaporation)스퍼터링(sputtering)에피성장(epitaxy)산화(oxidation)노광전사( ... 표면미세가공법의 기본공정은 표 1에 정리한 바와 같이 박막을 형성하는 공정, 리소그라피를 통해 패턴을 박막 위로 전사하는 공정, 박막 위에 전사된 미소기계를 가공하는 공정, 그리고 ... 미소기계 소재의 물성을 조절하기 위한 전·후 처리공정 등 크게 4가지로 구성되며, 각 기본 공정마다 다양한 종류의 세부공정이 존재한다.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.23

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  [공학]CVD

  CVDCVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy ... 증착이 가능하다.간단하게 말하면, CVD법은 기판에 증착될 때 원료물질들이 PVD처럼 들러붙는다기 보다는 화학반응을 일으켜서 고체 상태로 변화하는 것이다.PVD와 CVD 모두 반도체 공정이나

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.05.17

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