"epitaxy 공정" 검색결과 121-140 / 223건

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  deposition 방법

  공정상의 뚜렷한 차이점은 PVD는 진공 환경을 요구한다는 것이다. 반면에 CVD는 수십~수백 torr 내지는 상압의 환경에서도 충분히 가능하다. ... Deposition)CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.05 | 수정일 2013.12.01

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  [공학]PVD (Physical Vapor Deposition)

  Sputtering), 전자빔증착법 (E-beam evaporation), 열증착법 (Thermal evaporation), 레이저분자빔증착법 (L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy ... 있다.열증착법 (Thermal evaporation)의 특징은 간단히 말해서 열을 올려 증착시키는 방법이 특징이다레이저분자빔증착법 (L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy ... Laser Deposition) 등이 있다.특징스퍼터링 (Sputtering)의 특징은 플라즈마를 이용하여 표적제(금속)등을 작은 나노입자 들로만들어서 그것을 이용하여 코팅이나 기타공정을

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.05.18

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  LED 개요 및 제조 공정

  , 녹, UV), InAlGaP(적, 황), AlGaAs (적, IR)LED 칩RGBOY 형광체백색 LED패키징LED 모듈/시스템 자동차용램프, BLU, 간접조명…패키징에피성장 (Epitaxy ... LED 제조 공정 및 기술Introduction LED 개요 및 이론 LED Epi 성장 기술 LED 소자공정 기술 LED PKG 기술Introduction반도체 산업 영역 분야III ... 기술LED Chip 제작 공정GrindingLappingPolishingScribingBreakingFab-out waferLED Chip 후공정LED Chip Technology

  리포트 | 29페이지 | 5,000원 | 등록일 2008.07.24 | 수정일 2016.11.16

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  진공과 진공펌프에 대해서~

  실험해야 하는 것이다.CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy ... Sputtering), 전자빔증착법 (E-beam evaporation), 열증착법 (Thermal evaporation), 레이저분자빔증착법 (L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy ... "ㄱ"자로 꺽여 있다 하여 앵글 밸브라 하며 주로 공정용 챔버 벽면에 연결되고 "ㄱ" 자로 꺽여 벨로우즈 혹은 배기 펌핑관과 연결된다.② Gate Valve게이트 밸브는 진공 챔버나

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.08.17

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  반도체의 제조공정

  , Epitaxial 성장공정에서 Wafer Edge부에 Si가 이상 성장되는 Crown현상으로 인한 Photo Mask손상, 전사 Pattern의 얼룩 등 Device수율 저하요인을 ... , Wafer의 형상에 대한 정확한 치수, 마이크로 Chip등 쉽게 식별되지 않는 결함들을 이공정에서 검사를 통해 걸러내어 후공정으로 흐르지 않게 하고 Slicing공정에서 발생시키는 ... 이후 세정, Edge Grinding 공정등을 거치면서 발생되는 결함들 중 Broken이나 Indent등 육안으로 쉽게 식별되어지는 것들에 대해서는 각 공정에서 Scrap 처리되나

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.08.06

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  [반도체]반도체공정과 관련된 ppt자료

  test → Sawing →Die Bonding → Wire Bonding →Molding검사공정..PAGE:5Epitaxial Silicon Wafer GrowthCZ 또는 FZ ... 방법으로 Epitaxial wafer를 성장시킨다...PAGE:6Slicing절단에서는 실리콘 단결정 봉을 Wafer, 즉 얇은 슬라이스로 변형시키는 공정...PAGE:7Wafer ... 공정→ Package 공정→ 검사 공정SOC Design..PAGE:3IC Design상품 설계→소비자의 수요에 맞게 상품 설게기능 설계→설계가 올바르게 되었는지 Simulation을

  리포트 | 23페이지 | 10,000원 | 등록일 2006.08.08 | 수정일 2017.10.10

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  [반도체공학]반도체 공정

  이렇게기판 웨이퍼 위에 같은 방향성을 갖는 단결정 막을 기르는 기술을 에피택셜 성장(epitaxialgrowth) 또는 에피택시(epitaxy)라 한다. ... CZochralski(CZ)성장법■ Epitaxy- 소자에의 응용을 위한 결정성장방법 중의 하나는 단결정으로 이루어진 웨이퍼 상에 얇은박막결정을 성장시키는 것이다. ... (molecular beam epitaxy; MBE) 등이 있고 이러한 성장방법들에 의해 Si과 GaAs를 포함하는 광범위한 반도체 박막 결정들이 키워지고 있다.

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.04.05

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  LED 열역학 설계 프로젝트

  현재까지도 내부양자효율이 최고 50%대에 머물러 있기 때문에 LED 기술적 발전를 위 해서는 저가형 호모기판이 불가피한 것으로 보이며 기존의 HVPE(hidride vapor phase epitaxy ... 지금 우리 나라 컨버터 기술이 뛰어나지 않아 공정가격이 올라가므로 아직까지는 상용화에 걸 림돌이 되고 있다. ... 이 컨버터를 장시간 이용하더라도 공랭식을 이용하는 냉각 효과를 극대화 하 는 방안을 찾아보고 냉각기에 대한 공정의 비용을 조금이라도 절감을 해야 할 것이다.명지대 기계공학부개선사항▶

  리포트 | 25페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.19

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  차세대 메모리

  Epitaxial film growth of ferroelectrics 4. ... 구조 및 제조공정이 기존의 DRAM과 유사하기 때문에 제조비용이 상대적으로 저렴하다. 저전력으로 동작한다. ... 현재 삼성전자가 세계 최초로 4M FRAM을 개발. = FRAM에 사용되는 주요 재료로서 PZT 막은 대부분 Sol-Gel 이라는 간단한 제조공정을 사용하여 입히고 있다.

  리포트 | 25페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.10.27

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  [반도체공정설계] Silvaco사의 T-CAD를 이용한 BJT설계 (Bipolar Junction Transistor)

  x=17 y=1etch done x=17 y=-10diffuse time=100 temp = 1000 c.phosphor=1.0e19etch oxide all3) n-epi 생성EPITAXY ... T-CAD를 이용한 BJT설계(설계기간 : 2010년 5월 14일 ~ 2010년 5월 28일)2010년 5월 28일 ○○○, ○○○, ○○○, ○○○○○대학교 전기전자공학부 반도체공정설계목 ... 설계 주제Process Simulator ATHENA와 Device Simulator ATLAS를 이용하여 BJT설계한다.BJT소자에 대한 이해를 바탕으로 npn BJT 공정을 통해서

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.12

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  박막재료와 그 증착공정의 종류

  또한 박막 증착 공정은 반도체 제조 공정 중의 하나로써 크게 보면 세정공정, 열처리 공정, 불순물 도입공정 다음으로 이루어지는 프로세스 이다. ... 진공증착장치의 기본구조④ 레이저분자빔 증착법(L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy)⑤ 펄스 레이저 증착법(PLD, Pulsed Laser Deposition ... Sputtering), 전자빔 증착법(E-beamevaporation), 열증착법(Thermal evaporation), 레이저 분자빔 증착법(L-MBE,Laser Molecular Beam Epitaxy

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.09.22

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  반도체공정순서 및 박막 증착법

  금속성 불순물과 자연 산화물을 제거한 뒤 마지막으로 표면위에 성장을 하기 위해 SC용액(과산화수소(H2O2)와 염화수소산)으로 새로운 자연 산화물을 완전히 제거합니다.Wafer Epitaxial ... 이 공정에서는 RO/DI water로 세척해주고 UHP(Ultra high pure) 질소로 건조시켜 주는 공정입니다.Ion Implant이온 주입법은 웨이퍼의 표면위에 새로운 층을 ... 형성하지 않는다는 점에서 다른 반도체 공정들과 구분이 됩니다.

  리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.09.25

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  그래핀(Graphene)

  촉매의 종류와 두께, 반응시간, 냉각속도, 반응가스의 농도 등을 조절함으로써 그래핀 층수를 조절하는 것이 가능하다.4) 에피택시 합성법 [Epitaxy]이 방법은 고온에서 결정에 흡착되어 ... 투명전극을 개발하는데 성공했다.성균관대 나노과학기술원 홍병희ㆍ안종현 교수팀은 산화인듐주석 수준의 전기 전도성이 있으면서도 신축성과 유연성이 뛰어난 그래핀 투명 전극을 롤투롤기반 공정을 ... 산학협력을 통한 연구개발을 강화하고 있다.>> 산화 그래핀을 투명전극으로 사용한 유기 태양전지태양 에너지 수확을 위해 고분자 또는 유기물 태양전지는 저가격 생산이 가능하고, 용액 기반의 공정이

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.09.18

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  CMP공정의 원리

  불안정선택 CVD(plug법) 선택 epitaxy 성장선택성장법사용이 쉽다. ... CMP목차CMP공정의 원리 - 서론 - CMP공정의 기본원리 - CMP 구성요소 - CMP주요 공정 변수CMP공정의 원리서론CMP란 무엇인가? ... 앞면을 마찰시켜 평탄화 시키는 공정이다.

  리포트 | 32페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.06

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  실리콘웨이퍼의 전기적특성 변화

  산화막으로 결합시킨 wafer- Epitaxial wafer : 기존 wafer표면에 CVD법을 이용, 새로 운 단결정실리콘을 증착시킨 wafer- Simox wafer : 기존 ... 설계목표실리콘 웨이퍼를 전기로에서 900, 1000,1200 도 열처리를 통하여 산화막형성 을 통해 전기적 특성을 변화시키는것 으로서,Si device에서의 산화막은 이온주입 및 불순물 확산공정에서 ... 주종을 이루는 가운데 12 inch가 개발되고 있는 추세이다.제품으로는, 2 inch, 3 inch, 4 inch, 5 inch, 8 inch, 12 inch들이 있다.(4) 추가 공정에

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.12.13 | 수정일 2021.11.24

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  PVD Evaporation & Sputtering 종류 및 원리,

  이종의 물질을 증착하는 헤테로에피택시증착기술(Hetero-Epitaxy)이 있다. ... 또한 에피택시 증착 기술은 3차원적인 증착 기술과는 달리 기판위에 2차원적인 qkrar을 증착하는 기술로서 기판과 동종 물질을 증착하는 호모에피택시증착기술(Homo-Epitaxy)과

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.09.28

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  태양전지용 웨이퍼 제작공정

  소개하자면 Polished wafer 표면에 단결정 실리콘을 성장시켜 wafer 표면의 결함을 최대한으로 줄인 것으로, 여기서 실리콘을 성장시킬 때는 위의 Cz-Si 방법을 쓰지 않고 Epitaxial ... 이 공정을 Slicing이라고 한다.ⅳ) Slicing 공정 중 발생된 wafer 표면의 Damage를 제거하고 wafer의 두께와 평탄도를 균일하게 만들기 위해 연마 공정을 합니다 ... 이 공정을 Cleaning이라고 한다.위의 공정을 거쳐 만들어진 wafer를 Polished wafer라고 부르며, 주로 반도체 회사에서 이용한다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.23

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  [반도체] VLSI 대규모 집적 회로 생산

  EpitaxyVPE : Vapor Phase Epitaxy (Silicon epi 층 제작 방법)MBE : Molecular Beam Epitaxy분류 : homo-epitaxy ... : 실리콘 웨이퍼 + 실리콘 에피층hetero-epitaxy : 게르마늄 웨이퍼 + 갈륨비소 에피층화학식 : SiH4 => Si + 2H2 (Vapor Epitaxy){{3) Oxidation뜻 ... 성장법방법 : 다결정 실리콘의 일부만을 융해하며 표면 장력과 고주파 전자장을 이용하여 단결정을 형성특징 : 내부의 저항률 분포가 불균일, 표면 변형으로 전력용 트랜지스터에 사용.2) Epitaxy

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.24

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  Cryo pump의 구조와 원리

  Torr의 진공영역 아주 낮은 증기압에서 가스는 응축되고 포획 Oil-free 고진공펌프 노출이 되어 움직이는 부품이 없다 작업에 필요한 보조펌프 필요 없음 민감한 vaccum 공정에 ... thermal)Space research Materials research Metallogy Physics research Surface analysis Molecular beam epitaxy

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.08.21

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  기상증착법, 물리증착PVD와 화학증착CVD에 관하여

  PVD는 공정상 진공환경이 필요하고 CVD는 수십내지 수백 Torr, 또는 상압의 환경에서도 충분히 가능하다. ... Sputtering), 전자빔증착법(E-beam evaporation), 열증착법(Thermal evaporation), 레이저 분자 빔 증착법(Laser Molecular Beam Epitaxy ... 이것들이 적당한 온도 영역에서 기판에 성막되어 박막 단결정을 이룬다.4.물리증착(PVD)과 화학증착(CVD) 비교-PVD와 CVD모두 반도체 공정이나 기타 산업에 많이 이용되는데 대개

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.25

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