"epitaxy 공정" 검색결과 21-40 / 223건

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  이종접합 트렌지스터 공정 설계(BJT(Bipolar Junction transistor) Process flow)

  Mask↓↓Epitaxial Layer GrowthMetal deposition↓↓Base MaskChemical mechanical polishing(CMP)↓↓Boron 2-Step ... 명3) N+ Substrate Wafer에서 N-Epitaxial Layer를 성장시킨다.: VPE 반응기에 SiCl4+H2 혼합기체를 1200℃에서 Wafer와 반응시킨다.가. ... 설정 후에 P층을 N Epitaxial Layer 위에 확산한다.: Base영역을 Reactive Ion Etching(RIE)를 사용하여 에칭 한다.: B2H6(붕소)를 이용하여

  리포트 | 13페이지 | 5,000원 | 등록일 2018.05.28

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  반도체 소자 및 반도체 집적 회로

  (hetero-epitaxy)로 분류한다. ... Beam Epitaxy, MBE)로 분류된다. ... 방법은 일반적으로 액상 에피택시(Liquid Phase Epitaxy, LPE), 기상 에피택시(Vapor Phase Epitaxy, VPE)와 분자선 에피택시(Molecular

  리포트 | 45페이지 | 8,000원 | 등록일 2017.12.31

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  반도체 제조공정

  로 , 산화로 원료가스 모노실란 SiH 4 Epitaxial 성장 , 폴리 실리콘 단결정 성장 삼염화실란 ( 트리크로실란 ) SiHCl 3 Epitaxial 성장 , 다결성실리콘 ... 반도체 칩의 표면에 보호막을 코팅하는 작업으로 반도체제조공정의 최후반부에 진행된다 . ... Wafer Epitaxial Processing 에피탁시는 특별한 종류의 박막 증착법 이다 .

  리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.05.02

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  VLSI공정 5장 문제정리

  (MBE) -Molecular beam epitaxy.초고진공 상태(에서 고정된 기판에 원자 또는 분자선을 충돌 시켜 에피층을 성장시키는 공정초고진공 상태를 유지하는 이유 : mean ... (VPE) - Vapor phase epitaxy기상으로부터 실리콘 층이 성장하는 것. ... Metal Organic CVD전구체 물질이 유기 금속 화합물 일 때의 CVD공정MOCVD의 응용분야고 집적화 및 고품질이 요구되는 반도체 공정고출력 LED칩 소자 개발에 필수적인

  리포트 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2018.06.05 | 수정일 2020.05.03

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  인하대 공업화학실험 패터닝 예비 보고서

  또한 반도체 제조공정의 후반 과정에서 리조그래피를 통해 얻어진 PR을 켜쌓는 과정(epitaxial processing)을 거치며, 이 과정 중에 이온을 웨이퍼의 내부에 주입, 침투시켜 ... : 패터닝(Patterning)을 하는 실질적인 공정으로 반도체 공정 과정의 핵심 부분이며 다양한 물질에 미세회로 패턴을 형성하려는 목적을 가진다. ... 단일 공정을 개략적으로): 반도체 제조 공정에는 웨이퍼(wafer) 제조 및 증착(deposition), 노광(photo exposure), 현상(development), 식각(etching

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.09.25

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  레치업

  현재는 LOCOS, Trench Isolation, Selective Epitaxy, Wafer Bonding, SIMOX 등이 있다. ... 있어 소자고립공정은 실리콘 칩 내에 수백만개의 소자가 독립적으로 절연되어야 하므로 집적회로 공정에서 가장 중요한 공정 중의 하나이다. ... 다시 말해 소자 절연은 CMOS 플래너 제조공정에서 기생 저장 트랜지스터를 제거하거나 감소 시킨다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.11.01

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  한양대학교 신소재공학부 미래기술과신소재 기말과제 (취득점수 A+)

  긴 나노로드를 얻기 원한다면 90 ℃에서의 공정이 좋다. 용액의 pH. ? ... Graphene-on-Semiconductor Crystal Array-Epitaxial growth of ZnO and GaN/InGaN crystals-SCA-LEDs & photodetectors에 ... 그 외에도 나노로드를 합성하는 방법에는, 기상 수송공정 화학적 기상 증착법, 아크 방전 법, 레이저 어블레이션 법, 템플릿을 이용한 방법 그리고 용액법 등 다양한 방법으로 제작되어

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.04.29

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  [무기합성화학] 다양한 무기합성법

  특징 : 1968년 J.R Arthur,1974년 A.Y.Cho 등에 의해 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체의 Epitaxy 성장법으로 제안되었다. 10-8 (분자선 생성시) 10-10Torr ... 생성물의 조성과 입도의 조절이 가능▶ 단점 - 공정 제어가 힘들다.? 주요 4대 합성법- 고온-고상법? ... 조밀함⑤ 적정 합성조건에 따라 입자크기 제어가능④재연성이 떨어진다.- 공침법(Coprecipitation-Annea: 모염과 생성물간에 3차원적인 특정한 결정학적 관계를 갖는 현상※ Epitaxy

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.06.22

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  Coating - PVD & CVD Deposition, Sputter, Evaporation

  공정상의 뚜렷한 차이점으로 PVD는 진공 환경을 요구한다. ... 공정상의 뚜렷한 차이점은 PVD는 진공 환경을 요구한다는 것이다. 반면에 CVD는 수십~수백 torr 내지는 상압의 환경에서도 충분히 가능하다. ... MOMBE라고 Metal-Organic Molecular Beam Epitaxy인데 원료를 Metal-organic 소스를 써서 PVD와 같이 열이나 전자빔, 레이저 등으로 날려보내서

  리포트 | 11페이지 | 5,000원 | 등록일 2014.06.23

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  연세대 창의설계 보고서

  하는데, 성장 공정에서 가장 어려운 물리적 제약은 이종 물질간의 다른 격자상수이다. ... 전류밀도를 높일 수 있다는 것은 문턱전압을 낮출 수 있다는 것을 의미하기도 하는데, 이는 전력소모를 크게 줄일 수 있음을 뜻한다.이종의 물질 성장을 hetero epitaxial growth라고 ... 전계효과 통제력을 강화하기 위해 트랜지스터 구조는 삼차원으로 진화하고 있다.12011146089 이윤규Si 반도체를 대체하는 물질로 III-V 반도체 channel에 대해 핵심 공정

  시험자료 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.06.29

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  LPE, VPE, MBE 장비

  (실리콘 기상 에피택시 반응기) (할로겐 화합물 공정 GaAs Epi 성장 개략도)분자 빔 에피택시(MBE:Molecular Beam Epitaxy)MBE는 원자 분해능의 두께를 갖는 ... 이런 공정은 충돌 없이 증발 공정실을 통해서 단결정 웨이퍼 표면에 증착된다는 점이 유사하다. ... 액상 에피택시(LPE:Liquid Phase Epitaxy)LPE법은 많은 반도체 결정들을 용융점보다 훨씬 낮은 온도에서 성장시킬 수 있는 기술이다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.04.12

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  반도체 디스플레이 공학 - MOCVD 공정 표현

  두 가지의 화학반응(homogeneous, heterogeneous)이 일어나 반응물의 농도 감소→ alloy composition의 변화, growth rate의 감소, epitaxial ... 일반적인 reactor는 경험이 많다.2. gas 속도에 주어진 uniform epitaxial growth가 충분히 크고, attention 또한 hydrodynamic flow를 ... → 두 가지의 화학반응(homogeneous, heterogeneous)이 일어나 반응물의 농도 감소 → alloy composition의 변화, growth rate의 감소, epitaxial

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.08.14

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  thermal evaporator(서머 이베퍼레이터), E-beem evaporator(이빔 이베퍼레이터) 조사 레포트

  등의 에너지에 의해 진공분위기에서 금속물질을 증발시키고, 플라즈마, 이온빔 등의 에너지로 활성화시킨 후, 기능성 소자에 원하는 조성 및 결정구조로 요구에 맞는 기능성 표면을 만드는 공정을 ... )- 펄스레이저증착법 (PLD, Pulsed Laser Deposition)- MOMBE (Metal-Organic Molecular Beam Epitaxy)PVD의 특징고경도 (High ... Themal & E-beam evaporator이 포함된다.그 밖의 PVD의 종류- 스퍼터링 (Sputtering)- 레이저분자빔증착법 (L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy

  리포트 | 9페이지 | 3,000원 | 등록일 2015.05.30 | 수정일 2015.10.04

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  pvd,cvd의 종류와 원인 분석, 펌프와 진공펌프의 종류,원리 분석

  pvd,cvd와 진공공정에 필요한 pump배경지식-Deposition (증착) ; 반도체 웨이퍼 표면에 얇은 막을 씌워 전기적 특성을 갖도록 만드는 공정으로 deposition process는 ... Horizontal Furnace② Vertical Furnace4) 반응 형태에 따른 분류 ① 열분해 ② 환원반응 ③ 산화반응 ④ 질화반응 ⑤ 탄화반응 ⑥ 불균형반응 ⑦ 복합반응-silicon epitaxy에피택셜 ... 이 과정에서 분자 또는 원자 단위의 물질을 웨이퍼에 여러 겹으로 쌓게 되는데, 박막을 얼마나 얇고 균일하게 입혔느냐에 따라 반도체의 품질이 좌우되기 때문에 매우 중요한 공정 중 하나이다

  리포트 | 21페이지 | 3,500원 | 등록일 2017.01.31

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  GaN의 식각

  진공을 요구한다.CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy ... Sputtering), 전자빔증착법 (E-beam evaporation), 열증착법 (Thermal evaporation), 레이저분자빔증착법 (L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy ... 현상액을 이용하여 빛을 받은 부분의부분의 PR을 제거하여 pattern을 형성시키는 현상공정으로 구성된다.Photolithography 공정은공정은 모든 공정 step이 각종 particle에

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.05.22

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  반도체 제조공정 이론 정리

  또한 균일한 Step Coverage와 Epitaxy Flim 성장이 가능해 Film Quality가 좋다. ... 반도체 제조공정에서 발생하는 Particle, 유기물, 무기물, Byproduct 등 공정 내적인 것과 사람의 피부, 땀, 침 등의 공정 외적인 것을 총칭. ... Plasma의 4가지 주요공정반응은?

  시험자료 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2016.06.24 | 수정일 2022.10.17

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  84화합물 반도체 공정 [2조] 성장기술 (HVPE,LPE)

  에피택시 (Epitaxy) 공정이란? ... , , 등의 소자를 개발화합물 2개 이상의 다른 원소들이 일정 비율로 구성된 순물질에피택시 (Epitaxy) 공정그리스문자 epi(위에) + taxis(배열) = 에피택셜 성장(epitaxial ... LPE 의 공정법 LPE 냉각법 LPE 의 결함 LPE 의 장단점1. LPE (Liquid Phase Epitaxy) 란?

  리포트 | 35페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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  [실험레포트] 온도변화에 따르 저항 변화 측정

  말하면, CVD법은 기판에 증착될 때 원료물질들이 PVD처럼 들러붙는다기 보다는 화학반응을 일으켜서 고체 상태로 변화하는 것이다.● PVD & CVDPVD와 CVD 모두 반도체 공정이나 ... 것이다.● CVDCVD는 화학적 증착법으로 MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy ... Sputtering), 전자빔증착법 (E-beam evaporation),열증착법 (Thermal evaporation), 레이저분자빔증착법 (L-MBE, Laser MolecularBeam Epitaxy

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.12.05

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  태양광 에너지

  Krebs 그룹은 스크린 프린팅법에 의한 롤투롤 공정 개발로 €1/Wp의 유기 태양전지 모듈 제조를 목표로 하고 있다. ... 실리콘 박막을 기판에서 분리, 제작하였으며 이를 이용하여 변환효율 16%의 태양전지를 제작하여 보고하였다.Q-Si은 AIST와 도쿄시립대 합동 연구팀은 Molecular Beam Epitaxy를

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.12.31

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  3. Thermal evaporation 결과

  빠르고 공정이 단순하며 타겟 물질의 열적, 화학적변형이 적고 널리 쓰이는 공정이지만 대량의 제품을 코팅시에 각각의 막의 두께가 다를 공산이 크며 대량생산시 고진공을 요하기 때문에 ... Deposition)CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy ... 등으로 형성시키며, 이의 기능으로서는 passivation, 전도체 사이에서의 절연, 확산층(diffusion barriers), hardness 부여 등, 반도체 및 LCD 제조공정에

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.05.22

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