"이강윤 MOSFET" 검색결과 1-15 / 15건

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  MOSFET 기본 특성 [A+/PSpice/배경이론포함(교재카피)/예비레포트] 전자회로실험,이강윤

  이번 실험에서는 MOSFET의 기본적인 동작 원리에 대해 공부하고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험으로 확인하고자 한다.2. ... 아래 그림(a) 과 같이 MOSFET의 바디는 p형 기판, 소오스와 드레인은 n+로 도핑을 한 구조를 ‘NMOS’라고 한다. ... 마찬가지로 바디는 n형 기판, 소오스와 드레인은 p+로 도핑한 MOSFET 구조를 ‘PMOS’라고 한다.위 그림 (b)는 NMOS의 단면도이다.

  리포트 | 18페이지 | 71,000원 | 등록일 2021.06.19 | 수정일 2024.02.28

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  [PSPice] MOSFET 다단증폭기

  Reference book1) 『단계별로 배우는 전자회로실험』, 한빛아카데미, 2015, (이강윤)2) 『Microelectronic Circuits』, Oxford Univ Pr

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.10.22

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  소오스 팔로워 [A+/PSpice/배경이론포함(교재카피)/예비레포트] 전자회로실험,이강윤

  실험 개요이번 실험에서는 MOSFET을 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중에서 공통 소오스 증폭기를 실험하였다. ... 이 경우 MOSFET의 각 단자들의 전압(V_D,V_G,V_S) 및 전류(I_D)를 구하여, 표에 기록한다. ... 각 단자들의 전압을 바탕으로 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하시오.(2). v_sig값을 0V, V_GG전압을 0V, 12V, 3V~9V는 500mV 간격으로 변화시키면서

  리포트 | 10페이지 | 81,000원 | 등록일 2021.06.19 | 수정일 2024.02.28

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  [예비보고사항] 공통 소오스 증폭기

  Reference book1) 『단계별로 배우는 전자회로실험』, 한빛아카데미, 2015, (이강윤)2) 『Microelectronic Circuits』, Oxford Univ Pr ... applying bias voltage and small signal input voltage simultaneously to operate and analyze the nonlinear MOSFET

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.09.10

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  8. MOSFET 기본특성(결과)

  과 목 : 전자회로설계실험과 제 명 : #8 MOSFET 기본특성담당교수 : 이강윤 교수님담당조교 : 송창훈 조교님반 & 조 : A반 5조조 원 :이준호 (2010314284)이수철

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.11.21

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  [결과레포트] MOSFET 기본특성, MOSFET 바이어스 회로

  MOSFET 기본특성, MOSFET 바이어스2. ... 『단계별로 배우는 전자회로실험』, 한빛아카데미, 2015, (이강윤)

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.09.13

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  8. MOSFET 기본특성(예비)

  과 목 : 전자회로설계실험과 제 명 : #8 MOSFET 기본특성담당교수 : 이강윤 교수님담당조교 : 송창훈 조교님반 & 조 : A반 5조조 원 :이준호 (2010314284)이수철 ... (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)의 기본구조[그림 1] MOSFET의 구조와 단면도[그림 2] MOSFET의 회로기호MOSFET은 ... 목1.0 실험 주제 및 목적전자회로에서 증폭기로 많이 사용되는 반도체 소자인 MOSFET의 특성을 이해하고, 동작원리 및 전류-전압 특성을 알아본다.2.0 실험 이론2.1 MOSFET

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.11.21

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  [결레] ch10 소오스팔로워와 공통게이트증폭기

  결과 보고서소오스 팔로워, 공통 게이트 증폭기과 목 : 전자회로실험담당교수 : 이강윤 교수님담당조교 : 송창훈 조교님이철호 조교님조 원 : 이준호 (2010314284)이수철 (2011313229 ... 여기서 MOSFET 각 단자의 전압과 전류를 구하면V_D = 9.0V, ``V_G =6V, ``V_S `=`3.7V, ``I_D = 105.52 mA이다.그림 3 )인 경우, (V)

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.11.21

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  05-전자회로실험-결과보고서

  MOSFET 기본 특성1. ... 실험 목표MOSFET 소자의 기본적인 동작 원리를 이해할 수 있다.MOSFET 소자의 전류 - 전압 특성과 동작 영역을 실험을 통해 이해할 수 있다.2.

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.12.24 | 수정일 2015.12.26

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  07-전자회로실험-결과보고서

  실험 목표MOSFET 소자를 이용한 소스 팔로워의 동작 원리를 이해하고 설계할 수 있다.출력 임피던스가 작은 소스 팔로워와 입력 임피던스가 작은 공통 게이트 증폭기의 특성을 이해하고

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.12.24 | 수정일 2015.12.26

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  [전자회로실험] ch10 소오스 팔로워와 공통 게이트 증폭기 결과

  이는 MOSFET의 공정과정에서 차이가 생긴다고 해도 납득하기 어려운 오차이다. ... 이 경우 MOSFET의 각 단자들의 전압(V_D `,``V_G `,``V_S) 및 전류(I_D)를 구하고, 표에 기록한다. ... 각 단자들의 전압을 바탕으로 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하시오.실험실 상황에 맞춰 조건들을 바꿨으므로 PSpice로 구한R_S의 값은 의미가 없으므로 생략했다.표 1

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.05.01

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  [전자회로실험] ch08 MOSFET 기본 특성 실험 결과

  실험회로그림 1 실험회로 - MOSFET2. ... MOSFET의 동작영역은 물론, MOSFET의 각 부분 사이의 전압에 따른I _{D}의 변화도 파악할 수 있었다.I _{D} -V _{DS}의 경우는 이론상의 그래프와 유사하게 나왔지만 ... 고찰 사항이번 실험을 통해 MOSFET의 기본 특성을 파악할 수 있었다.

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.05.01

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  한화 방산 인턴 합격 자소서

  전자회로 1에서 BJT의 성질들과 원리, 그리고 MOSFET Amplifier의 특성과 작동원리 등 집적회로에 대하여 배웠던 점이 기억에 남습니다. ... (입력 예시) 공학수학, A, 한화인, 2014-2, 인상깊은 내용제가 대학 전공 수업 중 가장 기억에 남는 과목은 2015년 1학기에 이강윤 교수님께 배워서 A+의 성적을 거둔 전자회로1

  자기소개서 | 2페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.06.10

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  차동 증폭기 구성 및 측정 예비레포트

  전자공학 실험2실험날짜 : 2009/10/09교수님 : 이강윤 교수님조 : 금 3 조조원 : 200511409 손봉찬200511392 문은혁200511422 오승준3조 손봉찬 200511409 ... Differential Pair에 사용하는 N-Type MOSFET의 정보와 배경이론을 바탕으로 주요 파라미터를 결정하시오.PMOS - FQP17P10NMOS - 2n7000(3) ... 발생하는 (W/L)의 변화, Vth 의 변화 등으로 인해서 트랜지스터 간의 Mismatch가 발생하면 CMRR의 값이 상수를 가지게 된다.(2) 능동 부하에 사용하는 P-Type MOSFET과

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.06.09

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  연산 증폭기 기본 실험 예비레포트

  전자공학 실험2실험날짜 : 2009/10/16교수님 : 이강윤 교수님조 : 금 3 조조원 : 200511409 손봉찬200511392 문은혁200511422 오승준3조 손봉찬 200511409 ... 물론 MOSFET이 아닌 BJT로 되어 있는 OPAMP도 존재 한다. LM2904 OPAMP는 기본적으로 BJT를 이용한 OPAMP이며의 공급 전압을 통해 동작하는 소자이다. ... (1) 이번 학기 실험에서 사용하고자 하는 Op-Amp의 Data Sheet를 보고, 다음의 사항에 대한 Parameter 들을 구하시오.- OPAMP의 경우 지금 까지 실험했던 MOSFET을

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.06.09

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