"0.045eV 실리콘" 검색결과 1-3 / 3건

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  [전자공학] 다이오드 특성

  (첨가하는 불순물)*진성반도체(순수한 규소) + Boron(0.045eV)Gallium(0.065eV) P형 반도체Indium(0.016eV)설명 Ex) 반대로 최외각 전자 3개를 ... (첨가하는 불순물)*진성반도체(순수한 규소) + Phosphorus (0.044eV)Arsenic(0.049eV) N형 반도체Antimony(0.039eV)설명 Ex) 순수한 규소( ... 그리고 통상적으로 사용하는 경우 다이오드 자체의 저항성분에 의해 강하하는 전압은 0.6∼1V(VF) 정도이다 (실리콘 다이오드의 경우, 대략 0.6V).

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.26

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  제올라이트A의 합성 및 분석, 이온교환 결과 레포트

  0.001%CrO₃0.000%Hermatite0.045%NiO0.001%ZnO0.003%Br0.000%SrO0.005%Zr0.001%SnO₂0.001%Vb0.000%Lu0.001%ReO₄0.000% ... EDX보통 EDX 혹은 EDS(Energy Dispersive X-ray Spectroscopy)는 시료에서 발생되는 특성 X선을 실리콘 단결정의 p-i-n 반도체 소자를 이용하여 ... channel에 저장되며 배정된 channel의 신호를 누적 막대 형태로 화면에 표시하는데 이것이 EDS 스펙트럼이다.EDS에서 인접해 있는 X선 피크를 구별할 수 있는 능력능이 140 eV

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.04.01

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  반도체 수업자료

  AlxGa_1 -x As / GaAs 시스템p형 및 n형 모두 가능x가 0.44이하에서 직접밴드갭 반도체가 된다.GaAs Eg = 1.43eV 0.88 m 근적외선에 해당(near ... infrared)Al_0.44 Ga_0.56 AsEg = 1.96eV 633 m 적색 가시광선영역.(6) 이종접합 구조에서 효율적인 포톤 생성과정① p쪽에서 Al함유량이 40%이므로 ... 5A족 : 화합물 반도체를 형성 … GaAs, AlGaAs, InGaAsP, ......2B족과 6A족 : 화합물 반도체를 형성 … ZnS, HgCdTe, .....3A족 원소 : 실리콘에

  리포트 | 58페이지 | 2,000원 | 등록일 2002.11.11

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