고상소스로서 gallium, arsenic 와 같은 순수한 성분은 knudsen effusion cell에서 서서히 증발 될 때까지 가열된다. gallium과 arsenic의 경우에서는 ... 확률도 증가될 수 있으며, 이것도 진공조건에서 고려되어야 한다.MBE를 이용한 박막증착시 substrate에서 성장된 epitaxial layer의 두께와 조성의 균일성은 beam flux의 ... 이처럼 늦은 성장속도와 정교한 beam flux의 조절이 가능한 특성을 이용하여 성장 중에 substrate surface를 RHEED(reflection high energy electron
diffusion Substitutional diffusion Vacancy + InterstitialMathematical modelFick's first law J: particle flux ... well-used since evaporation of arsenic causing law surface concentrations and safety High solubility ... Very popularDiffusion systemArsenic diffusionAs2O3 + Si surface reaction 2As2O3 + 3Si = 3SiO2 + 4AsNot