"CU SEED" 검색결과 1-20 / 22건

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  Cu Seed Layer의 열처리에 따른 전해동도금 전착속도 개선

  한국재료학회 권병국, 신동명, 김형국, 황윤회

  논문 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  (특집) 증착공정 심화 정리6편. Dual damascene 공정(듀얼 다마신 공정) 소개

  - Cu Seed Layer를 Sputtering을 해줍니다.( 얇게 Cu를 뿌려줍니다. )

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.11.02

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  반도체 공정 정리본

  또한 Step Coverage 향상을 위해 CVD로 증착을 진행한다.Barrier의 역할은 다음과 같다.금속과 실리콘 간의 확산을 방지 (Cu의 단점인 확산 방지)Void가 생겨도 ... 고체 단결정 실리콘과 액체 실리콘 사이 접촉면에서 냉각이 일어나 단결정 실리콘(Seed)와 같은 형태의 단결정 Ingot이 성장된다.따라서, 8대 공정 중 Wafer 공정은 딜 수 ... 검사하는 공정으로 Laser 산란 방식으로 표면 결함의 크기와 개수를 측정Czochralski, CZ method: 다결정의 실리콘을 고열로 녹여 액체상태로 만든 뒤에 단결정 실리콘(Seed

  리포트 | 61페이지 | 4,000원 | 등록일 2022.07.15 | 수정일 2023.07.02

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  세라믹공정 a-알루미나 공정 설계-최종 보고서-신소재공학과

  AIP contains various impurities such as Fe, Ti, V, Ca, Mg, Si, Mn, Cu, Pb, Na, Cr and Zn. ... .* Keyword : メ-Alumina, Hydrolysis Process, Seed, Glucose, PVP, Jet Milling, AIP Purification, Rotary

  리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.10.29

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  Damascene공정법 및 각 박막의 역할

  그 이유는 TaN위에 바로 전해도금을 할 경우, Cu가 잘 붙지 않기 때문에 Seed layer의 역할을 해주며, 얇은 구리 박막이 전해도금시 전류도 잘 흘려주기 때문이다.7.전해도금으로 ... 이를 제거후 파란색의 확산방지막 TaN를 증착한다.또 그 위에 PVD로 Cu를 얇게 깔아준다. ... Damascene공정은 Cu배선을 별도의 etch 없이 증착하기 위한 공정 방법이다.구리는 알루미늄과 다르게 etch가 불가능합니다.

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.04.13 | 수정일 2019.12.02

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  2018 아주대 결정구조학 기말고사 복원본

  Epitaxial Growth의 기판이 되는 (Epitaxial films)을 성장시키는 것으로, 기판은 (Seed crystal 결정) 역할을 하며, 성장되는 결정은 기판과 같은( ... 고용체 강화의 구체적인 예로 한가지는 ( )형 강화로 (침입형)고용체, 다른 한가지는 (치환형)고용체로 (Cu-Ni)을 예로 들 수 있다.9.Zn ^{2+}이온이 interstitial

  시험자료 | 2페이지 | 7,000원 | 등록일 2019.06.13

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  열화학기상증착법(Thermal-CVD)과 수열합성법(Hydrothermal solution)을 이용하여 각 기판위에 나노와이어 성장

  우리는 XRD에서는 Cu의 Ka선을 사용했기 때문에 Cu의 Ka λ(파장)은 1.5406이고 아래 Table 5의 자료에서 각 peak의 growth했다는 것을 알 수 있다.Two. ... (금은 Seed의 역할) 즉, 금(Au)은 촉매역할을 하게 된다. 금을 도핑하기 전 오염을 제거하기 위해 홀더를 닦고 양면테이프를 이용하여 기판을 홀더에 붙인다. ... 10.975g1M : 10.975g = 0.005M : x x ---> 0.0549g다음으로 불순물이 없는 깨끗한 용기를 사용하기 위해서 메탄올과 에탄올로 세척 후 건조시키고 우리가 필요한 Seed용액을

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.05.14 | 수정일 2017.05.29

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  유도결합 플라즈마 (Inductively coupled Plasma )

  라고 한다 ) Seed 가 유도된 전자장을 통과하면서 Plasma 가 점화 되고 계속적인 에너지를 받으며 Plasma 가 유지 된다 . ... 유도코일 하단에 설치된 Coil 로 Spark 를 발생시키면 순간적인 방전효과로 중성 Ar Gas 가 이온화가 되면서 Ar 이온과 Ar 전자를 발생시킨다 .( 이때 Ar 전자를 Seed ... H He Li Be B C N O F Ne Na Mg Al Si P S Cl Ar K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se Br Kr Rb

  리포트 | 25페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.12.29

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  반도체제조공정 및 개요

  냉각 되는 동안 녹아 있던 원자는 스스로 Seed Crystal 과 같은 격자 구조로 배열된다 . ... Seed Crystal 과 녹은 실리콘 사이의 표면장력에 의해 작은 양의 액체가 올라와서 냉각이 된다 . ... 파티클의 발생을 최소화 하는 공정을 MFSC 에서 제공하고 있습니다Wire bonding 집적회로를 패키지의 리드에 매우 가는 고순도 금 (Au ), 알루미늄 ( Al ), 구리 ( Cu

  리포트 | 31페이지 | 3,500원 | 등록일 2012.06.19 | 수정일 2015.12.14

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  WLCSP 소개자료-1

  RDL metal layer between two polyimide layers.UBM seed layer (M1,M2)depositionUBM platingResist Strip Seed ... time, Temp, Time-Flux Quantity, Visual Defect Flux life time, Ball Composition - Reflow TimeCu, NiTiw, Cu-Visual

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.01.18

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  반도체 처음부터 끝까지

  Crystal 의 직경을 최대한 줄이면서 끌어올리는 작업 Dipping 한 Seed 를 서서히 끌어 올리면 Single Crystal 이 Seed 의 결정 방향대로 달라 붙어서 올라옴 ... Cu CMP ( Chemical Mechanical Polishing ) –Dielectric CMP –Metal CMP : Cu, W, Al…...Frontend ProcessMetallization ... )를 접촉 시킴Ingot Growing (Necking)Silicon Wafer PreparationSingle Crystal 에 결함이 발생하지 않도록 Seed 를 따라 성장하는

  리포트 | 53페이지 | 4,000원 | 등록일 2008.05.20

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  황산구리의 굴절률 측정

  만들어진 시드(Seed)를 하나 준비하고 마이크로 미터기로 시드의 두께를 젠다.마이크로 미터기. 1.67mm 의 두께가 나왔다.굴절률 측정5. ... 푸른색 삼사정계 (결정축 3개의 길이와 축각이 모두 다른것) 형이며, 보통 황산구리 한 분자에 물 분자인 결정수 다섯 개가 붙어 황산구리 결정을 이루고 있다.황산구리는 보통 1가(Cu2SO4

  리포트 | 23페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.06.10

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  흙의 이방성과 비배수 전단

  Duncan과 Seed(1966a)는 이러한 접근에 대해 토론했고 요약된 카올리나이트에 대한 데이터를 Fig. 1.4에 나타냈다. ... (Tan을 번갈아 포함하고 있는 견고한 할렬점토와 빙적토가 그 예이다.초기 이방성의 측정은 어렵지만 그것의 효과는 수직에 대해만큼 다른 방향으로 자른 시료들에 대해 수행된 UU, CU ... 삼축압축에서 전단되었기 때문에 수직재하와 비교한 강도의 감소는 우선적으로 선택적 입자방향성의 결과인 초기 이방성 때문임에 틀림없다.Fig. 1.4 수직에 대해만큼 다른 방향으로자른 시료의 CU

  리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.09.27 | 수정일 2018.06.12

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  RF PCB 제조기술4

  두께 5㎛, 7㎛ 사용* 일본 Mektron 사의 fine pattern 제조 방법 (COF 제조 방법 - Semi additive 공법)PIPIPI film 위에 Seed(Ni) ... metalizing)FPC Process에 따른 구분구 분작업 방법/특성Sheet type-2Layer, 3Layer FCCL사용-Dry film 20㎛, 30㎛ , 40㎛ 사용-Cu ... 제조된 2Layer FCCL 사용(PI 표면에 Plasma 처리하여 도금으로 자재 제조)-Clean room 1,000class 이하 관리-Dry film 10㎛, 20㎛ 사용-Cu

  리포트 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2007.11.14 | 수정일 2023.08.15

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  [반도체 공학] 반도체 공정에 대하여

  (Cathode)V..PAGE:8MOCVD표면 오염 문제 해결Seed layer 불필요균일한 두께로 증착 용이공정의 단순화 및 공정 시간 단축..PAGE:9Cu Dry Patterning1 ... Cl이 포함된 가스와 Cu를 반응시켜 CuClx을 생성하여 제거하는 방법2. 2Cu + O Cu2OCu2O + 2H(hfac) Cu +Cu(hfac) +H2O..PAGE:10요약 및 ... ..PAGE:1반도체 공정에서 Cu배선형성 기술..PAGE:2Al배선낮은 비저항공정의 적합성좋은 접착성산화에 대한 저항성고집적화에 따른 문제..PAGE:3Cu배선#장점낮은 비저항EM

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.06.27

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  [응용화학] KAl(SO4)2·12H2O(백반)의 제조 실험보고서

  )으로 존재한다(4)결정 석출①과포화②냉각③증발④Seed(5)일반적 큰 결정①냉각전 seed 공급②먼지는 피함③서서히 냉각④과포화(너무 크면 안 좋음.)(6)재결정결정은 물에 녹는 ... )64-이 Fe(CN)64-와 같은 복잡한 새로운 이온을 착이온이라 하고, 착이온이 생성되는 화합물을 착화합물(錯화합물; complex) 또는 착염(錯鹽)이라고 한다.우리가 보통 Cu2 ... +, Ca2+, Al3+이라고 표시하는 것도 실제 용액 중에서는 [Cu(H2O)4]2+, [Ca(H2O)6]2+, [Al(H2O)6]3+등과 같이 물과 결합한 착이온(aquo complex

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.06.12

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  반도체 제조 공정

  접촉 SEED는 사각봉 형태인 단결정 직경은 약 1.2Cm 가량, 길이는 약 15Cm정도 MELT의 온도가 낮게 되면 : MENISCUS가 부분적으로 발생하거나, SEED주위에 ICE가 ... 높임 전자이주(electromigration) : 높은 전류밀도를 갖는 초미세소자에서 Al에 높은 전류가 흐름에 따라 각각의 원자를 이동시켜 결국에는 연결을 끊는 현상을 보이는데 Cu는 ... 이러한 현상이 적게 나타남 Cu가 Si으로 diffusion되어 Si의 전기적 특성을 변화 결국에는 Tr의 고장 식각의 어려움PROBE TEST DIE CUT웨이퍼는 수백개의 실제적인

  리포트 | 36페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.09.23

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  분말야금 제조방법

  복합분말을 만들게 되었다.Ni 용액 중에 안트라퀴논을 소량 첨가하면 물에 불용성인 안트라퀴논은 고상과 액상의 계면에 존재하여 용액에서 Ni이온이 수소로 확산되는데 촉매로서 작용한다.Seed가 ... , Cu-Zn-Sn, Cu-Sn-Pb 등 이중으로 또는 삼중으로도 피복 시킬 수 있으며 흑연분말의 표면에 Cu를 피복한 복합분말도 제조되고 있다.아연과 같이 저융점 금속을 피복 시키려면 ... 즉 W분말에Cu를 피복한 36-65 Cu-W 복합분말로 제조된 소결 전기접점 재료의 조직은 W과 Cu분말을 혼합하여 소결한 재료보다 균일하다.복합분말의 제조방법을 살펴보면 다음과 같다.금속염

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.11.14

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  반도체 공정

  따라서, 알루미늄(Al)에 약간의 구리(Cu)를 넣어 사용한다.실리콘 wafer에 Al film을 증착시키면 Si와 Al의 용해도 차이로 Si이 Al에 흡수되고 Si이 흡수된 자리를 ... Zone growth)- 초크랄스키 방법보다 오염이 적다- 고순도의 Seed가 수직으로 놓여 회전- 고주파 가열코일에 의해 용융- 용융 Si는 용액면과 성장하는 고체 Si 면 사이에서 ... 방법(1) 인상법(Czochralski Growth)- 1950년대 초에 Teal이 개발- 단결정 실리콘을 성장시키는 대표적 방법- 다결정 실리콘을 노안에 넣고 가열하여 녹인후 Seed에

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.09.06

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  [광전자 공학] wafer의 결장 성장 방법

  여기엔 Seed라는 것이 있는데 이것은 자연계에 존재하는 단결정을 이용하는 것으로서 반도체를 잘라서 사용하며 결정을 성장시키는 원이기도 하다.갈륨비소의 기상 에피택시 성장에 가장 흔히 ... MOCVD 공정 기술은 기존의 금속화공정에 널리 사용되고 있는 Al에 비해 비저항이 낮고 electromigration과 stress-migration에 대한 저항력이 높은 Cu의

  리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2002.12.06

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