"Ion implantation: GaN" 검색결과 1-9 / 9건

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  GaN 성장을 위한 기판의 Ion Implantation 전처리에 관한 연구

  한국재료학회 이재석, 진정근, 변동진, 이재상, 이재형, 고의관

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  [물리전자] "What is a semiconductor?"

  Ion implantation (ion) can control the electrical conductivity of semiconductor materials depending on ... Examples of these are GaAs, GaP , InAs , InSb , GaN , SiC … to name just a few. ... They form a very similar crystal structure called Zincblende (except GaN ) which is basically the diamond

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.03.25 | 수정일 2019.04.01

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  반도체 제조 공정 (P-N Junction) 반도체 공학

  ) AS : 10²¹ , P : 10²¹ [Atom/cm ³] Post Annealing Ion Implantation 은 확산을 위한 가열은 필요없지만 격자 완화를 위한 Annealing ... CVD(Chemical Vapor Depositon ) 장점 : 큰 면적 증착 단점 : 1000 ℃ 이상 고온이필요한 공정 화학 증착재료 GaN ( 질화갈륨 ) 등 Metal P-type ... Implantation N-type Dopant Gas 를 주입 SiO ₂ Layer 부분을 제외한 부분에 집중되어 주입된다 .

  리포트 | 15페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.11.18 | 수정일 2013.11.21

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  ZnO의 성장 및 열처리 조건이 물질 특성에 미치는 영향

  또, 이온주입(Ion Implantation)공정에서는 불순물가스를 이온화시켜 직접 투입시키기 때문에 Wafer의 결정구조가 깨질 수 있는데, 열처리(Annealing) 과정을 통해 ... 서론ZnO은 현재 LED 분야에서 사용되는 GaN과 동일한 육방정계의 Wurtzite 구조의 결정구조를 가지고 있기 때문에 GaN의 대체 물질로 연구가 활발히 진행되어 왔다. ... 산업의 Red Ocean에서의 경쟁력을 갖추는 길이 될 것이라고 전망한다.ZnO는 넓은 밴드갭(3.36 eV)으로ㅆ 청록색 ~ 푸른색을 띄며 큰 엑시톤 결합에너지(60 meV)은 GaN의

  리포트 | 48페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.12.18

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  [물리학]전자물성,반도체기초

  How about GaAs, GaN, SiC, AlxGa1-x As, etc. ? ... Implantation for the Channel StopField Oxidation, Gate Oxidation, Gate Deposition Pattern, and S/D ImplantationS ... FabricationA Historical Perspective Semiconductor Materials Elemental : Si, Ge Compound : SiC, InP, GaN

  리포트 | 26페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.03.30

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  반도체 용어 정리

  RIEReactive Ion Etching ☞ 반응성 이온에칭 기술.반응성 가스의 플라즈마에 존재하는 활성종을 에칭재료 표면의 원자와 반응시켜 휘발성의 반응생성물을 생성시키고, 이것을 ... 이로써 필드이온 임플란트시 임플란트영역을 옥사이드 사이드월 보다 감소시켜 필드 옥시데이션 중에 불순물이 측면 확산되는 것을 방지할 수 있다.4. ... 응용분야MOCVD로 증착시킨 Ⅲ-Ⅴ족 GaN의 응용분야에 대한 글입니다.GaN는 3.39eV의 직접천이형 밴드갭을 가지는 광대역반도체(wide bandgap semiconductor

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.23

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  반도체 물리

  이온 주입기(ion implanter)의 구성. ... crystalline Sipolycrystalline Siamorphous Si구성 성분단일 원소(elemental)Si, Ge화합물성분 원소Ⅳ-ⅣⅢ-ⅤⅡ-ⅥSiC, SiGe …GaN ... - Ⅲ족 자리 차지하면 도너, Ⅴ족 자리 차지하면 억셉터▷ 선별적 도핑(selective doping) 기술- 선별적 확산 (selective diffusion)- 이온 주입 (ion

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.04.18

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  반도체란 (물성적인 성질까지)

  이온 주입기(ion implanter)의 구성. ... crystalline Sipolycrystalline Siamorphous Si구성 성분단일 원소(elemental)Si, Ge화합물성분 원소Ⅳ-ⅣⅢ-ⅤⅡ-ⅥSiC, SiGe …GaN ... - Ⅲ족 자리 차지하면 도너, Ⅴ족 자리 차지하면 억셉터▷ 선별적 도핑(selective doping) 기술- 선별적 확산 (selective diffusion)- 이온 주입 (ion

  리포트 | 23페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.10.16

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  박막의 표면처리 및 식각 실험 예비보고사

  위 내용 참조.③이온 주입(Ion implantation)회로까지 연결된 부분에 불순물을 미세한 가스 입자 형태로 뿌려 침투시킨다. ... 식각 깊이- GaN template wafer (within 2μm)- Sapphire wafer (within 2μm)? ... 적용가능 기판 : GaN template, Sapphire wafer?식각 능력 : 1 wafer/batch?Plasma power : ～ 5kW?

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.04

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