"Sputter target" 검색결과 1-20 / 295건

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  Manufacturing and Macroscopic Properties of Cold Sprayed Cu-Ga Coating Material for Sputtering Target

  한국분말야금학회 Young-Min Jin, Min-Gwang Jeon, Dong-Yong Park, Hyung-Jun Kim, Ik-Hyun Oh, Kee-Ahn Lee

  논문 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05

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  Process Characteristics for YB2Cu3O7-d Films Fabricated by Single Target Sputter and Surface Modification Technique

  한국재료학회 Kim, Lee-Tae, Lee, Seung-Ho, Eo, Gyeong-Hun, So, Myeong-Gi

  논문 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  스퍼터링 타겟용 Cu-50In-13Ga 3원계 합금 분말의 소결 및 압연 거동 (Sintering and Rolling Behavior of Cu-50In-13Ga Ternary Alloy Powder for Sputtering Target)

  한국분말야금학회 김대원, 김용호, 김정한, 김대근, 이종현, 최광보, 손현택

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05

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  스퍼터링 타겟용 저온 분사 Cu-15 at.%Ga 코팅 소재의 특성에 미치는 열처리 분위기의 영향 (Effect of Heat Treatment Environment on the Properties of Cold Sprayed Cu-15 at.%Ga Coating Material for Sputtering Target)

  한국분말야금학회 최병철, 박동용, 김형준, 오익현, 이기안

  논문 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05

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  Fabrication and Electric Properties of LiNbO3 Thin Film by an Rf-magnetron Sputtering Technique Li-Nb-K-O Ceramic Target (Rf-magnetron sputtering 방법으로 Li-Nb-K-O 세라믹 타겟을 사용하여 제작한 LiNbO3박막의 제작 및 전기적 특성)

  한국재료학회 Park, Seong-Geun, Baek, Min-Su, Bae, Seung-Chun, Gwon, Seong-Yeol, Kim, Gwang-Tae, Kim, Gi-Wan

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  반도체 공정 term project

  DC spttering방법의 경우 target이 산화물이절연체 일 경우 Spttering되지 않아 이러한 단점을 해결할 수 있는 방법이 RF Sputtering이다. ... RF Sputtering방법은 target이 금속 이외에도 비금속, 절연체, 산화물, 유전체 등의 sputtering이 가능하며 주로 13.56MHz의 고주파 전원을 사용한다.I. ... Introduction (혹은 서론)Sputtering 현상은 1852년 Groove가 유리관 속의 직류방전 중에 처음으로 발견하였다. 1974년 Chapin은 평탄한 target의

  리포트 | 11페이지 | 5,000원 | 등록일 2023.06.22

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  스퍼터링(Sputtering) 이론레포트

  Magnetron Sputtering 기법의 단점은 자기력선 부근의 target 원자들이 집중적으로 소모되어 target이 불 균일하게 소모된다는 점이다.4) Sputtering의 ... Sputtering이론 레포트1) Sputtering 기법의 장점a. ... 이로 인해 증착 속도가 기존 Sputtering에 비해 비약적으로 향상되고(증착 속도가 떨어지는 Sputtering의 단점을 보완), 기판이 충돌하는 전자 수가 적어지므로 Sputtering

  리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.05.21

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  P-N junction을 이용한 금속산화물 반도체의 가스 센싱 감응변화 분석 실험보고서

  Plasma 내의 Ar+이온은 큰 전위차에 의해 음극인 target 쪽으로 가속되어 target과 충돌하면 중성의 target 원자들이 튀어나와 기판에 박막을 형성한다.장점- 간단한 ... Sputtering은 챔버내에 공급되는 가스에서 발생하는 전자 사이의 충돌로부터 시작된다. ... .- 전기 화학식 가스 센서에 비해 신뢰성이 떨어진다.DC SputteringDC Sputtering은 직류전원을 이용한 sputtering 방법이다.

  리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.03.08

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  PVD방법(열 증발법, 전자빔 증발법, 스퍼터링 법)

  ( 증착재료 ) 에 충돌 , Target 원자들을 방출시키면 , 방출되어 나온 원자들을 기판에 증착 하여 기판 형성 (Sputtering) 의미(Sputtering) 과정 진공 상태에서 ... 불활성 가스 ( Ar ) 주입 후 Target 에 마이너스 전압 인가 글로우 방전 현상에 의해 불활성 가스 원자를 이온화 하고 Target 표면에 가스이온 충돌 가스 이온의 충돌로 ... Target 을 구성하는 입자가 Target 에서 떨어져 나와 기판 표면에 박막형성PVD 의 장점 저온공정 , 안정적 고품질 박막에 유리 불순물 오염정도가 낮음 ( 진공상태 ) 단순한

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.07.09

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  반도체 박막 증착 공정의 분류 보고서 (3P)

  이온과 target의 충돌을 유발하여 target 물질을 생성해 wafer에 박막을 형성하는 공법이다. ... 마지막으로 Sputtering 공법은 진공상태의 chamber에 Ar과 같은 가스를 주입해 안정화를 유도한 뒤 RF(절연체)나 DC(금속)를 공급해 Plasma를 발생시켜 이온을 생성하고 ... 이 공법은 plasma의 농도가 매우 높기에 증착과 Sputtering이 동시에 발현되어 step coverage가 매우 우수하고 치밀한 박막을 생성할 수 있다는 장점이 있으나 불순물

  리포트 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.03.14

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  [물리학과][진공 및 박막실험]진공의 형성과 RF Sputter를 이용한 ITO 박막 증착

  )쪽으로 가속되어 target의 표면과 충돌하면, 중성의 target원자들이 튀어나와 기판에 박막을 형성한다.1) 장점막 두께의 균일성, 내화재료 증착, 절연막의 증착, 큰 면적의 ... 진공의 형성과 RF Sputter를 이용한 ITO 박막 증착1. ... 실험목적(1) Sputter를 이용하여 ITO박막을 증착해보자.(2) Sputter 장비의 증착 순서를 익히고, 각각의 부품 역할을 이해하자.(3) ITO 박막의 특성을 결정하는 조건

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.09.23

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  film deposition issue

  하지만 이 방식은 E-Beam이 금속에 충돌하면 radiation을 발생시켜 wafer에 손상을 야기할 수 있다.Sputtering방식은 target을 음극 전극위에 두고 wafer를 ... 그러면 전기장에 의해 이 target쪽으로 끌리고 target과 부딪혀 target의 원자와 이온이 튀어나오면서 wafer에 증착되는 방식이다. ... 걸어주는 전기장이 일정한 방향인 DC Sputtering은 부도체를 사용하면 음극에 점점 이 쌓여서 대전되어 제대로 동작을 할 수 없기 때문에 도체만 이용이 가능하다.

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.11.13

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  Evaporator_Sputter 레포트

  또한 박막의 응착력이 좋고 Target 냉각이 가능하여 큰 타켓을 사용할 수 있으며, 기판의 Sputter Etching으로 미리 Cleaning이 가능하고 등의 Reactive Sputter로 ... Magnetron Sputtering 등이 있다.먼저 DC Sputtering은 직류 전원을 이용한 스퍼터링 방법이다. ... 또한 박막이 전자나 UV, 이온 등에 노출되어서 가열되고 증착 조건이 민감하고 서로 영향을 끼친다는 점이 있다.스퍼터링 방법에는 DC Sputtering, RF Sputtering,

  리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08

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  (특집) 증착공정 심화 정리5편. CVD, PVD

  [ PVD : Physical Vapor Deposition ]PVD 반응 과정(렛유인 참고)PVD장비는 Sputter라고 부릅니다.?1. ... Metallic atoms are disloged from target: 금속원자들이 금속 target으로부터 분리된다.(금속 중성자들이 분리된다.)?4. ... High-energy Ar+ ions collide with metal target: Ar+이온을 metal target(ex. 구리, 텅스텐)에 충돌시킨다.?3.

  리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.11.02

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  [신소재공학실험]미세 조직 관찰 및 화상분석

  플라즈마 코팅본질적으로 Ion Beam Sputtering은 Diode Sputtering의 한 유형이다. ... Target과 기판은 일반적으로 평행하고 이온이 45도로 주입된다. 튕겨져 나간 target원자는 박막으로 기판 위에 증착된다. ... 일반 플라즈마를 대신하여 가변적인 에너지를 갖는 넓은 이온빔 소스는 target쪽으로 가속화된 이온을 제공한다.

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.03.21

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  (LCD) Manufacturing Processes (제조 공정)

  : Gate 증착 前 DI 를 이용하여 세정 진행한 後 Sputtering 장비에서 GLS 를 90 ˚ 세워서 상온 , 상압에서 Target 을 이용하여 GLS 증착 전면을 Metal ... TFT (Thin Film Transistor) 공정 Process – 4Mask 기준 (TN Mode) # TFT 공정 Flow 초기세정 Gate Sputtering Gate Photo ... Gate Wet-Etch Gate Strip Gate PTN 검사 ACT CVD N+ CVD S/D Sputtering S/D Photo S/D Wet-Etch 일괄 Dry-Etch

  리포트 | 14페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.03.21 | 수정일 2022.03.25

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  PVD 증착법 예비 보고서 [A+ 레포트]

  이러한 Sputtering 현상을 이용하여 wafer 표면에 금속막, 절연막 등을 형성한다. ... process이므로 거의 모든 물질을 target으로 쓸 수 있다는 점이다. ... target 물질의 원자가 완전탄성 충돌에 의해 운동량을 교환하여 표면에서 밖으로 튀어나오게 된다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.06.01

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  [재료공학실험]투명전극재료의 합성 및 물성 평가

  마그네트론 Sputtering 법에 의한 ITO 박막의 합성1) RF, DC, Pulse DC-Sputtering System으로 건조시킨 glass 기판 사용하여 합성다. ... Plasma 및 Sputtering 제조공정 학습을 통한 공정설계 능력 배양.다. ... 스퍼터링법에 의한 박막 제조 기술의 특징1) 금속, 합금, 절연물 등 폭넓은 재료의 박막제작 가능2) 적절한 조건의 설정에 의해 다 원계의 복잡한 조성의 Target을 사용해도 거의

  리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.02.20 | 수정일 2022.02.22

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  알파스텝 측정 및 접촉각 이론

  먼저 W(텅스텐) Target을 사용하며 Current와 진공도에 변화를 주어서 증착을 진행하였다.제작한 Sample을 탐침 바로 안 Plate에 놓고 탐침이 긁고 갈 거리를 생각하여 ... 높은 Current에 의해 전자가 가속되는 속도가 커져서 Target을 아주 강한 힘으로 때리게 되고 그 결과 Wafer에 박막 증착이 더 잘되는 경향을 나타내는 것을 알 수 있다.진공도에 ... 하지만 단차의 두께만을 구할 수 있으므로 여러 층의 두께 각각을 한 번에 측정할 수 없으며, 측정하고자 하는 곳에 미리 단차를 만들어 놓아야 하는 단점이 있다.실험 방법Sputtering을

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.02.07

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  반도체 공정 관련 내용 정리 리포트

  Direct(Ti) vs Reactive(TiN) => 면저항값 측정 비교Direct -> target에 존재 , Reactive -> N2가스 주입로드락 챔버 : 760Torr ... 쌈Pre sputtering(불순물 제거 위해 shutter 닫아줌) 이후 sputtering 진행FPP 균일도 측정 면저항 = 비저항(물질 고유 특성)/두께Power supply target에 ... pattern pitch 차이Dielectric 차이 : 1) SiO2(oxide) 2) Si3N4(Nitride) nitiride / oxide / wafer H3PO4 통과 못 함Sputter

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.03.12

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