"Ta-Si-N film" 검색결과 1-20 / 20건

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  Ta-Si-N박막의 조성에 따른 결정구조 및 구리 확산 방지 특성 연구

  한국재료학회 정병효, 이원종

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  요천추신경총손상 lumbosacral plexopathy

  deceleration injury(TA, m/c) Pelvic fracture or hip fracture/dislocation 과 동반 (9-46%) 초기 진단이 어려움 Unstable ... 악화되는 경우 radicular process 가능성이 크다 그러나 pelvic tumor, aneurysm 등 에서도 양성일 수 있음 Palpable mass on DRE Plain film ... vital, orthopedic stabilization, physician, recovery..Traumatic lesions Incomplete injury 가 대부분 SI joint

  리포트 | 126페이지 | 4,000원 | 등록일 2018.10.31

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  문법,마케팅,브랜드,브랜드마케팅,기업,서비스마케팅,글로벌,경영,시장,사례,swot,stp,4p

  : Je sais mais j'espère encore Juliette écoute ta maman Bien sûr qu'elle a raison Si elle a pris des ... : Ta robe est déjà prête L.N : Je sais, c'est moi qui l'ai faite ! ... : Alors écoute ta mère L.C : Alors écoute ta nurse Les hommes !

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.05.07

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  LEAD FRAME 재료(2)

  DIE BONDING 을 행했다.Au-Si 공정을 사용한 DIE BONDING 은 CHIP 탑재부에 미리 Au 도금을실시하든가 또는 Au FILM 을 공급해, 공정을 이용하여 CHIP ... ＝Ta＋θj-a ⑴3.5 저투자율화(低透磁率化).저저항화LSI 의 동작주파수가 높아져 고속화 됨에 따라, 발생하는 문제에는 PACKAGE 의 전기적 특성이 있다. ... 접합에는 Au-Si 의 공정온도 370℃ 이상의고온이 필요하다.

  리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.09.30

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  박막의 표면 에칭방법-건식에칭과 습식에칭

  Layer Material Etching Gas Gate MoW, Ta, MoTa SF 6 CF 4 +O 2 Al BCl 3 +CL 2 Si 계열 n + a-Si/a-Si SF 6 ... etched material decreases, the concentration of the active species increases , and a drastic increase n ... deposition : silicon substrate is prepared and metal film or Dielectric film is deposited.

  리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.03.10

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  Color TFT

  /n+a-Si 증착 (PECVD)a-Si Pattern 형성 (MASK 2)화소전극 형성 (MASK 3)S/D Pattern 형성 (MASK 4)n+a-Si Etching (TFT ... Metal 증착a-Si (MASK2)ITO 에칭(MASK3)S/D 에칭(MASK4)SiNx 증착보호막 에칭(MASK5)n+ a-Si Etch-Backn+a-Si/a-Si/SiNx ... 증착보호막 에칭(MASK5)n+ a-Si Etch-Backn+a-Si/a-Si/SiNx 증착ITO 증착S/D Metal 증착Gate (MASK 1)SputteringCr: 2000ÅGate

  리포트 | 87페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.12.09

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  반도체 공정의 이해

  형성Rf Power＋＋PlasmaGas원자 / 분자ETCH 개요ETCH Mechanism+=Si감광막Cl+(ion)＋각 박막(Film)별 ETCH 반응 MechanismSi (Si원자 ... 종류N-MOS 소자P-MOS 소자C-MOS 소자P-typeGATEDRAINSOURCE- - - - - - - - -N+N+N-typeGATEDRAINSOURCE+ + + + + + ... /SiO2 OR Ta2O5 구조 : CROWN+SAES *SAES: Surfow}

  리포트 | 27페이지 | 3,500원 | 등록일 2010.02.25

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  반도체 처음부터 끝까지

  Patterned films, such as SiO2 and Si3N4 thin film, by the PR mask could be used for another mask for ... , TaN, Cu –CVD / ALD ( Atomic Layer Deposition ) •W, TiN, Ti(Si)N, Ta, TaN, Cu, WN, TaC, WCN –Electroplating ... Dry oxidation - oxidation with pure dry O2 - Si + O2 →SiO2 - high quality, low growth speed 2.

  리포트 | 53페이지 | 4,000원 | 등록일 2008.05.20

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  SPUTTER

  Nitrides : TaN, TiN, AlN, Si3N4 - Carbides : TiC, WC, SiC - Sulfides : CdS, CuS, ZnS - Oxycarbides and ... oxynitrides of Ti, Ta, Al, Si그래프 자료: Parameter Optimization in Pulsed DC Reactive Sputter Deposition ... Sputter Intro2009년3월20일 유균경Thin Film DepositionChemical ProcessPhysical ProcessEvaporationSol-GelPlatingCVDSputteringElectro

  리포트 | 27페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.07

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  전기전자공학 - 트랜지스터(Transistor)의 원리 및 응용회로

  Color TFT-LCD의 구조Color TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)는 TFT(Thin Film Transistor ... )소자의 종류에 따라 a-Si(amorpho us silicon) TFT와 p-Si(Polysilicon) TFT로 나눌 수 있다. ... 이들 중에서 a-Si TFT를 사용한 직시형 TFT-LCD가 가장 널리 사용된 다. a-Si TFT의 중요한 장점은 제조공정에서 기판 처리 온도가 상대적으로 낮은 300-350℃ 이하에서

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.19

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  여러가지 박막의 응용

  박막 집적회로(TFIC:thin film integrated circuit)와 고체상태 집적회로(SSIC:solid-state integrated circuit)이다. ... 전기용량은 역바이어스하에서 적당한 p-n 접합에 의해 만들어진다. 이들 집적회로는 크기가 아주 작다. ... 그래서 전해 도금이나 화학 증착 등과 같은 기술이 요구된다.태양 에너지의 수집이나 변환에서 실용화 이외에도 광전압 효과를 이용한 직접 복사-전기 전환이 매우 중요하게 되어다, p-n근처에

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.01.24

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  나노분말

  , 열교환체, 내열재료SiC, Si3N4, YSZ표시기억특성형상기억Ti-산화물역학특성내마모재료, 연마재, 공구소재, 기타SiO2, Al2O3,TiC,TiCN자기특성자기기억용, 자기유체 ... 나노분말 설명1)나노필름(Nano Film)2)덴드리머(Dendrimer)3)탄소나노튜브(CNT)4)나노섬유(Nano Fiber)3. 나노분말의 중요성 및 활용 분야4. ... , 영구자석Fe계 자성 분말화학특성촉매 재료Pt, TiO2, Pd흡착특성가스 분리용 필터, 감자기, 열교환기Ni, Ag기타의료용재료, 필터, 배터리, 전극Al2O3, Ta, MnO2각

  리포트 | 33페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.10.29

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  Polyimide-POSS nanocomposites에 대한 계면접착력, 열 기계적 성질

  dianhydride (BPTA)N-methyl-2-pyrrolidinone (NMP)Sol-gel process2.6. ... Materials Phenyltrichlorosilane (PhsiCl3) 4,4'-diamino diphenylmeometer (1H NMR , 13C NMR , solid 29Si ... films and semiconductor coatings Lower CTE (coefficient of thermal expansion) High Tg Better thermal

  리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.02.13

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  CVD의 증착과정과 종류와분류 그리고 CVD의 장단점과 매커니즘

  SSi-H/N-H 결합 비율은 NH3/SiH4 가스조성비에 의해 결정되고, 이것은 박막의 굴절률을 결정하는 중요 변수가 된다.Photo-Assisted Chemical Vapor Deposition ... 잘 이용되는 조건하에서는에서 a-Si : H(비정질 실리콘, 수소가 많이 포함되어 있게 때문에 이렇게 나타냄)을 형설시킬때는 표면반응이 추가되는데,에서 C : H을 형성시킬때는, 기상중합반응이 ... PECVD에 의한 SiN 박막은 N2/SiH4 또는 NH3/SiH4 혼합가스를 이용한다.

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.04

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  [박막공학] MOCVD,CVD.VPE

  Ta3N5, MoN, WN, TiSiN, SiN Elements : Si, Ge, Cu, Mo, W, Ta, Ru Semi ... ALD Process Application Oxides : Al2O3, ZrO2, HfO2, Ta2O5, SnO2, RuO2, SiO2 Nitrides : TiN, NbN, TaN, ... ▣ VPE(Vapor Phase Epitaxy)basic principle A(g) + B(g) → AB(s) Eq) for Si, GaAs, InP SiCl₄(g) + 2H₂(g)

  리포트 | 34페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.11.02

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  반도체공정(CVD)

  > Si3N4(s) + 12H2(g)3SiCl2H2(g) + 4NH3(g) --> Si3N4(s) + 6HCl(g) + 6H2(g)5. ... P-glass reflowdeposition before Al depositionLPCVDSiCl2H2(g) + 2N2O --> SiO2(s) + 2N2 + 2HCl(g)TEOS ... CVD metal; W, Ta, Ti, Mo 등 (Al, Cu 는 연구단계)6.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.10.13

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  [반도체]CVD

  6HCl(g)Carbides 와 Nitrides를 형성하기 위한 반응 Ex) TiCl4(g) + CH4(g) → TiC(s) + 4HCl(g) 3SiH4(g) + 4NH3(g) → Si3N4 ... Base pressure Ar O2Sr[Ta(OC2H5)6]2, Bi(C6H5)3 170℃ 130℃ 400 - 800℃ 0.2 Torr 10 – 40 sccm 30 – 60 sccm결정구조 ... 플라즈마를 이용하는 이유는 수많은 장점이 있기 때문.PACVD1970년대 후반부터 시작되었고, 레이져나 램프를 이용하여 film을 성장시킨다.MOCVD장점: 1)극박막을 성장시킬 수

  리포트 | 21페이지 | 2,500원 | 등록일 2003.04.19

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  [광전자]RBS analysis in thin film

  ) Detector 하전 입자 검출용 - Si(Li) DetectorColimater(1.8mm Ta판) : 산란된 빔을 걸려 원하는 크기의 빔만 통과시키는 기능 백그라운드원이 됨 ... (H, B, C, N, O, F) is deposited on the Si substrates)ChannelingIncident IonChanneling effect arises ... RBS analysis in thin film목 차개요 및 원리 물리적 개념 장비의 구조 RBS 스펙트럼 기타 표면분석기술과 비교 장단점개요1911년 : 러더포드가 알파입자 산란현상

  리포트 | 34페이지 | 10,000원 | 등록일 2004.05.10 | 수정일 2018.09.16

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  [박막공학] CVD의 모든것

  {SiH_4 (g) & -> Si(s) +2H_2 (g){B_2 H_6 (g) &->& B(s) +3H_2 (g){N i(CO)_4 (g) & -> & N i(s)+4CO(g){Si ... [Ta(OC2H5)6]2, Bi(C6H5)3170℃130℃400∼800℃2×10-1 Torr10∼40 sccm30∼60 sccm2. ... 또 film상의 이온에 손요하다.

  리포트 | 12페이지 | 4,000원 | 등록일 2002.07.20

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  [반도체공학] 반도체 제조공정

  Bunny, 웨이퍼 카셋의 색깔을 달리 사용 - 칩 차원 = 구리를 확산방지막(Ta/Ta-N계, 실리콘 질화막)에 가두는 방법 DaessMetal Deposition - Evaporation ... (800~1200℃)에서 산소나 수증기를 실리콘 웨이퍼 표면과 화학반응 시켜 얇고 균일한 실리콘 산화막(SiO2)를 현상시키는 공정 TR Gate생성에 사용.건식 : 보다 우세한 Si-SiO2 ... P type 결정 P-type : B, Al, In N-type : P, Sb, As, Bi, NWafer processCaution ＊stacking 시 : 청결유지 ＊Quartzs

  리포트 | 29페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.01.02

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