"az5214e" 검색결과 1-3 / 3건

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  부산대학교 MEMS 실험 3 (박막형 반도체 가스센서) 결과 보고서

  PEB(Post Exposure Baking)① 2분 30초간 100℃로 실시한다.이유 : 실험에서 사용한 PR은 AZ5214로 Positive 타입의 물질이다. ... PR제거(Development)① AZ Developer를 이용하여 60초간 Development 시킨다.② DI water을 이용하여 두 번 씻어낸다.(2) E-beam Evaporation ... 실험 장비1) Spin Coater2) Mask Aligner(MDS-400S)3) Thermal & E-beam Evaporator4) DC/RF Magnetron Sputter5

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.05.17 | 수정일 2023.05.10

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  Lithography, Sputter, VSM, PHR, MR 의 실험 이론 및 방법 및 결과 및 고찰

  자기공학설계1) Lithography1. 실험 이론1-1 정의- Photomask의 pattern을 웨이퍼의 표면에 transfer 시키는 공정1-2 공정 및 공정의 간략한 설명- Photolithography는 일반적으로 위의 그림과 같은 공정을 따르며 아래 글에서 ..

  리포트 | 31페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.12.18

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  TFT 제작실험

  5214 사용 PR 접착 위해 HMDS 사용 - HMDS : PR 도포 전 웨이퍼 표면에 입히는 물질  wafer와 PR간 접착력 향상 ( Si는 소수성. ... (7)=1.2857E+0GateV(6)=1.0714E+0GateV(5)=857.1500E-3GateV(4)=642.8500E-3GateV(3)=428.5500E-3GateV(2)=214.3000E ... 3500RPM에서 30초, 500RPM에서 5초 도포 2) PR을 2~3방울 올린 후 3000RPM에서 30초 도포 3) Soft baking (90℃에서 1분 30초)PR은 1.3㎛인 AZ

  리포트 | 32페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.08

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