"mosfet rf 증폭기" 검색결과 1-20 / 34건

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  서강대 전자공학과 대학원 연구계획서

  마이크로파 이론 및 기술 개발, 적층된 Silicon-on-Sapphire MOSFET을 사용한 20dBm 선형 RF 전력 증폭기 개발, 부하 변조를 통한 W-CDMA 기지국 엔벨로프 ... 추적 전력 증폭기의 효율성 향상 연구, 0.1 um GaAs 변성 HEMT를 사용한 12.5dB 이득 및 82.5GHz 대역폭의 분산 증폭기 개발 등을 하고 싶습니다.저는 OOO ... 전도 모드를 위한 무손실 소프트 스위칭, 0.15μm GaAs pHEMT 기술을 사용하는 완전히 통합된 V-band PLL MMIC 개발, 고효율 엔벨로프 추적 W-CDMA 기지국 증폭기

  자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2022.09.16

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  [초고주파설계] LNA 및 Buffer Amp 설계보고서(학점 A+최종보고서)

  RF증폭기 회로4) 입력 반사계수 :GAMMA _{i`n} `=`` LEFT [ S _{11} `+` {S _{12} `S _{21} ` GAMMA _{L}} over {1`-`S ... Buffer Amp 설계 및 제작1) 트랜지스터 선정- 동작주파수(fo) : 사용하고자 하는 주파수에 맞는지 확인- 이득(G) : 입력 대 출력의 비(dB)를 말하는 것으로 이득 증폭기 ... 일반적으로 주파수가 높아질수록 이득은 떨어진다.- 잡음지수(NF) : 저 잡음 증폭기 설계시 동작주파수에서 가장 낮은 잡음지수(NF)를 갖는 트랜지스터를 선택한다.2) FET Curve

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.03.24 | 수정일 2020.04.07

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  Bipolar Junction Transistor 실험

  MOSFET)와 DMOS(depletion MOSFET)로 분류된다. ... FET는 다시 JFET(junction FET)와 MOSFET(metal oxide semiconductor FET)로 분류할 수 있으며, MOSFET는 EMOS (enhancement ... 하고 rf, f1, f2, bandwidth, Q(Quality factor)를 구하는 것으로서 우선 rf의 이론 값은1 over{2pi sqrtLC로부터 232.15kHz라는 것을

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.16

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  전자회로실험1 10주차예보

  엠프 가산기- 그림 12-6회로 : 가중치를 부여할수 있는 가산기로서 연결된 연산 증폭기이다. 만일 Rf=R1=R2라면, 출력 전압은 아래의 식과 같다. ... 1이기 때문에 단위 이득 증폭기라고한다.- 연산 증폭기들은 바이어스 전류로 인해 입력 오차가 발생할수 있는데 이것은 그림 12-5처럼 (+)입력단에 Rf와 Rr의 병렬 합성 저항 ... 저항기 Rf와 Rr의 비에만 의존하며, 따라서 전압이득도 이들 저항값에 의하여 결정된다.- 그림 12-4회로 : 비반전 전압 팔로워로서 구성된 연산 증폭기이며, 이러한 회로는 이득이

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.07.29

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  부경대 전자공학과 면접 기출 4개년(2016년 ~ 2020년도)

  이상적인 연산증폭기 특성에 대하여 설명하기(4개 이상 말해야 10점)3. 비반전 연산증폭기 Vin =4V, Rin =1kOMEGA , Rf =2kOMEGA , Vout = ? ... 다음 연산증폭기의 출력파형에 대하여 설명하여라.4. 쿨롱의 법칙에 대하여 설명하여라.2018년도 면접 기출문제1. 지원동기, 학업계획, 졸업 후 진로가 무엇인가?2. ... 클록펄스 유무에 따라 나뉨)- 밀리머신과 무어머신 (출력이 현재상태+입력 OR 입력에만 영향 받음)- 1의 보수, 2의 보수 / 카운터 / 딜레이시간② 전자회로- 다이오드 출력파형, 증폭기

  시험자료 | 8페이지 | 9,000원 | 등록일 2019.12.03 | 수정일 2020.12.30

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  한양대학교 일반대학원 반도체공학과 학업계획서

  신호를 사용한 위상 고정 루프에 대한 새로운 내장 자체 테스트 방식 연구, 흐르는 자화 플라즈마의 냉열 결합파 연구, 28nm FD SOI CMOS 공정을 사용한 140GHz 저잡음 증폭기 ... 연구계획저는 한양대학교 대학원 반도체공학과 연구실에서 나노스케일 MOSFET의 전하 기반 양자 보정 잡음 모델 연구, 메모리 제약이 있는 임베디드 시스템을 위한 온디바이스 학습 방식 ... 설계 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 rf 마그네트론 스퍼터링으로 증착한 Mg-doped Zinc Tin Oxide막의 특성에 미치는 산소의 영향 연구, 다중 모드 기술을 통한

  자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.03.03

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  MOSFET의 특성 실험

  따라서 일부 고주파 RF 증폭기 등에서만 사용된다.공핍형 MOSFET의 동작원리를 이해하기 위해 오른쪽 그림과 같이 Drain에 (+)를 Source에 (-)를 인가해준다. ... 따라서 (Drain-Source 전압)의 크기를 증가시켜도 Gate 전압이 문턱전압을 넘어서지 못하였기 때문에 전류가 흐를 수 없다(). ... 예를 들면 소자의 불량, 함수발생기나 오실로스코프의 내부 저항에 따른 영향, 온도의 변화에 따른 재료의 저항성 변화 등 다양한 오차 발생 원인들을 생각해 볼 수 있다.

  리포트 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.05.10 | 수정일 2022.04.18

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  [경희대학교 VCO 설계 프로젝트] A+보고서

  설계 이론1) 발진기발진기는 사인파나 구형파 등 주파수를 가진 출력을 만들어내는 회로이다. 발진기의 기본적인 구조는 증폭기와 피드백 루프로 구성된다. ... 원하는 주파수의 출력을 얻을 수 있다.f _{o} `=` {1} over {2 pi sqrt {LC}}2) 응용 분야VCO는 PLL과 함께 디지털 회로에서 클럭 생성에 사용되고 RF ... MOSFET의 기생 커패시턴스, L과 C의 기생 성분으로 인한 오차 때문에 다른 주파수값을 얻은 것이라고 예상된다. 버랙터의 커패시턴스를 좀 더 낮추면서 주파수를 맞추어 나갔다.

  리포트 | 15페이지 | 4,500원 | 등록일 2020.11.28

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  2019 KT 상반기 자소서 입니다.

  RF집적회로, 아날로그 집적회로, 전자회로, 통신이론등등의 과목을 바탕으로 MOSFET을 이용하여 LNA(저잡음증폭기)를 설계하는 논문프로젝트를 진행하였습니다.

  자기소개서 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.08.14

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  Labview를 이용한 계측기 제어 학습 예비레포트 결과레포트 통합본

  획득하고 효율을 측정한다.3.실험 내용Power Supply 제어 및 데이터 획득을 통산 IV Curve 측정스펙트럼 분석기, RF 신호발생기, RF 신호분석기를 이용한 통신실험 ... 아래에 I-V 커브의 예시가 나와 있고 이 그래프의 경우, MOSFET(metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) 에 대한 예시이다. ... 신호를 증폭하거나 바꾸는 일종의 반도체 부품이다.5. TR 의 내부 저항 Ron 을 조사하고 측정방법을 조사Ron 은 트랜지스터가 on 된 상태에서의 저항 값을 의미한다.

  리포트 | 16페이지 | 3,000원 | 등록일 2019.09.07

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  저잡음 증폭기 시뮬레이션 보고서

  LNA 증폭기2. LNA 증폭기 설계와 시뮬레이션2.1 MOSFET ? ... LNA 증폭기 설계와 시뮬레이션2.1 MOSFET ? ... 가 낮도록 동작점과 매칭포인트를 잡아서 설계되는 증폭기로 보통 1.5~2.5의 NF값을 요구한다.LNA는 RF AMP중 가장 기본적인 증폭기로서, 설계의 난이도가 쉽다.

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2016.12.05 | 수정일 2017.01.21

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  아주대 전자회로실험 설계예비2 CMOS OP AMP 설계

  일반적으로 오른쪽과 같은 회로를 사용하는데 R_1에 흐르는 전류를 I_REF로 표현하 차동증폭기를 능동부하를 가진 차동 증폭기라고 한다. ... 이 극점을 이용해 이득이 1, 0dB까지 감소하는 연산 증폭기를 만들 수 있다. ... OP AMPOP AMP(operation amplifier)는 입력신호를 일정한 비율로 증폭시키는 기능을 가진 증폭기다.

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.10.05 | 수정일 2017.08.03

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  CMOS 소자를 이용한 OPAMP 설계 (tiny cad, pspice)

  주는 이유는 MOSFET와 같은 트랜지스터 소자는 온도나 주변환경에 있는 잡음에 상당히 민감한데 1단으로 설계된 증폭기에서는 그와 같은 영향을 그대로 받게 되어 신호가 매우 불안정하게 ... 따라서 유한한 이득을 얻기 위해서 Rf를 달아 주었고, 이득 공식은이다. ... 같고 부호가 반대인 두 전압의 차이 때문에 차동 이득이 2배(6dB) 커진다.3단 증폭기 회로도위와 같은 장점 때문에 연산 증폭기와 같은 집적 회로 증폭기에서 적어도 첫 번째 단은

  리포트 | 14페이지 | 3,900원 | 등록일 2012.12.12 | 수정일 2020.06.23

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  반도체 공학 개론 HW#3

  A와 B급의 전력증폭기의 효율과 distortion의 상관관계에 대해 설명하라.- A급 전력 증폭기이미터 접지를 이용하고 출력단이 컬렉터이기 때문에 스피커와 임피던스를 맞추기 위해 ... A와 B급의 전력증폭기의 효율과 distortion의 상관관계에 대해 설명하라.3. ... 이는 증폭기의 특징에서 알 수 있듯이, 가장 높은 출력을 얻을 수 있고 튜닝이 용이하기 때문이다.트랜지스터의 증폭기에서는 제어격자나 베이스전극에 교류 입력신호가 없을 때는 출력회로에서는

  리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.06.12

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  전자회로실험11예비--J-FET의 특성

  (a) (b)그림 11-6 전압 분할을 이용한 MOSFET 증폭기 회로(다) Drain-to-gate 바이어스 (증가형 MOSFET에만 적용)VGS전압이 Rf를 통과하여 귀환 되므로 ... J-FET의 특성실험목적(1) MOSFET의 드레인 특성을 실험적으로 결정한다.(2) MOSFET 증폭기의 바이어스 방법을 알아본다.기초이론FET는 채널로부터 절연된 게이트 단자를 ... .(11.4)여기서, K=μC0W/2L [A/V2]이다.소자 특성그림 11-3 n-채널 증가형 MOSFET 그림 11-4 p-채널 증가형 MOSFET(3) MOSFET 증폭기의 DC

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.15

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  [전자회로실험] 연산 증폭기 특성 예비보고서

  회로, 즉 비반전 증폭기의 경우, 출력 전압과 이득은 다음과 같다.Vout = {1+(RF/RR)}×Vin이득 = 1+(RF/RR)식으로부터 알 수 있듯이 출력 전압은 귀환 저항기 ... MOS 디지털 직접 회로는 거의 대부분의 부하를 능동 소자로 설계하는데, 이들 IC에는 MOSFET이 다른 MOSFET을 위한 능동 부하로서 사용되고 있다.⑧ 입력 바이어스 전류위 ... RR과 RF의 비가 달라지므로 출력 전압의 증폭도가 변경됨을 예측할 수 있고, 시뮬레이션 결과 역시 그대로 도출되었다.② 비반전 증폭기왼쪽 그래프는 비반전 증폭기의 출력 전압 시뮬레이션

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.10.05

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  ATF34143(MOSFET)을 이용한 LNA(저잡음증폭기)

  저잡음 증폭기는 수신기 선단에 위치하여 안테나로부터 RF(Radio Frequency) 신호를 처음으로 받아들이는 수신기 부분으로써 안테나로부터 받는 아주 미약한 신호를 잡음 없이 ... Stability Circle음 증폭기라고 불린다. RF 수신 단에서 수신된 전력은 감쇄 및 잡음의 영향으로 인해 매우 낮은 전력레벨을 갖고 있다. ... 졸 업 논 문제 목 : ATF34143(MOSFET)을 이용한 2.1GHz대역에서 동작하는 LNA 설계지도교수 :2 0 1 7 년 11 월 29 일학 번 : 성 명 :졸업논문 제출

  논문 | 25페이지 | 5,000원 | 등록일 2018.07.09

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  설계 2 결과보고서

  ,즉 간단한 연산증폭기를 구성하여 바이어스 특성과 주파수 특성을 조사하는 실험이었다. ... frequency160kHzinput voltage= 1V, output voltage= 66Vmidband gain= 66V/V결과 분석 및 토의이번 실험은 PMOS와 NMOS를 이용하여 다단 차동 증폭기 ... 주파수를 변화시키면서, upper 3dB frequency 와 lower 3dB frequency를 측정c) Midband gain 측정(만약, midband 영역이 매우 좁으면, Rf또는

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.06.11

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  연산 증폭기 기본 실험 예비레포트

  그리고 실험 2번은 반전 증폭기이다. 반전증폭기는의 공식에 따라 전압 이득이 나온다. 시뮬레이션에서 보듯이 저항의 값이 달라고 비율만 같으면 전압의 증폭률은 똑같이 나오게 된다. ... 실험 4번은 실험 2번과 반대로 비반전 증폭기를 말한다. 비반전 증폭기는의 공식에 따라 전압 이득이 변하게 된다. 이것 역시 저항의 값에 상관없이 비율에 맞게 증폭이 되게 된다. ... 따라서 원하는 이득에 가까운 값을 가지기 위해서는 큰 저항을 이용해야 한다.R1=10kohm, R2=10kohm, Rf=10kohm- 위의 회로는 가중 가산기 회로로 Inverting

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.06.09

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  LNA 총정리

  가장 밑에 (2.5)식은 2단 증폭기의 잡음 지수를 나타내며 이 식을 통해서 왜 LNA가 RF 수신단의 가장 첫 증폭기로 쓰이는 지 알 수 있다. 2번 째 단 증폭기의 잡음 지수의 ... 전체의 잡음 지수를 낮출 목적으로 만들어진 저잡음 고주파 증폭기.RF 수신단에서 수신된 전력은 감쇄 및 잡음의 영향으로 인해 매우 낮은 전력레벨을 갖고 있다, 그렇기 때문에 반드시 ... 또한 선형성이 크다는 말은 원신호에 비해 IMD3의 크기가 작음을 나타낸다.그렇다면 선형성을 알아보는 척도에 대해 알아보면, IIP3는 RF 수신단의 선형성을 판별하는 지표이며 의미를

  리포트 | 11페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.04.13

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