"reactive ion beam" 검색결과 1-20 / 82건

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  [물리전자2] 과제2 단원 요약 Fabrication of pn junctions

  ion beam injection. ... A high-voltage particle accelerator produces a high-velocity beam of impurity ions that can penetrate ... etching encompasses impression and spray methods, while dry etching includes plasma sputter methods, and reactive

  리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.12.21 | 수정일 2023.12.30

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  반도체 공정 정리본

  높은 anisotropic etching이 가능하지만 selectivity나 throughput은 좋지 못하다.RIE (Reactive Ion Etching)위 두 가지 방법을 합친 ... 즉 Plasma(Ionized reactive gases)와 Sputter etching(Ion bombardment)을 모두 사용하는 방법으로, 각 방법의 단점을 보완하는 빠른 비등방성 ... Plasma 처리 및 E-Beam 충격도 Photoresist를 효과적으로 경화시키는 것으로 나타났다.

  리포트 | 61페이지 | 4,000원 | 등록일 2022.07.15 | 수정일 2023.07.02

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  ICP MS

  beam 이 형성되고 beam 속의 이온들은 skimmer cone 을 통과 한 후 ion lenses 를 통해 질량분석기로 도입 내부는 Rotary pump 에 의해 약 1~2torr ... 질량분석기 (IPC-MS) + Optical Emission Spectrometer [ 광방출분광기 ] Atomic Emission Spectroscopy [ 원자방출분광기 ] Reactive ... beam Electrostatic lenses ICP 에서 생성된 이온들은 플라스마를 형성하는 아르곤 기류를 따라 sampling cone 의 작은 orifice 를 통과하여 supersonic

  리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.04.07 | 수정일 2020.04.08

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  인하대 패터닝 예비보고서

  아래는 몇 가지 장비의 종류이다.RIE(반응성 이온 식각, Reactive Ion Etch)이온 충격을 이용하여 웨이퍼 표면으로부터 물질을 제거한다. ... 여기서 웨이퍼는 화학적, 물리적 식각을 모두 실행할 수 있다.IBM(이온 빔 밀링, Ion Beam Milling)전자기가 플라스마 공정실을 둘러싸고, 자기장은 전자의 궤도 순환 이동을

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.09.15

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  A+ 박막의 패터닝 실험 예비보고서

  Ion Etcher : RIE)(e) 삼극 평면 식각장치 (Triode Planar Reactor)(f) 이온 빔 식각장치 (Ion Beam Etcher)㈁ 습식 식각- 이 공정은 ... Barrel Plasma Etcher)(b) 평행판 식각장치 (Parallel Reactor)(c) 하류 식각장치 (Downstream Etch System)(d) 반응성 이온식각 (Reactive

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.01.27

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  [고분자공학실험]ITO Pattering 공정

  이 비선택적 etching이며, 이온 가속에 반응성 gas를 사용하는 RIE(reactive ion etching)은 선택적 etching이다. ... 특히 dry etching의 경우 이온 가속만을 이용하는 IBE(ion beam etching)와 sputtering과 같이 magnetron을 이용하는 sputtering etching

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.11.12 | 수정일 2020.08.05

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  활성화 이온빔 처리된 사파이어 기판상 MOCVD로 성장시킨 GaN의 열처리 효과

  한국재료학회 이상진, 변동진, 홍창희, 김긍호

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  기초재료및실험- grain size 측정

  드라이에칭을 하기 위한 장치로는 RIE(reactive ion etching)장치, RIBE(reactive ion beam etching)장치가 사용되고 있다.1) Wet etching①

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.11.11

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  [발광디스플레이실험] Photolithography

  비선택적 etching이며, ion 가속에 반응성 gas(reactive gas)를 사용하는 RIE(reactive ion etching)는 선택적 etching이다. ... 특히 dry etching의 경우 ion 가속만을 이용하는 IBE(ion beam etching)나 sputtering과 같이 magnetron을 이용하는 sputtering etching이 ... resistive(저항층), dielectric(유전층), barrier 등으로 나뉜다.2) Evaporation : evaporation의 방법으로는 thermal evaporation과 e-beam

  리포트 | 8페이지 | 10,000원 | 등록일 2013.06.14

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  재공실 - sputtering 결과보고서

  이온원을 열음극형 카우프만 이온원을 사용하는 이온빔 스퍼터(ion beam sputter), 전자 사이클로트론 공명(electron cyclotron resonance)형 이온형을 ... 또는 방전 플라즈마의 발생방식, 인가 전원의 종류, 전극의 구조 등에 따라 처음 표와 같이 여러 종류로 나뉜다.금속의 질화물 혹은 탄화물의 박막 형성에 널리 사용되는 반응성 스퍼터(reactive ... 분자와 탄성 혹은 비탄성 충돌을 하여 타겟표면의 원자나 분자는 증발하는 스퍼터 증발(sputtering evaporation) 혹은 조사된 이온이 물질 속으로 흡입되는 이온 주입(ion

  리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.10.29

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  12DryEtching

  중성원자, 혹은 중성분자 들을 식각 표면에 충돌시킴으로써 이들 입자들의 운동량이 전달되고, 이로 인하여 전달된 에너지가 식각될 물질의 결합 에너지보다 크게 되어 결합이 끊어진다.Ion-Beam ... (Reactive Ion Etching)Wafer가 놓이는 전극에 RF전압을 인가하고, 공정압력을 낮게 유지하여 Plasma 중의 양이온을 가속되게 함으로서 이방성 식각 특성을 향상시킨 ... 휘발성 물질을 생성시킴으로써 식각하는 방법.Dry Etchingⅰ) Plasma Etching → chemical ⅱ) Sputter Etching → physical ⅲ) RIE (Reactive

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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  09Dry_Etching_&_ECR-RIE

  Dry Etching ECR-RIE식각 공정 건식 식각 (Dry Etching) 반응성 이온 식각 (Reactive Ion Etching, RIE) 4. ... ECR(Electron Cyclotron Resonance) 식각장치의 단점board beam ECR shield-type ECR ion stream ECR ECR(Electron ... Beam Milling 2.

  리포트 | 25페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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  결과보고서 2. RF-Magnetron Sputter를 이용한 박막 증착 원리 이해

  이온원을 열음극형 카우프만 이온원을 사용하는 이온빔 스퍼터(ion beam sputter), 전자 사이클로트론 공명(electron cyclotron resonance)형 이온형을 ... 또는 방전 플라즈마의 발생방식, 인가 전원의 종류, 전극의 구조 등에 따라 처음 표와 같이 여러 종류로 나뉜다.금속의 질화물 혹은 탄화물의 박막 형성에 널리 사용되는 반응성 스퍼터(reactive ... .- 반응이 일어나기 위해서는 main chamber가 진공상태에 있어야 한다.b) Electon gun- electron beam을 쏘아 crucible의 증착시편을 녹여 기화시키는

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.07.21

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  ETCHING

  Ion Beam Milling (IBE) - 빠른 식각 반응 - 높은 이방성 (high anisotropy) - 많은 장점으로 가장 널리 쓰임 - 전자와 이온의 mobility 차이에 ... Reactive Ion Etch (RIE) RF generator Wafer Powered electrode (cathode) Grounded electrode (anode) Ar ... Reactive Ion Etch (RIE) • High etching rate requires high plasma densities • Higher pressures (more gas

  리포트 | 56페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.12.24 | 수정일 2013.11.17

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  박막 재료

  * Film materials modified by Ion-Beam processingIonized cluster beam (ICB) depositionIn this novel technique ... Materials Science of Thin Films (Plasma and ion beam processing of thin films)Introduction to film patterning ... The term reactive-ion etching has apparently been carelessly propaga ted in the literature to denote

  리포트 | 31페이지 | 4,000원 | 등록일 2010.05.13

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  Ion beam forming(이온빔포밍)

  Ion Beam Etching)의 장점높은 분해력 이방성RIBE(Reactive Ion Beam Etching)의 단점Facet, trench 나쁜 선택성, 부식률 표면 복사 DamageRIE ... ION BEAM FORMINGContents1. ION BEAM Processing2. Sputtering3. Problems of ION BEAM Processing4. ... Trench (협곡 발생)EquipmentOther related techniquesRIE(Reactive Ion Etching) 의 단점좋지 않은 끝부분 검출 오염RIBE(Reactive

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.07.28

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  Design Project for LED fabrication process- 조명 White LED 제작 공정

  Ion Etcher) Etching 특징 n 형 전극을 형성시키기 위한 단계 dry 에칭 방법 사용 절연체 (SiO 2 ) 를 에칭하기 위한 장치 CF 4 + SiO 2 (S) → ... Mask Aligner Photolithography 특징 LED 구조를 에칭하기 위한 전 단계 Wafer 위에 소자 영역을 정의CHIP PROCESS Equipment RIE(Reactive ... Evaporator 5 p 형 전극 형성 Ni/Au Mask Aligner E-Beam Evaporator RTA 6 Lapping/Polishing Al2O3, Glycerin

  리포트 | 39페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.03.26

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  [2015 년도 A+] 패터닝 결과레포트

  이러한 문제를 해결하기 위해서 이온의 입사각도를 조절할수 있는 Reactive Ion Beam etching (RIBE)방법이 필요하다.

  리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.03.11

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  E-Beam Evaporator를 이용한 박막 증착 원리 이해(결과보고서)

  이온원을 열음극형 카우프만 이온원을 사용하는 이온빔 스퍼터(ion beam sputter), 전자 사이클로트론 공명(electron cyclotron resonance)형 이온형을 ... 또는 방전 플라즈마의 발생방식, 인가 전원의 종류, 전극의 구조 등에 따라 처음 표와 같이 여러 종류로 나뉜다.금속의 질화물 혹은 탄화물의 박막 형성에 널리 사용되는 반응성 스퍼터(reactive ... 분자와 탄성 혹은 비탄성 충돌을 하여 타겟표면의 원자나 분자는 증발하는 스퍼터 증발(sputtering evaporation) 혹은 조사된 이온이 물질 속으로 흡입되는 이온 주입(ion

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.05.20

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  ITO(식각)

  비선택적 etching이며, ion 가속에 반응성 gas(reactive gas)를 사용하는 RIE(Reactive ion etching)는 선택적 etching이다.이상과 같은 ... 특히 dry etching의 경우 ion 가속만을 이용하는 IBE(Ion Beam Etching)나 sputtering과 같이 magnetron을 이용하는 sputtering etching이 ... (acid) 계열의 화학 약품을 이용하여 thin film layer 의 노출되어 있는 (PR pattern이 없는) 부분을 녹여 내는 것을 말하며 Dry Etching이라 함은 ion을

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.12.09

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