"sputtering 오차 원인" 검색결과 1-20 / 38건

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  학부생 연구프로그램 보고서

  업무 수행의 경과 및 결과ExperimentalMo 기판은 RF sputtering 방법으로 소다석회유리 위에 증착하였다. ... 분위기를 형성하기 위해서 tube의 한 쪽에는 Se 파우더를 두고 승온 속도 10℃/min으로 가열 후 300℃의 온도에서 69분 동안, 다른 쪽에는 CIGS 박막을 두고 승온 속도 ... 학부생 연구 프로그램 결과보고서실 습 자 : 학번 2011 성명 김OO지도교수명 : 이OO 교수님기 간 : 12. 12. 26 ∼ 13. 02. 08내 용 : CIGS 전착을 위한 sputtering

  리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2019.10.31

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  삼성전자 최종합격한 20년도 하반기 공채 DS 부문 파운드리사업부 공정기술 이력+자기소개서입니다.

  특히 연구 인턴에서의 sputtering 경험으로 metal deposition에 더욱 관심을 갖게 되었습니다. ... 2020.01~2020.02 / 서울서부센터 / 조지웅박사연구실 / 연구 보조 / 인턴IGZO 채널 FET소자의 최적의 공정 조건을 찾는 연구에서, wafer cleaning, sputtering ... source와 drain 사이의 short가 의심됐습니다.

  자기소개서 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.06.01

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  엠코테크놀로지코리아 조립직 인턴 합격자소서

  기회를 부여했는데 열심히 공부를 한 끝에 좋은 점수를 취득해 실습 인원으로 선정될 수 있었 습니다.셋째, 서울 테크노파크에서 반도체 Fab을 견학하고 공정 실습을 해 보았습니다. sputter ... 앰코에서도 업무에 문제가 생겼을 때, 열 린 마음으로 원인을 분석하고 해결해 나가겠습니다.4.단체생활을 하는데 있어 본인의 강점과 약점이 무엇인지를 서술하시오. (10점)강점: 경청 ... 2학년 2학기 기초 회로 실험 팀 프로젝트에서 4비트 2진 카운터를 이용해 주차장의 입출차 대수 카운팅 및 차단기를 열게끔 하는 프로젝트를 완성했습니다.

  자기소개서 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.02.02

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  엠코테크놀로지코리아 조립직무 인턴 합격자소서

  기회를 부여했는데 열심히 공부를 한 끝에 좋은 점수를 취득해 실습 인원으로 선정될 수 있었 습니다.셋째, 서울 테크노파크에서 반도체 Fab을 견학하고 공정 실습을 해 보았습니다. sputter ... 앰코에서도 업무에 문제가 생겼을 때, 열 린 마음으로 원인을 분석하고 해결해 나가겠습니다.4.단체생활을 하는데 있어 본인의 강점과 약점이 무엇인지를 서술하시오. (10점)강점: 경청 ... 2학년 2학기 기초 회로 실험 팀 프로젝트에서 4비트 2진 카운터를 이용해 주차장의 입출차 대수 카운팅 및 차단기를 열게끔 하는 프로젝트를 완성했습니다.

  자기소개서 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.02.13

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  Photolithography 결과보고서

  오차 원인 최종 결과를 보면 1000Rpm 유리기판의 마크가 선명하게 나왔으며 3000Rpm의 경우 희미하여 거의 보이지 않는 것을 알 수 있다. ... 노광이 끝난 후 현상액과 증류수를 이용하여 현상을 하고 hard bake를 통해 밀착력을 높여준다. 5. 20mA, 240초로 세팅된 sputter를 이용하여 웨이퍼를 금속과 증착한 ... Rpm RamP(s) Time(s) 1000 10 10 2000 10 10 3000 10 10 4000 10 10 {표 1 – 스핀코터의 설정변수} 이 과정에서 PR용액이 빛에 매우

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.04.05 | 수정일 2024.07.18

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  [2019 A+ 인하대 공업화학실험] 패터닝 결과보고서 공화실 결보

  그리하여 selectivity도 예측과 다르게 C2F6/ Ar의 비가 증가할수록 증가했다.오차 원인우선 실험결과의 예측이 틀렸을 수 있다. ... 이는 C2F6가 증가할수록 Ar+의 물리적식각, 즉 sputtering가 감소한다. ... 가장 흔하게 생각할 수 있는 오차의 원인은 장비의 오류이나, 그를 제외하고 생각하면 pressure이나 power이 C2F6가 충분히 플라즈마가 될 정도로 세지 않았다는 것726.

  리포트 | 17페이지 | 3,500원 | 등록일 2020.04.13 | 수정일 2020.04.18

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  패터닝 결과보고서(학부 실험)

  공정에서 selectivity가 더 높을수록 좋다고 말할 수 있다.3. 오차 발생원인우리 조의 실험 결과를 보게 되면 selectivity가 너무 작은 값을 가진다. ... (sputtering effect)③ C2F6 gas : Ar+가 wafer를 공격하면 wafer 표면의 SiO2가 떨어져 나가는데, 이 때 라디칼 형태의 F가 SiO2와 결합하여 ... 특히 #2의 데이터 값을 보게 되면 위치별로 두께 값이 큰 차이를 보인다. 이는 한 시료 내에서 식각과 ashing 과정이 위치적으로 동일하게 이루어지지 않았다는 것을 말한다았다.

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2018.06.17

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  VLSI공정 7장 문제정리

  방법을 (2종 이상) 설명하라.1) EPD(etching-pit-density): 에치 피트 밀도식각 메커니즘->rm XeF_2 가스에 의한 화학적 식각공정과 Ar 이온빔을 사용해 sputtering하는 ... )의 대략적 두께와 발생원인? ... 또한 건식식각 시에는 이온 충격을 견딜 수 있는 물리적인 강함도 요구된다.e) Endpoint(식각완료시점)를 결정하는 방법 2가지 이상 설명하시오.-> 가스방전에서 여기되는 원자와

  리포트 | 9페이지 | 4,000원 | 등록일 2018.06.05 | 수정일 2020.05.03

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  각종 진공 펌프 원리 사용방법 sputter

  전원을 인가한다.⑥. shutter를 열어 박막을 제조한다.- 종류1) 직류 다이오드 스파터링(DC diode sputtering)진공으로 된 유리관에 양극과 음극의 두 전극을 넣고 ... 따라서 sputtering시 기판과 target과의 거리는 중요한 인자가 된다.- 사용 방법?. 기판을 Cleanning 한다. 기판은 주로 유리를 사용한다. ... 진공 분위기로 만드는 방법은 먼저 rotary pump를 통해서Torr정도로 진공을 만든 후 turbo pump를 작동시켜 chamber가Torr로 진공 상태가 되게 한다.③. sputtering

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.03

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  sputtering결과보고서

  DSSC(sputtering)- 예비 보고서 -과 목재료공학실습Ⅱ분 반1 분반담당교수김상호 교수님학 과신소재공학과학 번2005171032이 름임 언 호목 차1. 실습 과정2. ... 정확하지 않은 방법이었고 또 그래프 결과가 예상 밖으로 나온 증착 층의 측정에서는 종이와 증착 층 사이에 공간이 있어 빛이 더 투과 되었다거나 반대로 겹쳐 덜 투과 되어서 이렇게 오차가 ... sputtering작업 전 모든 준비를 마치고 TiO2 23분, Pd (15초, 30초, 1분, 3분), 다시 TiO2 23분씩 sputtering을 하였다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.25

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  진공증착 (Sputtering)_re

  여러 가지 오차 원인이 있겠지만 질량측정시 발생한 오차가 가장 큰 것으로 생각된다. ... 이것들은 sputtering에 적정시간이나 적정전류가 존재한다기 보다는, sputtering 전후 질량측정시의 오차가 발생했다는 것을 보여준다. ... 전 glass plate 질량(g)sputtering 후 험이었다. sputtering될 물질의 target과 wafer가 있는 진공에 가까운 반응실에 이온화된 아르론이 주입되며,

  리포트 | 8페이지 | 5,000원 | 등록일 2011.06.10

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  SEM image의 생성원리, charging 현상 해결방안, OM vs SEM 의 image 비교

  OM 과 SEM 의 image를 보고 차이점을 말하고 그 이유를 설명하시오.(여기서는 OM과 SEM의 image에서 나타나는 명암 차이의 원인을 중심으로 서술해 나가겠습니다. )? ... Ion sputter법이 있다.① 진공증착법? ... 증착재료로는 일반적으로 금, 탄소가 많이 사용되고 있다.② Ion sputter법?가장 널리 손쉽게 쓰여 지는 방법이다.

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.16

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  태양전지 연구동향

  사용하여 증착을 하며, CIGS 광흡수층은 evaporation, sputtering, electro-deposition, ink-printing, solution coating ... 박막의 적층구조를 갖는 CIGS태양전지의 후면전극으로 사용되는 몰리브덴(Mo), ITO(Indium doped Tinoxide)는 sputtering이나 e-beam evaporation을 ... 염료감응형 태양전지의 효율을 급속히 올릴 수 있게 뙨 주요 원인 중의 하나는 TiO2와 같은 반도체 산화물의 표면적의 증가이다.

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.03.09

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  태양전지의 연구 동향

  사용하여 증착을 하며, CIGS 광흡수층은 evaporation, sputtering, electro-deposition, ink-printing, solution coating ... 박막의 적층구조를 갖는 CIGS태양전지의 후면전극으로 사용되는 몰리브덴(Mo), ITO(Indium doped Tinoxide)는 sputtering이나 e-beam evaporation을 ... 염료감응형 태양전지의 효율을 급속히 올릴 수 있게 뙨 주요 원인 중의 하나는 TiO2와 같은 반도체 산화물의 표면적의 증가이다.

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.12

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  골프레포트

  이는 경사지에서의 퍼트에 대한 초기의 볼에 대한 방향의 미스의 마진이 작기 때문이다.2.5 피트 거리의 퍼트에서 얼라인먼트의 오차 범위는 4도 정도 여서 작은 정도의 미스는 퍼팅의 ... 이렇게 하면 퍼터(putter)가 일직선으로 바르게 움직이는 스트로크(stroke)를 할 수 있다.c.스윗 스팟(sweet spot)에 맞게 스트로크 한다. ... 퍼팅(Putting)그린(green) 위에서 퍼터(putter)를 사용하여 스윗 스팟(sweet spot)으로 퍼팅 라인(putting line)을 따라 클럽 페이스(club face

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.11.09

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  [발광디스플레이 과제] 2단원 요약 정리 (Phosphor Quantum Dots, Qdots)

  발광디스플레이 과제 (2단원 요약)- 목 차 -2. ... 일반적으로 surface state는 재구성된 표면에서 불충분한 결합이 원인이지만 화학량론과 voids에 의해 영향을 받는다. surface state의 에너지는 일반적으로 Qdots의 ... Physical vapor deposition(PVD)에 의한 layer 성장은 thermal evaporation이나 sputtering에 의한 기체에서 고체로의 condensation에

  리포트 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2011.12.31

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  LGD

  ITO 패턴 에칭을 하는 실습을 했는데 PR과 mask, sputtering을 해보고 노광 후, 세척까지 하니 공정과정을 한 번에 알게 되었고 흥미로움을 느꼈습니다.8월 26일 구미 ... 대량생산이 가능하고, 공정이 간단하지만, stamp와 resist 접촉에서의 문제점을 해결하려 한다고 알게 되었습니다. ... 상황을 보는 시각과 견해의 차이가 많았으나 상대방의 의견을 존중하면서 원만한 결론을 도출하였던 경험을 기술해 주십시오.당시 의견 차이가 발생한 원인은 어떤 사항이었고 어떠한 방법으로

  자기소개서 | 2페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.03.14

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  ITO Glass에 대한 소개와 쓰임

  다른 진공 코팅방법에 비하여 작업조절이 용이하고 0.50.60.70.61.00.60.7금속의 sputtering yield(atom/ion)NSIB(Negative Sputtering ... 100tons/㎡의 접착력)NSIB의 원리● Cs 환경에서 target 표면의 work function이 감소되어 표면에서의 전자의 밀도가 현격하게 증가하게 된다.● 이 전자들은 sputtering시 ... 이러한 문제점을 보완할 수 있는 새로운 물질의 개발이 요구되었고 다양한 재료의 개발이 이루어져 왔다.● ITO는 가장 널리 이용되는 산화투명전극중 하나● 전기전도와 투명성 두 가지를

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.14

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  Four point probe의 원리 및 실험

  : 여러 번의 probe측정에 대하여 오차가 생기는 것에 대한 고찰은 여러 가지 원인을 생각해 볼 수 있다.첫째로, 우리가 측정하는 sample의 표면에 sputtering을 한 것이 ... 이 것은 물질의 고유한 값이라 생각을 하고 있었는데 변화하게 되는 것을 보고 의아하게 생각하게 되었다.이에 대해서 생각해 본 결과, 시편위에 sputtering된 두께가 Å단위이기 ... 함수 F(x)를 구할 수 있게 되는데, 이 때 함수값 F(x)는 다음과 같은 식에 만족하게 된다.y = ax + b (식 3.3)이 식은 우리가 잘 알고 있는 일차 방정식 또는 일차

  리포트 | 8페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.06.17

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  RF Magnetron Sputtering

  cathode로 하여 sputtering 할때 주파수가 10MHz이상 되어야 효과적인 sputtering이 일어남 (13.56MHz, 27.12MHz의 RF가 사용) 절연체 target은 ... 근처에 형성 방출되는 2차전자는 target suface을 가로 질르는 나선운동 높은 밀도lasma가 tgraet suface에 형성됨으로 이온화 율 증가RF Magnettron ... sputtering(낮은 압력에서도 사용가능) 낮은 MHz영역에서 ion들은 질량이 크기 때문에 potential oscillation을 효과적으로 따라갈 수 없다 Target을

  리포트 | 35페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.04.20

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