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전자회로실험 25장 공통 이미터 증폭기의 주파수 응답 레포트
트랜지스터 특성 데이터 사용해 C_be,C_bc,C_ce 기록, 결선 커패시턴스의 C_(w,i),C_(w,o) 기록 C_be=10pF,C_bc=4.5pF, C_(w,i)=8pF,C_(w,o)=4pF ..
공학/기술
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2022.12.29
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전자회로실험 24장 전류원 및 전류 미러 회로 레포트
JFET 전류원 회로 결선, R_L=51Ω 사용. 드레인-소스 전압 측정 V_DS=9.885V 다음은 JFET 전류원을 구현한 회로도이다. 부하전류 계산 I_(R_L )=(V_DD-V_..
공학/기술
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2022.12.29
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전자회로실험 23장 달링턴 및 캐스코드 증폭기 회로 레포트
회로의 직류 바이어스 전압과 전류 계산. VB = 약 5.75V VE = 약 5.325V 이론 값을 계산하면 다음과 같다 V_B=10*((6k+55+51k))/(50k+6k+55+51K)=5.33V..
공학/기술
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2022.12.29
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전자회로실험 33장 발진기 회로 2 레포트
고찰 이번 실험에는 7414 슈미트 트리거, 741 opamp, 555타이머를 사용하여 발진 회로의 특성을 분석하는 실험이었다. 하지만 실험실에 이 소자들이 없는 관계로 LM301로 실험을 진행하였다. 그 결과 정..
공학/기술
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2022.12.29
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전자회로실험 32장 발진기 회로 1 위상편이 발진기 레포트
고찰 실험 초기에는 5Kohmm의 가변저항을 사용했었는데 이때는 발진하는 현상을 찾아보기 어려웠다. 혹시나 하여 가변저항의 값을 10kohm으로 바꾸어 실험하였더니 발진하는 지점을 찾을 수 있었다. 이유는 다름 아..
공학/기술
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2022.12.29
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2024년 07월 19일 금요일
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