"GaA" 검색결과 241-260 / 1,174건

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  태양전지과제(최종)

  GaAs 계열, 적층형 등2) 위성용 태양전지IV 족 : 단결정 실리콘, Ge (저온용)GaAs 계열 : GaAs, InP 등적층형(Tandem) : GaAs/Ge, GaInP/GaAs ... , GaAlAs/GaAs3. ... 이용목적 및 구조에 따른 분류1) 지상용 태양전지결정형 : 단결정, 다결정 실리콘 태양전지, GaAs/Si 등박막형 : 비정질 실리콘, CdS, CdTe, CuInSe2 등집광형 :

  리포트 | 24페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.12.07

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  [물리전자] 6단원 내용 정리

  MESFET use the GaAs as the vexil . ... By saturation, the saturation current of a typical GaAs MESFET appears.

  리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.04.01

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  [공학]반도체란!

  , InGaAs, InGaAsP 화학적 조성에 따른 분류 IV 족; Si, Ge III-V 족; GaAs, InP II-VI 족; ZnSe, CdS반도체 재료고체의 결정구조 결정질 ... 반도체 (elemental semiconductor); Si, Ge 화합물 반도체 (compound semiconductor; binary, ternary, quaternary); GaAs

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.05.14

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  LED(Red, Yellow, Green, Blue, White)의 전압에 따른 전류측정

  .◆ LED에 적합한 재료- 발광파장이 가시 or 근적외영역에 존재하는 것- 발광효율이 높은 것- pn접합 제작 가능한 것비소화갈륨 GaAs, 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2018.04.26

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  [물리전자] "What is a semiconductor?"

  Examples of these are GaAs, GaP , InAs , InSb , GaN , SiC … to name just a few.

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.03.25 | 수정일 2019.04.01

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  3-5족 박막형 태양전지 원리 및 활용분야

  활용분야활용분야 (1/3) 우주용 태양광 패널 내열성 및 내방사성이 우수 * 우주용 태양광 패널로 활용 * 대부분의 인공위성 TJ InGaP / GaAs / Ge 태양전지 사용 * ... 태양전지 기술 (3/4) 다중접합 원리 https://youtu.be/UZ22bt6F9Ow [Current matching] Blue : Ge Green : GaInAs Red : GaAs

  리포트 | 12페이지 | 3,000원 | 등록일 2017.09.15

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  LED 기초와 LED란 장단점 전망

  관련된 이미지 넣어주세요 LED(Light Emitting Diode) 는 우리 말로는 ' 발광다이오드 ' 라고 표기하며 , 전류를 가하면 빛을 발하는 반도체 소자 주로 갈륨비소 (GaAs

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.05.24 | 수정일 2018.08.22

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  태양전지의 재료

  대량생산을 통해가격을 획기적으로 절감할 수 있다는 장점을 지니고 있다.그러나 유리 등 값싼 기판위에 양질의 다결정 실리콘 박막을 제조할 수있는 공정에 대해서는 계속 연구개발 중에 있다.GaAs

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.12.31

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  광동어 자기소개 스크립트 입니다. cantonese

  Do ze dai gaa ... Thank YouNgo5 ji4 gaa1 hok6 gan2 Gwong2 dung1 waa2. ... I study at Hong Kong Polytechnic University and I am studying business management.Daai6 gaa1 hou2.

  자기소개서 | 2페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.07.26 | 수정일 2017.08.04

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  [Pochi Yeh] Optical Waves in Layered Media (2nd Edition) chapter 12 해석본

  사실은 ALGaAs층에 샌드위치된 매우 얇은 GaAs층에서 1.4eV의 밴드갭을 가지는 반도체 이다. AlAs는 대략 2.7eV보다 큰 밴드갭을 가진다. ... 따라서, 전위 우물의 깊이는 전자의 경우 220meV 이고 정공의 경우 30meV 이다.GaAs에 전자를 한정하기 위해 유효질량 me=0.0665 m이다. ... 한정된 층의 양자 상태를 살펴 봅니다.그림 12.4그림 12.4를 참조하면, Al0.2Ga0.8AS 의 2개층 사이에 끼어있는 140옴스트롱의 GaAs층을 고려한다.

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.01.19

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  연세대 창의설계 보고서

  GaAs, InAs, InP, InSb가 이에 해당한다. III-V는 음전하를 가지는 전자의 이동도가 Si 대비 높은 특성을 보인다. ... 이러한 결정결함 때문에, 성장된 GaAs 반도체에는 계면에서 misfit dislocation, 표면에서 threading dislocation이 형성된다. ... III-V 화합물 반도체인 GaAs는 Ge(a=0.566)과 비슷한 격자상수로 Si(격자상수 a=0.543) substrate에서 성장시키면 약 4%의 lattice mismatch가

  시험자료 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.06.29

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  전압인가시 LED(Red, Yellow, Green, Blue, White)의 발광시점 및 최대·최소 전압 측정

  .◆ LED에 적합한 재료- 발광파장이 가시 or 근적외영역에 존재하는 것- 발광효율이 높은 것- pn접합 제작 가능한 것비소화갈륨 GaAs, 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2018.04.26

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  광전자 자기소개서 작성 성공패턴과 입사시험 기출면접문제

  ☞ Infrared Emitting Diode(GaAs), Infrared Emitting Diode(GaAlAs), Infrared Emitting Diode(Lamp), Pin-point

  자기소개서 | 152페이지 | 9,900원 | 등록일 2017.03.05 | 수정일 2019.06.03

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  역격자 작도방법 및 결정계에 따른 면간거리에 대한 답변.

  결정학 4차 과제1. 격자 상수가a=b=4 ANGSTROM ,` gamma =90°인 직격자와 관련하여 아래 질문에 답하라.(1) 격자면 (10),(01),(11),(12),(21)을 작도하라.(2) 각 격자면에 해당하는 역격자점을 작도하라.답: 격자면을 작도하기 위해..

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.09.16

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  LED 원리와 개발 방향

  LED의 원리와 개발 방향발광다이오드(LED, Light Emitting Diode)는 화합물 반도체(GaP, GaAs)의 PN 접합 다이오드에 순방향 전류가 흐를 때 빛을 발하는

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.10.12

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  PEC CELL

  최근까지 PEC에 관한 연구 중에 실질적으로 영향력 있는 결과로 평가되고 있는 것은 미국의 NREL의 Turner그룹에 의해 1998년 보고된 연구로 GaAs와 GaInP2를 이용하여 ... 부족한 에너지 변환 효율을 나타낸다.그림5. spectrum of solar radiation반면 낮은 band gap에서 중간정도의 band gap을 가지는 물질들의 경우(Si, GaAs

  리포트 | 16페이지 | 3,000원 | 등록일 2018.10.30

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  LED(Red, Yellow, Green, Blue, White)와 CdS셀 간의 거리에 따른 저항측정

  .◆ LED에 적합한 재료- 발광파장이 가시 or 근적외영역에 존재하는 것- 발광효율이 높은 것- pn접합 제작 가능한 것비소화갈륨 GaAs, 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2018.04.26

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  적색 LED Review

  -xGaInPp_AlGaInPGaP windown_GaInP ESLn_GaAs contact layerp-GaPMQWSi wafern-AlGaInPp-AGalInPGaInP ESLn-GaAs ... 격자 정합되는 구조로 성장됨Red LED AlGaInP/GaAs Material System..PAGE:9Red LED AlGaInP/GaAs 특성 요구 수준Theoritical625nm218lm ... Stop layer 제거n-metal 형성Contact layer 제거GaAs subp-GaPMQWSi wafern-AlGaInPp-AGalInPGaInP ESLn-GaAs contactBonding

  리포트 | 12페이지 | 4,000원 | 등록일 2010.07.14

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  UV 경화형 (2-EHAAA) 점착제의 경화제 함량 변화에 따른 점착물성 측정 실험 결과

  점착제 제조샘플재료PSA-1PSA-2PSA-3PSA-4PSA-52-EHA6g6g6g6g6gAA1.5g1.5g1.5g1.5g1.5goligomer7.5g7.5g7.5g7.5g7.5gEB12900.3g0.6g0.9g1.2g1.5gTPO0.3g0.3g0.3g0.3g0.3g1

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.10.14

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  갈륨비소-탄소나노튜브 복합체 제작과 전계방출특성

  한국재료학회 임현철, 찬드라세카, 장동미, 안세용, 정혁, 김도진

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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