"GaA" 검색결과 281-300 / 1,176건

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  화합물반도체

  특징 Silicon 은 수광 기능만 갖고 있으나 , GaAs 는 가시광선 영역에서 발광 및 수광 기능을 갖음 GaAs 는 0.87 ㎛ 파장의 빛을 낼 수 있음 이식에서 υ 는 주파수 ... Be 5 B 6 C 7 N 8 O IV 족 ~ C : 절연체 Sn, Pb : 금속도체 Si, Ge : 반도체 ( 원소 반도체 ) 화합물 반도체 (Compound)~ III-V : GaAs ... 화합물 반도체의 재료 및 특성 4 2 개 이상의 원소가 화학적 결합에 의해 구성하는 반도체 Ⅲ− Ⅴ 화합물 반도체⇒ GaAs, InP, InAs, GaSb 등 Ⅱ−Ⅳ 화합물 반도체⇒

  리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.23

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  발광소자 특성 측정실험 결과보고서

  GaAs나 GaAlAs와 같은 반도체 물질들은 굴절률이 3.6 정도로 높기 때문에 공기와의 경계면은 빛이 공진 할 수 있는 반사 조건을 제공하여 평행한 양 쪽 절단면은 레이저 공진기를

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.10.15

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  기초실험및설계1 예비보고서(트랜지스터의 스위칭 특성과 전류 증폭기)

  Transistor의 약어로 전계 효과 트랜지스터라 하며 접합형 FET와 MOS형 FET 및 GaAs형 FET가 있다. ... 일반적인 트랜지스터는 실리콘으로 되어 있는 바이폴러 트랜지스터를 말한다.Unipolar transistors(J-FET, MOS FET, GaAs FET) : Field Effect ... 접합형 FET는 오디오 기기등 아날로그 회로에 많이 이용되며 MOS형 FET는 주로 마이크로컴퓨터 등의 디지탈 IC에 사용되고, GaAs형FET는 위성방송 수신 등의 마이크로파의 증폭에

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.05.30

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  전기전자실험 - 전압제어발진기 (Voltage–Controlled Oscillator)

  여기서 VCO는 PLL의 핵심 요소로서 동작하게 된다.발진기는 직류 전력을 교류 전력으로 변환하는 에너지 변환 회로로, 오늘날 대부분의 초고주파용 발진기들은 GaAs FET나 BJT

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.11.20 | 수정일 2018.11.26

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  LED 특징과 활용 (LED,OLED,LCD,LED 구성,LED 원리,LED 분류)

  재료로 에폭시 수지 또는 폴리메타크릴레이트로를 사용하느냐의 재료특성에 따라 변화함- LED의 배광특성으로 직진성이 강함3) 기타- 발광 다이오드의 구조는 갈륨의 화합물인 갈륨비소(GaAs ... 마찬가지로 GaP이며, GaP기판 결정 위에 LPE법을 이용해 p-n 접합을 형성하여 제작하는 LED로 옥외용 디스플레이로도 사용되고 있음GaAsP계 적색 LED- GaAsP결정은 GaA니-XPX의

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.02.27

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  LPE, VPE, MBE 장비

  예를 들어 GaAs 용융점은 1238℃이나 금속 Ga와 GaAs의 혼합물은 상당히 낮은 용융점을 갖는다. ... 단결정의 GaAs 층을 시드 결정 위에 성장시키는 것이다. ... 따라서 GaAs 시드 결정을 그것 자체가 용융되는 온도보다 낮은 온도에서 녹는 Ga+GaAs 용액 속에 담가둔 후, 이 용액을 용융점(Melting Point)으로부터 서서히 냉각시키면서

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.04.12

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  레치업

  MOCVD는 VPE의 형태이며, 일반적으로는 잘 사용되지 않고 저온에서 유기금속의 재료인 3종과 5종의 혼합물인 GaAs처럼 화합물 반도체 에피층이 증착될 때 사용한다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.11.01

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  LED Procsee

  typeStandard Window infrared LED, High Speed infrared LEDWafer sizeWafer diameter = 2, 2.5, 3inchn-GaAs ... GaAs/GaAsOPA 9437/9438940WGaAlAs/GaAsOPA 944X940SGaAs/GaAsOPA 941X 942X/943XColorWp(nm)MaterialPart ... MetallizationThis process is used to remove a small amount of surface materials and expose, “clean” GaAs

  리포트 | 54페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.01.09

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  태양전지 정의 및 이론 정리 만점 받은 레포트

  P형 반도체를 향해서 이동하는 것에 의해 전류가 흐름태양 전지의 종류태양전지실리콘화합물유/무기적측형박막형a-Si/ClSGaAs/Ge염료감응형고분자박막형벌트형박막형벌트형CuInSe2GaAs비정질단결정CdTeInP다결정다결정

  리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2019.02.28 | 수정일 2021.07.01

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  스위치 및 led 점멸 실험

  dp0a b c d e f1b c2a b d e g3a b c d g4b c f g5a c d f g6a c d e f g7a b c8a b c d e f g9a b c d f gAa

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.07.15

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  반도체 LED 강의 1장 : 반도체 기술 소개

  정공의 농도가 더 높다)n-형과 p-형 반도체를 이용하여 다이오드, 트랜지스터 등과 같은 전자 소자를 만들 수 있고 많은 전자 제품에 응용된다 발광 소자 --- GaN, 사파이어, GaAs

  리포트 | 24페이지 | 4,000원 | 등록일 2014.05.20 | 수정일 2017.01.20

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  태양전지의 개요와 고효율화 방안 (Trends Of The next-Generation Solar Cell Technology)

  분류 무기물 태양전지 반도체 태양전지 P-N 접합을 이용 N 형 반도체가 전자 , P 형 반도체 정공 전달체 역할 PN 접합 계면에서 전자 - 정공쌍 형성 Si 계열 태양전지 , GaAs

  리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.02

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  태양 전지

  - 실리콘계 태양전지 ① 단결정 실리콘 태양전지 ② 다결정 실리콘 태양전지 ③ 비정질 실리콘 태양전지태양전지의 종류- 화합물 반도체 태양전지 ① Ⅲ-Ⅴ족 화합물계 → GaAs, InP ... , GaAlAs, GaInAs 등 ② Ⅱ-Ⅵ족 화합물계 → CuInSe2, CdS, CdTe, ZnS 등 ③ Ⅳ족 화합물계(적층형) → GaAs/Ge, GaAlAs/Si, InP/Si

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.04

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  Ohmic contact & Passivation(오믹접합, 패시베이션)

  Epitaxy layer(InGaAs, InAs) between Metal and n-GaAs : Emitter contact of GaAs HBTSemicon ductorBandgap ... Ag, MoOhmic Contact - GaAs NonAlloy1. ... Cleaning(HF for Si, bromine-methanol for GaAs) 3. Metal deposition 4.

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.03

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  물리적 인자치료, 중간고사, 광선치료, 물리치료학과, 물리치료과

  발진dye(색소), 폴리페놀고체유리나 결정 등의 고체에서 발진루비, Nd-YAG(니오디뮴-야그), Nd-glass(니오디뮴-유리)반도체빛을 내는 반도체 다이오드에서 발진갈륨비소(GaAs

  시험자료 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.04.18 | 수정일 2022.06.08

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  태양광을 이용한 수소 연료 전지 실험보고서

  그리고 화합물계통에는 2-4족(CdS,CdTe등), 3-5족(GaAs,Inp등)이 있다.구조에 의해 분류는 크게 '결정형'과 '박막형'의 두 가지로 나뉜다.

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2018.03.21 | 수정일 2019.03.07

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  전자재료 및 실험6(전압인가시 각 LED의 발광시점 및 최소.최대 전압 측정)

  .· GaAsP계 적색 LEDGaAsP 결정은 GaAs1-XPX의 성분비 x를 바꿈으로써 적외선(x=0)부터 녹색(x=1)까지 발광한다.· GaAsP계 등황색.황색 LEDGaAsP의 ... GaAs1-XPX의 조성비 x를 적색 LED보다 크게 취함으로써 단파장화한다. x값이 0.65 및 0.75에서는 각각의 발광 피크파장이 630㎚ 및 610㎚의 등황색 LED로 된다.

  리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2014.12.17 | 수정일 2017.09.28

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  LED의 정의,구조,특징,응용

  LED 의 특성 (4) 재료적 특성 LED 에 사용되는 재료는 모두 화합물 반도체 화합물 반도체에는 여러 종류가 있다 ☞ Ⅲ-Ⅳ 족 GaAs , GaP , GaAsP , GaAlAs ... , AlInGaP , GaN ☞ Ⅱ-Ⅳ 족 ZnS , ZnSe , ZnCdSe ☞ Ⅳ-Ⅳ 족 SiC 가시광 LED 는 GaAs , GaP , GaN 계 화합물 및 혼합 반도체로 제작3

  리포트 | 18페이지 | 3,000원 | 등록일 2015.03.12 | 수정일 2021.07.06

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  높은 열처리 온도를 갖는 GOI 웨이퍼의 직접접합

  한국재료학회 변영태, 김선호

  논문 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  [감상문] 특별조치

  소아폼페병은 GAA가 거의 생산을 못하며(성인폼페병은 거의라기보다 충분히 GAA를 생산하지 못한다.) 증상은 출생후 1개월후부터 나타나게 된다. ... 있을 경우 GAA의 변이로 당원분해가 제대로 이루어지지 않아 몸전체에 당원이 지나치게 축적되게 되는데 특히 심장세포와 근육세포에 축적이 심하게 된다. ... GAA의 유전자에 변이도 약70여종 확인이 되었으며 증상도 나이나 심각도 및 효소의 부족양에 따라서도 달라지게 된다.폼페병은 상염색체에 위치한 열성형질로 유전된다.

  리포트 | 1페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.10.30

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