"GaA" 검색결과 261-280 / 1,176건

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  UV 경화형 (2-EHAAA) 점착제의 경화제 함량 변화에 따른 점착물성 측정 실험 결과

  점착제 제조샘플재료PSA-1PSA-2PSA-3PSA-4PSA-52-EHA6g6g6g6g6gAA1.5g1.5g1.5g1.5g1.5goligomer7.5g7.5g7.5g7.5g7.5gEB12900.3g0.6g0.9g1.2g1.5gTPO0.3g0.3g0.3g0.3g0.3g1

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.10.14

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  <생명과환경2019>태양광발전의 경제성에 대해 조사해보시오.

  -화합물계 태양전지화합물계(CdTe,CuTnSe2,GaAs등)태양전지는 효율이 높은 것이 장점이나 저가화,대먼적화가 문제로 이러한 부분을 해격하기 위한 기초 요소연구를 수행 중이다.또한

  방송통신대 | 7페이지 | 3,300원 | 등록일 2019.04.07

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  갈륨비소-탄소나노튜브 복합체 제작과 전계방출특성

  한국재료학회 임현철, 찬드라세카, 장동미, 안세용, 정혁, 김도진

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  2장 예비보고서

  접합부분을 통과하지 못하는 현상이 발생하는데 이 현상이 발생하는 구간을 공핍영역이라고 하며, 여기서 생긴 전위차를 문턱전압이라고 한다.Si의 경우는 0.7V, Ge의 경우는 0.3V, GaAs의

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.10.07

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  3장 예비보고서

  Si의 경우는 0.7V, Ge의 경우는 0.3V, GaAs의 경우엔 1.2V 의 문턱전압을 진다.2) 양논리 AND 게이트그림 13-2(a)는 2개의 입력을 갖는 AND 게이트를 나타내었다

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.10.07

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  스핀코터를 이용한 필름 제조 설계와 변수들의 영향 분석

  Spin coater의 이용 반도체에서 Si, GaAs 등의 웨이퍼에 PR (photo resist)을 코팅하는 경우나, TFT-LCD 생산 공정에서 TFT, 컬러필터 등의 기판 위에

  리포트 | 17페이지 | 5,000원 | 등록일 2018.08.17 | 수정일 2021.12.07

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  다이오드 재료 및 전기절연성

  갈륨비소[Gallium arsenide]-GaAs직접 갭형의 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 비교적 큰 대역갭(300K에서 1.43eV)실리콘에 비하여 전자의 속도가 6배정도트랜지스터 구조가

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.12.23

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  15Etching

  GaAs EtchWet Etching 의 장점공정 비용 저렴. 빠른 식각속도 선택비가 크다. (원하는 박막만 골라서 식각 가능.) ... - 기본과정 - SiO2 식각 - Si3N4 식각 - Si 식각 - Al 식각 -GaAs 식각 - Wet etching 장단점#. Dry etching ? ... Ga와 As의 (111)면에서의 표면 활성도가 달라서 Ga면보다 As면이 식각속도가 빠르다 2GaAs + 12h(+) +10H2O → Ga2O3 +As2O3 +4H2O + 12H(+

  리포트 | 48페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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  VLSI 설계의 여러가지 현상들

  1.PLD(Programmable Logic Device, 설계 가능 논리 소자)1)정의PLD(Programmable Logic Device)는 제조 후 사용자가 내부 논리 회로의 구조를 변경할 수 있는 집적 회로이다. 초기에는 사전에 프로그래밍 되어 양산에 제공되어서..

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.06.20

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  트랜지스터 조사

  GaAs형FET는 위성방송 수신 등의 마이크로파의 증폭에 사용됩니다. ... .☞ FETField Effect Transistor 의 약어로 전계 효과 트랜지스터라 하며 접합형 FET와 MOS형 FET 및 GaAs형 FET가 있습니다.

  리포트 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2015.11.25

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  [반도체 공학 재료공학] MBE

  MBE 원리 MBE에 의한 GaAs의 성장기구 MBE 조작방법 MBE의 장.단점MBE란? ... Ga원자가 공급되면 As4는 GaAs표면에 흡착하여 표면위를 이동 .흡착하지 않은 As4분자가오면 As2로 분리하여 4개의 As원자는 결정을 형성 .나머지 4개의 원자는 재결합하여 ... 온도하에서 단결정 물질의 표면에 분자선을 가함으로써 epitaxial layer를 만드는 일종의 정밀한 very high vaccum evaporatorMBE 원리MBE에 의한 GaAs의

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.04.14

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  반도체소자 : 결정구조,도체부도체와비교,crystaline

  rectifier, transistor and IC elements Si , Ge Compound high speed device, optical device (LD, LED ) GaAs ... Corners and FCC site atoms are the same kind, while 4 atoms inside the cell are different kind atoms GaAs

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.11.03

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  [인하대 A+ 실험보고서] 공업화학실험 패터닝 예비보고서

  이 때 전자의 영향이 미치는 거리를 디바이 길이라고 한다.반도체 제조 공정과 정의 (각각의 단일 공정을 개략적으로)① 웨이퍼 공정(Wafer): 웨이퍼란 규소(Si)나 갈륨비소(GaAS

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.03.05

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  태양전지의 이해

  태양전지의 종류별 변환 효율종류실리콘 반도체화합물 반도체결정계통비결정계통Ⅲ-Ⅴ족Ⅱ-Ⅳ족단결정다결정아몰퍼스GaAs,InP 등CdTe,Cis 등변환효율(%)15~1812~146~817현재 ... 태양전지의 종류1) 태양전지의 반도체들은 주로 실리콘(Si)과 갈륨아세나이드(GaAs)이며, 실리콘이 가장 많이 활 전자부품이나 태양전지에 사용할 수 있는 것은 고순도의 실리콘을 회수하여야

  리포트 | 23페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.11.14

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  고체화학-Solar Cell Based on Bulk Si

  가장고효율 , 우주용 ,AS 유해성 , 고가 1% 29% - 박막 CuInGaSe 이종접합 , 물질합성용이 3% 11% - 적층 박막 AGaAs / GaAs 고효율 , 연구실실험용 ... 고순도 , 낮은결함 , 고가 32% 24% 15% Si 다결정 저렴한공정 , 저순도재료 53% 20% 14% 박막 Si 비정질 최초박막 , 저가 8% 12% 8% Non-Si 결정 GaAs

  리포트 | 23페이지 | 3,000원 | 등록일 2015.07.11

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  태양전지 과제

  , InP이 대표적입니다.a) GaAs의 장점이상적인 band gap에 가깝고, 고온에서도 안정합니다. ... 또한, 같은효율에서 더 큰 Voc와 더 작은 Isc를 가집니다.흡수계수가 크고, 다결정박막전지보다 효율이 더 좋습니다.b) GaAs의 단점wafer가 너무 비싸고, 기계적으로 너무 ... transition band structure을 가지고, Hetero-junction solar cell에 쓰입니다.ex) CdTe의 band gap = 1.45eV3) 3,5족GaAs

  리포트 | 8페이지 | 2,500원 | 등록일 2015.12.03

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  조직이론과 설계 ) 비영리조직 or 생활협동조합의 역사에 관해서 작성

  설립되었다. 1950년대는 주로 미국에서 국제 NGO들이 설립되었고, 1960년대에는 주로 유럽에서 설립되었다. 1962년에는 저먼아그로액션(German Agro Actioin: GAA

  리포트 | 8페이지 | 5,000원 | 등록일 2019.07.04

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  단일 공정에 의한 고효율 단일모드 반도체 레이저 구조 제작을 위한 고밀도 양자 나노구조 형성

  한국재료학회 손창식, 백종협, 김성일, 박용주, 김용태, 최훈상, 최인훈

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Thermal Evaporation을 이용한 금속 박막 증착

  좀 더 풀어서 말하면, 많이 쓰이는 산화물 반도체나 GaAs 등을 증착시킬 때 PVD방법들은 그 화합물들을 우선 소결하거나 녹여서 고체 상태의 target으로 제조해서 열 또는 전자빔으로

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.06.30

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  신프3 광전자 결과

  셀의 효율= 15~17%비결정질 박막형 실리콘 태양전지의 효율= 10% 내외유기물(플라스틱), CIGS 플렉시블 박막형의 효율= 6~10%세계 최괴의 태양전지 효율 = 41.1% (GaAs

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.01.27

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