"스퍼터링" 검색결과 261-280 / 774건

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  SPUTTER

  즉, 자기력선이 직선에 가까운 곳에서 더 많은 스퍼터링이 일어난다. 따라서 Target에서 균일한 증착 속도가 얻어지지 않는다. ... Magnetron 스퍼터링에서 전자는 자장과 전기장에 의해 Lorentz의 힘을 받아 선회 운동(gyration)을 하며 가속되기 때문에 나선 운동을 한다. ... 입자가 물질의 원자간 결합에너지 보다 큰 운동에너지로 충돌할 경우 입자 충격에 의해 물질의 격자 간 원자가 다른 위치로 밀리게 되는데 이때 원자의 표면 탈출이 발생하게 되는 현상 - 스퍼터링

  리포트 | 27페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.07

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  3. Thermal evaporation 예비

  방법에 비하여 극히 빠르게 코팅할 수 있으며, 이온 스퍼터링은 코팅층의 합금성분과 피복율을 쉬게 조절할 수 있다. ... 전자부품, 반도체, 태양열에너지, 광학 및 미장 등 다양한 분야에 응용되고 있다.진공증착, 이온, 스프터링, 이온도금 등의 방식은 요구되는 코팅종류에 따라 선택되어지는데, 진공증착은 스퍼터링 ... 증착법은 진공(10-4Torr) 중에서 고체 또는 액체를 가열하여 분자 또는 원자로 분해한 후 기판표면상에 응축시키는 방법으로, 장치 구성이 간단하고, 매우 많은 발시키는 방법과 이온 스퍼터링에

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.05.22

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  플라즈마 방전관 설계

  이에 따라 음극에서 입사하는 이온의 에너지가 커지면 스퍼터링(sputtering)이 현저하게 된다. 스퍼터링 이란 가속된 원자나 분자가 공간속으로 튀어나가는 현상을 말한다.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.05.30

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  삼성디스플레이 연구개발 17상반기 인턴 최종합 자소서입니다

  ALD 증착, 스퍼터링 등의 실험을 하며 이러한 공정이 디스플레이의 TFT 제작에도 유사하게 사용된다는 것을 알았습니다.

  자기소개서 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2017.11.04

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  진공 및 박막의 전제척인 개념 및 박막의 3가지 성장모델, CVD & PVD 비교 정리

  또 에너지가 약해서 스퍼터링 효율이 낮다.RF 스퍼터링은 RF 주파수 13.56MHz를 걸어주어 플라즈마를 형성한다. ... RF 플라즈마는 부도체도 스퍼터링이 가능하고 DC 플라즈마보다 더 고밀도의 플라즈마라서 스퍼터링 효율이 높고 증착조절이 좋다. ... 이럴 때 (-)극을 대전시키면 (+)극을 상쇄시켜 다시 스퍼터링 할 수 있다.

  리포트 | 8페이지 | 6,500원 | 등록일 2013.04.22 | 수정일 2022.11.21

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  SIMS( Secondary Ion Mass Spectroscopy )

  v=IO-KCjxznLs 스퍼터링 http://www.youtube.com/watch? ... 정의Secondary Ion Mass Spectroscopy 이차 이온 질량 분석기SIMS의 정의SIMS의 종류Dynamic SIMS Statics SIMSSIMS의 원리일차 이온의 생성과 운반 스퍼터링

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.06.24

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  Sputtering 방법을 통해 증착한 Cu/Ti 박막의 후열처리 온도에 따른 Cu-silicide형성과 비저항에 미치는 영향의 특성평가실험

  고체 표면과의 반응.① 이온반사② 전자방출: 2차전자(secondary electron)③ 이온주입④ Radiation damage⑤ 스퍼터링(2) 스퍼터링 원리스퍼터링 과정: 이온 ... 저온 증착이 불가능하며 불균일한 스퍼터링이 이루어진다.④ Magnetron 스퍼터링 - DC 스퍼터링과 비슷, cathode에는 영구자석 장착, target 표면과 평행한 방향으로 ... 기판에 입사하는 전류 밀도가 매우 낮다.⑥ 6) 반응성 스퍼터링 - 금속 target 을 이용하여 스퍼터링 할 때 불활성 가스와 동시에 반응성이 있는 가스 동시 주입.

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.26

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  Cu film의 전기적 특성분석 실험

  DC sputtering은 직류전원을 이용한 스퍼터링으로 타겟이 산화물이나 절연체일 경우는 스퍼터링 되지 않는다. ... RF sputtering은 고주파를 사용한 스퍼터링으로 저압에서도 플라즈마를 유지할 수 있다. ... 산소, 질소등의 반응성 기체를 첨가하여 반응성 스퍼터링을 하여 산화물과 질화물 박막을 제조한다.스퍼터의 종류로는 DC sputtering과 RF sputtering이 있다.

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.05.12

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  멜트 스피닝 (melt spinning)

  비정질을 형성하는 실험방법 3가지- 스퍼터링- 진공증착- 이온플래이팅멜트 스피닝(melt spinning)- 섬유 형성능이 있는 고분자 물질을 가열 융해하여 방사 노즐에서 공기나 수중에

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.01.12

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  [반도체 공정 A+] High k(고유전체) 관련 레포트

  정공에 대한 전위 장벽이 전자에 대한 전위장벽보다 높기 때문에, 정공에전체를 형성하기 위해서 스퍼터링, CVD 및 ALD를 이용해서 증착한다.TiO2TiO2는 약 40~86 정도의

  리포트 | 8페이지 | 3,500원 | 등록일 2018.12.07 | 수정일 2021.11.08

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  DSSC시간변위

  스퍼터링 시간 변위에 따른 TiO2 농도 비교 (좌부터 5분, 15분, 30분, 45분)6. ... 전자의 원활한 이동을 위해 실버 페이스트를 FTO면에 도포4조3.015%45분평균1.82%▲스퍼터링 시간변위에 따른 각조의 효율 비교▲사진1. ... 염료감응형태양전지스퍼터링 시간 변위에 따른 효율비교-결과 보고서-목차1.실험목적2.기초이론 및 원리3.준비 기구 및 장치4.실험과정5.실험결과6.토의 및 고찰7.인용 및 참고문헌1.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.11.16 | 수정일 2018.05.10

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  Thermal Evaporation법을 이용한 박막의 제조 예비

  규산글래스, 질화물 등의 절연물 박막도 스퍼터링법으로 형성된다. ... 스퍼터링에 의한 박막형성의 속도는 일반적으로 상당히 느려서 십~수십nm/nm의 정도이다. ... 더구나 스퍼터링장치에는 이온과 고속중성입자가 진공용기내벽에 충돌하기 때문에 증착장치에 비해 다량의 가스 된다.

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.03.08

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  85화합물 반도체 공정(유전막 증착)

  RF 스퍼터링 Magnetron 스퍼터링 그 밖의 스퍼터링 - 3극 스퍼터링 - Unbalanced magnetron 스퍼터링 - 반응성 스퍼터링DC 스퍼터링DC 스퍼터링은 diode ... (스퍼터링)스퍼터링(sputtering) 현상은 1852년 Grove에 의하여 처음 발견됨. ... Unbalanced magnetron 스퍼터링 Unbalanced magnetron 스퍼터링 장치는 기본적으로 magnetron 스퍼터링 장치지만 내부 자석과 외부자석의 자장세기가

  리포트 | 43페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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  cigs의 개요 원리 구성및특성 박막성장기술 장단점 고효울화방안

  ( 스퍼터링 )CIGS 박막증착 ( 스퍼터링 ) 동시증발법 스퍼터링 구조 복잡성 복잡 간단 대면적화 어려움 가능 효율 높음 낮음 막 균일도 낮음 높음 내부오염도 높음 낮음박막형성기술 ... 구리와 갈륨 합금 타깃과 인듐 타깃 순차적 스퍼터링 CIGS 박막증착 ( 스퍼터링 )Step 2 셀렌화 수소 가스 분위기에서 열처리하여 CIGS 광흡수층박막 제작 CIGS 박막증착 ... CIGS 박막 증착 ( 스퍼터링 )Source Target( 부도체 ) Substrate AC RF Ar + Electron Source Thin film CIGS 박막 증착 ( 스퍼터링

  리포트 | 62페이지 | 4,000원 | 등록일 2012.05.26

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  SnAgCu계 무연솔더의 전기화학적 반응에 따른 타펠 특성

  한국재료학회 홍원식, 김광배

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  [금속재료공학]FCCL

  그러나 스퍼터링 을 이용하여 그 정도 두께의 박막을 입히려면너무나 많은 시간이 소요되기 때문에 편의상 스퍼터링을 이용한 박막은 약 500㎚ 정도 입히고그 다음에 구리 도금을 이용하여 ... 실험 목적PI필름에 니켈과 크롬, 구리를 스퍼터링 한 후 구리도금을 하여 각각의 경우에 따라서나타나는 부착력의 정도를 테스트 한다.3. ... 10㎛ 정도의 구리박막을 만들어 주었다.여기서 PI 판과 구리 박막 사이에 다른 금속을 스퍼터링 하여 박막을 입혔는데 사용된 금속이니켈과 크롬이었다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.12.08

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  [발광디스플레이 실험] CNT 성장을 위한 기본 기판 만들기

  중성화되어 중성원자로 target에 충돌하기 때문이다.① DC 스퍼터링DC 스퍼터링은 diode 스퍼터링 또는 cathode 스퍼터링이라고 하며, 증착속도는 기체의 압력과 전류밀도에 ... 절연막의 증착에는 주의가 요망된다.④ Magnetron 스퍼터링Magnetron 스퍼터링장치는 DC 스퍼터링 장치와 비슷하지만 cathode에 영구자석이 장착되어 target 표면과 ... 대부분의 스퍼터링은 cathodic sputtering이다.

  리포트 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.01.01

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  여러가지 박막의 응용

  그래서 전자선 가열증착, 음극 스퍼터링, 이온 보조방법 같은 것을 사용하는 경향에 증가하고 있다.SiO나 AlO는 높은 유전율을 갖지 못하지만 좋은 열적 인내성을 갖고 있음으로 널리 ... 증착, 스퍼터링 CVD등 외에도 ion cluster beam증착이 시도되었다. p-n 접합을 만들기 위하여 레이저나 전자빔 후속 열처리가 장착된 이온주입방식이 적용되고 있다, 효율은

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.01.24

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  [공학기술]ion plating(이온도금)

  그러나 실제로 기판이 스퍼터링될 정도로 충돌하는이온의 에너지가 높지는 않다.이온 도금은 다음과 같은 과정을 거쳐 막을 형성한다. ... 이는 기체 입자들 간의 충돌(gas scattering), entrainment, 막의 스퍼터링에 따른 결과로 얻어지며 결국 증착 속도는 감소하게 된다. ... 도금(ion plating)은 글로 방전(glow discharge)을 이용하여 기판에 지속적으로 이온충돌을 가하면서 막을 증착하는 공정으로 증발 증착(evaporation)과 스퍼터링

  리포트 | 26페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.06.08

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  진공 및 박막 실험 최종 보고서

  그래서 충분한 스퍼터링을 일으키기 위해서는 싸이클 동안의 평균 biss는 AC의 최고전압과 거의 같아야 한다.그림 9 박막 증착 중 모습 전형적인 RF판형 다이오드 스퍼터링은, 각 ... 이때 플라즈마 전압에 대하여 부전위가 흘러 피처리물을 스퍼터링할 수 없게 된다. ... 만일 전극주위에 플라즈마가 모여 있고 AC전압이 작용된 경우, 전자와 이온은 질량의 차이로 전자의 이동도가 더 크므로그림 8 RF 판형 다이오드 스퍼터링 음극에 발생된 것보다 훨씬

  리포트 | 53페이지 | 6,000원 | 등록일 2012.11.24

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