"Si GaAs" 검색결과 361-380 / 565건

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  반도체 소자의 기초

  CMOS, PMOS, ROM, EP-ROM 등 다양한 형태의 Device를 만드는데 이용된다 웨이퍼는 원재료에 따라 실리콘(Silicon) 웨이퍼, 게르마늄(Ge)웨이퍼, 갈륨비소(GaAs ... : 불순물 농도가 1:1013 이하웨이퍼실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer) 오늘날 반도체 소자 제조용 재료로서 광범위하게 사용 다결정의 실리콘(Si)을 원재료로 하여 만들어진 ... 4족원소로 대표적인 반도체 최외곽전자가 4개이므로 주변 4개의 원자와 공유결합으로 최외곽전자를 8개로 만든다 진성 반도체-매우 순도가 높은 결정체 Ge : 불순물 농도가 1:108 Si

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.10.23

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  염료감응형태양전지

  화합물 반도체의 경우에는 GaAs 가 25.1%, CIGS가 18.8% 기술 수준에 있다. 하지만 이들 값은 거의 이론 효율에 접근하고 있다. ... DSSC는 저가(low-cost)로 높은 효율(high efficiency)을 가지도록 만들 수 있기 때문에, 단결정인 Si나, 나노 결정 구조인 박막 태양 전지에 비해 큰 장점이

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.10.02

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  [전자.물리]반도체에 대해서..

  재료Si, Ge, GaAs, Se, CdSCdS, PbO, Se, ZnO, 유기반도체ZnS, ZnO 등ZnS, ZnSe 등Si, Ge, GaAs, Se열전변화재료열전발전재료열전냉각재료열전자방출재료서미스터 ... 대표적 재료능동소자재료다이오드 재료트랜지스터재료사이리스터 재료집적회로재료Si, Ge, GaAs, SeSi, GeSiSi광전변환 재료광전셀, 광전지 재료광도전 재료형광재료EL재료발광다이오드 ... , Ge, GaAs, SeCdS, ZnO, CdSe기타바리스터 재료SiC, ZnO4.

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.05.06

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  염료감응 태양전지

  또 GaAs 태양전지 경우 최대 효율이 28.7%로 높으나 우주용과 같은 특수용도에 주로 사용된다. ... 최대효율이 10~12%로 비교적 높고 재료비가 매우 싸며 대량생산이 용이하여 향후 기존 발전과 경쟁이 가능한 대안으로 부상하고 있으며 이에 대한 많은 연구들이 활발히 이루어지고 있다.Si-결정계

  리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.11

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  No.55 에너지 밴드

  에너지를 받아 전도대로 올라가면, 가전자대에는 정공이 형성되며, 이들 전도대로 올라간 전자 그리고 가전자대의 정공이 각각 전기전도에 기여하게 된다.Element금지대의 에너지갭 (eV)Si1.1Ge0.72GaAs1.34InSb0.18CdS2.45ZnO3.3 ... [그림 1] Si에서 원자간 거리를 줄일 때의 에너지 띠 형성고체 내부에 전자의 존재가 허용된 에너지 자리 ( allowed energy state )가 있다 하더라도, 임의의 개수의 ... [표 1] 물질의 전기적 특성과 에너지 밴드와의 관계반도체 재료로 사용되는 물질의 전도대와 가전자대 사이의 에너지 갭 중, Si의 경우 금지대의 폭은 상온에서 1.1eV로 절연체에

  리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.12.24

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  chapter+9+반도체와+다이오드_10

  LED 및 포토 다이오드9.1 반도체 소자와 전기 전도반도체 : 주위 조건 변화에 따라 도체 또는 부도체로 작용하는 물질 또는 소자일반적으로 4족 원소로 구성된 물질주로 실리콘 (Si ... 다이오드 (LEDs : Light Emitting Diodes)특수 재질로 만들어진 다이오드는 순방향 바이어스 되었을 때 공핍영역에서 재결합에 의한 에너지로 광자 발생비화갈륨 (GaAs

  리포트 | 32페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.06.17

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  pvd와 cvd

  PVD에 묶일 수 있는 이유는 증착시키려는 물질이 기판에 증착될 때 기체상태가 고체상태로 바뀌는 과정이 물리적인 변화이기 때문이다.좀더 풀어서 말하자면, 많이 쓰이는 산화물 반도체나 GaAs ... Al과 Si는 577℃에서 동시에 융해하기 때문에 577℃이하로 wafer를 유지하여 증착하지 않으면 Si표면에 Al이 침투한다. ... 또한 500℃에서의 Al에 Si의 용해도는 0.8wt%이다.

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.09.28

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  LED I/O 응용 및 실습

  이후 1952년에는 Si과 Ge의 반도체 p-n 접합에서 발광이 처음 보고가 되었고, 또한 GaP와 같은 III-V의 화합물 반도체가 LED재료로써 처음으로 제안되기도 하였다. 1955년에는 ... 저전력화, 소형화, 집적화가 진척되었고, 이것의 기본적 기술력이 화합물 반도체에도 응용전개 된 결과, LED 관련 기술을 약진시키는 원동력으로 작용하게 되었다.특히 화합물 반도체인 GaAs와

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.31

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  고용체 경화와 석출경화

  점프 형상이 시간에 따라 변하지 않는 조건 유지.7.5 저항재료-집적회로의 수동부품인 저항은, Si, GaAs로 만든 기판 그 자체의 저항을 이용-온도에 민감한 저항체(서미스터),

  리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.06.09

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  [반도체공학]반도체 공정

  GaAs를 포함하는 광범위한 반도체 박막 결정들이 키워지고 있다. ... 반도체 제조 공정■ 대분류회로설계 ⇒ 패턴설계 ⇒ 마스크제작 ⇒ 웨이퍼 프로세스(전공정),기판공정(FEOL) ⇒Si다결정제조 ⇒ Si단결정제조 ⇒ 경면 Si웨이퍼제조 ↗⇒ 배선공정( ... VPE법은 전자 소자나 광전자 소자의 제조에 있어 반도체 박막 결정을 형성시키는매우 중요한 공정기술이다.특히 GaAs를 포함하는 일부 화합물 반도체는 다른 방법보다는 VPE법을 사용하여

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.04.05

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  LED 와 white LED의 비교

  특히 화합물 반도체인 GaAs와 GaP 등의 사용한 5mm LED램프 사양 백색광을 발생하는 2가지 방식에 따른 특성 직렬구동회로와 광출력 증배회로 일정 출력광 유지회로와 교류 구동회로 ... 이후 1952년 에는 Si와 Ge의 반도체 p-n접합에서 발광이 처음 보고가 되었고, 또한 GaP와 같은 화합물 반도체가 LED재료로써 처음으로 제안되기도 하였다. 1955년에는 GaP ... 반사컵2.2.3.2 전방향 반사판 LED2.2.3.3 소굴절률 광박막과 그 응용2.2.3.3.1 소굴절류 물질2.2.3.3.2 경사각 적층법에 의한 나노막대 형성2.2.3.3.3 소굴절률 Si02

  리포트 | 29페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.11.22

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  광전센서

  포토 트랜지스터는 N형 기판상에 P형의 베이스 영역을 형성하고 또한 N형의 이미터를 형성한 구조로 되어 있다.반도체 재료는 Si이고 약간의 Ge이 사용되고 있다. ... 즉, 전기 에너지를 빛으로 변환시키는 발광 소자(GaAs, CaAlAs, GaP 등의 PN 접합 소자)를 사용하여 빛을 내는 발광부에 의해 검출 대상을 향해 빛을 조사하고, 검출 대상에

  리포트 | 21페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.03.16

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  MOS transistor

  Gate-All-Around(GAA) Transistor 구조(그림 3)는 TSMC에서 제작한 DG-MOSFET을 나타내고 있다. ... 10 femto-sec＝1×10－14 sec at 1 V)로서 device에 입력이 인가된 후 출력이 발생하는 지연시간인 gate delay는 t보다 작을 수 없다는 것이며 현재 Si의 ... MOSFET의 예이제 축소된 결과의 예로 현재 반도체 산업체에서 issue가 되고 있는 sub-100 nm MOSFET의 경우 무엇을 줄여야 되는가 살펴보자. a) n-type Si의

  리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.12.09

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  방사선센서(검출기)의 종류와 과거 현재 미래

  고체전리HPGe엑스선, 감마선에너지 분해능 탁월Si(Li)엑스선, 감마선저에너지 엑스선 측정표면장벽형알파? ... CdTe, HgI2, GaAs엑스선, 감마선상온에서 냉각 필요치 않음여기작용고체섬광NaI(Tl), CsI(Tl)엑스선, 감마선?ZnS(Ag)알파?LiI(Eu)중성자? ... (Li)- 상온에서 수일 보관 가능엑스선HPGe- 사용 시에만 액체질소로 냉각- 에너지분해능 탁월감마선CdTe, HgI2, GaAs- 상온에서 사용가능- HPGe 보다 에너지분해능

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.12.24

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  [트랜지스터][트랜지스터 구조][트랜지스터 동작원리]트랜지스터의 기원, 트랜지스터의 분류, 트랜지스터의 구조와 트랜지스터의 동작원리, 트랜지스터의 기본동작 및 트랜지스터의 장단점, 트랜지스터의 판별법

  접합 게이트형(Junctcion gate type: JFET)차단 주파수 fｃ는 소오스 -드레인 간의 반송자 주행 시간으로 결정되므로 고주파용 재료 에는 전자의 포화 속도가 큰 GaAs가 ... .㎝]정도의 에피탁셜 N형층을 적층한 구조이다.5) 플레나형 트랜지스터화학적으로 대단히 안정한 Si의 산화막(SiO2)을 소자의 표면 보호, 확산용 마스크및 배선용 절연막으로 사용하는 ... 것은 쇼트기 장벽게이트 FET라 한다.3) 절연 게이트(Insulated gate type : IGFET)게이트 전극에 절연망을 형성시킨 구조이며 절연층에는 SiO2, Al2O3, Si3N4

  리포트 | 8페이지 | 5,000원 | 등록일 2009.07.12

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  광소자

  실제 이용되고 있는 광전면으로는 Sb-Cs면, Sb-Na-K-Cs(멀티알칼리)면, Sb-K-Cs(바이알칼리)면, GaAs(Cs)면, 적외선용 Ag-O-Cs면, 자외선용 Cs-Te 또는 ... InAs, InSb 등 광기전력형 적외선검출기도 있다.포토다이오드(photodiode)는 Si 또는 GaAsP 등의 단결정을 사용하며, p-n접합 등 표면장벽을 만든 것이다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.10.13

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  [반도체]반도체 소자 종류 및 특징

  반도체소자 정의반도체를 소재로 하여 만든 회로반도체소자의 재료게르마늄(Ge), 규소(Si), GaAs 와 아산화구리 ·황화카드뮴성질상 구분n형 ·p형 ·진성(眞性) 등, 그들을 단체 ... 6반도체 소자의 종류다이오드트랜지스터사이리스터..PAGE:7다이오드 특성1) p형 반도체와 n형 반도체를 접합시킨 것으로 정류작용을 일으키는 결정체2) 일반적으로 반도체의 재료 :규소(Si

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.06.10

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  발광다이오드

  1952년 J.R.Haynes등의 Ge, Si의 p-n 접합부에서의 발광? 1955년 G.A.Wolf의 GaP에서의 발광 관측. 이때까지 기초기술 확립의 시기? ... 1962년 Pankove의 GaAs p-n 접합부에서의 발광 관측을 시작으로 GaAs, GaP, ZnSe 등의 결정성장기술, 주입발광현상에 관한 수많은 연구발표? ... GaAs1-xPx의 조성비 x를 적색 LED보다 크게 취함으로써 단파장화함?

  리포트 | 19페이지 | 4,000원 | 등록일 2007.03.01 | 수정일 2015.02.21

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  유기물 절연체를 이용한 고성능 플렉시블 박막 트랜지스터

  50회 이상 사용가능하므로 금형으로서 적합한 물질이라고 할 수 있다.2) Nano Transfer Printing- PDMS 패턴위에 금속을 미리 증착한다.- 원하는 기판 (여기서는 GaAs ... 그리고 SOI wafer에서 고농도의 phosporus로 도핑된 Si 부분을 PDMS 러버를 이용하여 PVP를 스핀 코팅한 ITO 위에 옮겼다. ... 유기물 절연체를 이용한 고성능 플렉시블 박막 트랜지스터High performance flexible Si TFT with organic gate dielectricsAbstracts디스플레이장치는

  리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.06.20

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  [공학]태양광 발전기 특성분석<The Generator Character Analysis of Photovoltaic>

  )는 가장 상업적으로 성공한 박막 형태의 태양전지이나 a-Si의 효율을 안정화 시키는 문제가 있다.그림 2 단결정, 다결정, 비정질Si, 화합물 태양전지 모듈③ CIS 태양전지(Copper ... CIS의 밴드갭이 작은 편이므로 다른 종류의 전지보다가 크고가 낮다.④ GaAs 태양전지태양전지 재료 중 높은 효율이며 우주용으로 상용화에 성공한 재료다. ... 효율의 문제12%이상CIS박막형 태양전지중 최고효율몰리브덴의 접착성 문제17~18%CdTe물질합성이 용이물질합성방법의 확립문제 Cd독성10%GaAs현 최고효율 밴드갭 조절가능고가의

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.10.16

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