"Si GaAs" 검색결과 441-460 / 565건

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  [태양전지] 태양전지

  적층형 태양전지 1) a-Si/poly-Si 적층형 태양전지 비정질 실리콘 태양전지의 열화 특성을 개선 비정질 실리콘 물질의 광흡수 영역에서 벗어나는 장파장대의 빛을 효과적으로 전류로 ... -GaAs는 태양전지중 가장 높은 효율을 달성하였고 현재 우주 에서 실용화 -GaAs는 최적의 밴 드갭(1.45eV) 및 높은 광 흡수계수와 가장 높은 이론 효율치(39%) 등의 장점과 ... ,InP,GaAlAs,GaInAs등이 있으며 태양전지용재료로서 가장 많이 연구 개발되어진 것이 GaAs이다.

  리포트 | 34페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.04.29

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  강화재와 노치가 실리콘 웨이퍼의 강도와 인성에 미치는 영향

  분류될 수 있다.[3] 이 중에서 웨이퍼 제조공정이 과장되게 고려된 듯하나 기판 재료로서의 중요성에 그 정당성을 찾을 수 있다.반도체 칩의 가장 기본이 되는 웨이퍼는 크게 실리콘(Si ... )과 갈륨비소(GaAs)로 나눌 수 있으며, 국내에 갈륨비소 웨이퍼를 생산하는 업체가 있으나 국내 반도체 산업특성상 실리콘 웨이퍼가 주종을 이루고 있다. ... GaAs Wafer실리콘 웨이퍼가 Dire간의 비교를 할 때에 편리하며, 더욱이 얻어진 강도자료는 간단한 통계처리에 의해서 실용기계부품의 강도예측에도 이용된다.

  리포트 | 24페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.02.19

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  LED의 개념과 원리

  이후 1952년에는 Si과 도기도 하였다. 1955년에는 Si과 GaP 단결정을 성장시켜서 점접촉의 전극에 의해 오렌지 발광을 관측하게 되었다. ... 특히 화합물 반도체인 GaAs와 GaP 등의 단결정 성장 기술이 현저하게 발달되어 고품위 기판 양산 기술이 확보 된 것이다.

  리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.10.04

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  자연계의 여러가지(17가지) 물질들의 구조와 그 용도에 대한 리포트..

  다이아몬드 구조(Si, Ge, C)다이아몬드 구조는 Zinc Blend Structure라고 칭하며.. ... GaAs (Zinc Blende 구조)갈륨 아세나이드는 갈륨과 비소로 이루어진 화합물로서, 반도체의 중요한 재료며, 또한 마이크로 웨이브파 집적회로와 레이저 다이오드와 같은 기기들을

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.12.12 | 수정일 2021.11.21

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  [반도체] 에피택셜성장

  , GaP, GaAsP 성자 리액터 개요도..PAGE:11Si 결정 성장 개 요 도SiCl4 + 2H2 ↔ Si + HCLSiH4 → Si + 2H2..PAGE:12에피택시 증착용 ... , GaAs, AlGaAs, GaP 에피택시에 널리 이용되고 있습니다.L P E 액상에피택시..PAGE:8GaAs 기판에 AlGaAs및 GaAs층 성장..PAGE:9VPE 기상에피택시Vapor ... Phase Epitaxy의 약자로 액상에피택시라고 합니다.결정재료가 녹아 있는 포화용액을 기판과 접촉시켜서 결정을 성장시키는 것1963년 Nelson에 의해 최초로 구현된 후, 주로 Si

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.09.13

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  [공학]태양전지

  이론적으로 Si보다 효율이 좋은 반도체로서 InP, GaAs, CdTe 등을 들 수 있다. ... 일반적으로 검은색을 띄고 있고 주로 트랜지스터와 실리콘(Si)로 이루어져있다.4.태양전지에 대한 구체적인 접근1)태양전지의 원리태양전지(solar cell)는 태양에너지를 전기에너지로 ... 줄이기 위하여 전지 내에서의 빛의 경로를 증가 시키는 방법을 lighting trapping이라고 한다.2)구조▶단일 접합으로써 가장 효율적인 에너지 금지 대역폭은 1.26eV로 Si의

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.09.17

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  전계효과 트랜지스터

  극초단파이상에서는 실리콘보다 캐리어의 이동도가 갈륨 비소(GaAs)와 같은 화합물 반도체를 이용한 FET가 사용되고 있다.4단자형 (MOS형)에서는 각각의 단자를 소스, 게이트, 드레인 ... 존재하지만 현재 가장 넓게 사용되고 있는 것은 실리콘을 사용한 향상 MOS형 (아래에는 그냥 MOS라고 표기함)이므로, 특별한 언급이 없는 경우는 전계효과 트랜지스터는 실리콘 MOS (Si

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.12.01

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  [과학] 태양전지

  /Ge, GaAlAs/Si, InP/Si 등태양전지의 종류(목적 구조)지상용 태양전지 결정형 : 단결정, 다결정 실리콘 태양전지, GaAs/Si 등단결정 실리콘 태양전지다결정 실리콘 ... : GaAs, InP 등 적층형(Tandem) : GaAs/Ge, GaInP/GaAs, GaAlAs/GaAs태양전지의 응용 1태양광 발전 전력용으로 각종 규모의 실험 플랜트가 전세계에서 ... 태양전지박막형 : 비정질 실리콘, CdS, CdTe, CuInSe2 등 집광형 : GaAs 계열, 적층형 등위성용 태양전지 IV 족 : 단결정 실리콘, Ge (저온용) GaAs 계열

  리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.12.02

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  [반도체공학] SOI(Silicon On Insulator) 조사

  사용되고 있는 분야가 화합물 반도체 소자 제작 분야이다.대표적인 화합물 반도체 소자인 SiC(Silicon Carbide)나 GaN(Gallium Nitride) 같은 경우에는 기판을 Si ... Gate all around(GAA) transistor의 구조 (from [3]).GAA 트랜지스터는 SOI층 아래의 BOX(Buried Oxide)층을 Mask 공정 및 etching ... Colinge에 의해 SGT의 구조를 기초로 하여 SOI 기판을 사용한 Gate all around(GAA) transistor 가 제안되었다.figure .

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.01.24

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  Surface X-ray Diffraction 논문요약

  대표적인 예로, NiSi2/Si(111), SiO2/Si(111), GaAs(100)/Si(100)등이 존재함.5. 2D Crystallography두 번째 기술로써 가장 오래되고 ... (111), Ag/Si(111) 물질들도 존재함.7. ... 전반사 했을 때, 경계면으로부터 거리에 따라 그 진폭이 지수 함수적으로 감소하고 결국에는 실효적인 에너지를 갖지 않는 파인 에바네센트파(Evanescent Wave)를 이용하여 Si의

  논문 | 2페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.07.04

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  [전기전자]Light Emitting Diode

  주입형 발광현상 발견함. -1923년에 O.W.Lossew에 의해 SiC의 접촉부에서의 발광이 관측되어, 주입형 발광현상이 보다 확실해짐 -1952년 J.R.haynes등의 Ga, Si의 ... p-n 접합에서의 고발광효율이 발견되었다.LED에 적합한 재료발광파장이 가시 또는 근적외영역에 존재발광효율이 높을 것p-n접합의 제작이 가능할 것 등의 조건을 만족시키는 것 (주로 GaAs ... 발광관측을 시작으로 GaAs, GaP, GaAsP, ZnSe등의 결정성장기술, 주입 발광현상에 관한 수 많은 연구 발표가 이루어졌다. -1968년의 GaAsP 적색 LED LAMP의

  리포트 | 25페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.01.12

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  [반도체] 단결정 성장

  Magnetic Czochralski (MCZ법)② Liquid Encapsulated czochralski(LEC법)③ Swimming Crucible czochralski(SCC법)Si ... 융액아르곤분위기고주파 가열용 코일석영 도가니흑연 도가니끌어올려진단결정 Si인고트회전샤프트종결정자장부상도가니보호막(예:B2O3)..PAGE:7대역 용융법(Floating Zone method ... (s)GaAs (s) + HCl (g) GaCl (g) + ¼ As4 (g) + ½ H2 (g)GaCl (g) + ¼ As4 (g) + ½ H2 (g) GaAs (s) + HCl

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.06.08

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  [금속]고융점금속

  - -방전 가공용 전극용, SPOT WELDING TIP재료--Tungsten cabide-..PAGE:93.4 W 사용방열판텅스텐/동 복합재료 이용높은 열전도와 낮은 열팽창특성GaAs와 ... 고융점금속의 특성융점이 높으므로 고온강도가 크다.증기압이 낮다.W는 열팽창계수가 낮고 열전도율과 탄성률이 높다.전기저항이 낮다.내산화성이 적다.최근 대형 Si반도체소자로서 열팽창완화를 ... 이 원료를 수소기류 속에서700℃ 이상, 또는 탄소와 1100℃ 이상으로 가열하거나, Si ·Na ·Mg 등의 금속과 함께 가열하면 분말로서 얻는다.플루오르화수소산 ·융해염화칼륨 등에서

  리포트 | 24페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.30

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  [전파,전자] GaAs를 이용한 반도체 소자

  가 좋지 않음-Si : 가격이 싸고 Thermal Conductivity가 좋으나전자의 이동도가 GaAs에 못미침-SiGe: GaAs보다 좀더 안정적인 프로세스가 가능하고Si의 장점을 ... 단점Thermal conductivity가 Si에 비해 안 좋음..PAGE:7MESFET(Metal Semiconductor FET)Semi-insulating GaAs1. ... 장점1) n-type GaAs 는 Si에 비하여 4~6배의 높은 이동도2) 동일한 입력 전력 인가 시에 비하여 높은 출력전력높은 (Trans-conductance)기생 capacitance에

  리포트 | 24페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.04.25

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  제너 다이오드와 발광 다이오드

  갤륨비소(GaAs) 재질이나 이 재질에 인·알루미늄 등을 첨가해 만든 칩을 사용하는 LED는 직경 2 ~15mm 등으로 제작되며 발광색상은 현재 빨강,녹색,청색,등이 개발되어 있다. ... 다이오드와 비슷하지만, 한계 전압(threshold voltage) Vr가 약 1.9[V]로 Si의 0.7[V]보다 높다. ... 이렇게 하면 역방향 전압을 크게 걸어도 Si 다이오드에 의해 LED 양단의 역방향 전압은 0.7[V]가 되어 LED가 보호 된다.iii.

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.10.04

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  [반도체공학] 전계효과 트랜지스터

  이동도 Si < GaAs 이므로, GaAs 고주파 사용b. 대부분 N channel을 사용(=전자 이동도가 크므로 고속이다.)c. ... 전류는 채널로부터 절연체에 의하여 분리된 게이트 전극에 인가된 전압으로 제어■ 종류* IGFET: 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터* MOSFET: 소자의 대부분이 반도체로 하는 Si을 ... (Si>Ge)다 화학적 안정: 계속적인 반복의 결과를 가져야 한다.라 물리적 안정: 어느 정도의 경도를 가져야 한다.마 입력 임피던스가 높다: 전도, 비전도 상태의 스위칭 작용에 사용

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.04.15

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  [재료공학실험] 반도체의 전기적 특성

  예를 들어, 다이아몬드 구조는 5eV인데 비하여 반도체 Si은 약 1.1eV이다. ... 즉, x=1이면 AlAs와 같은 구 조를 가지며 x=0이면 GaAs의 구조와 같게 된다. 또는 x=0.5이면 Al0.5Ga0.5As가 된다.. ... 단원소반도체(Elemental Semiconductor) : 최외각 전자가 4인 Si, Ge 등이 있으며 이 원 소에 불순물(Impurity)을 첨가하여 P형 및 N형의 반도체로 만들

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.15

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  유기 태양 전지 (특징,원리,구조,제조,기술상의 문제점,향후 전망)

  [표2] 세계 태양전지 업체의 2003년 생산량과 2006년까지의 생산능력그 밖의 태양전지로는 그림 2의 태양전지 계통도와 같이 Si 박막 태양전지, CuInSe 나 GaAs등의 화합물 ... 이와 같은 태양전지 시장은 일본의 기술예측을 살펴보면, 실리콘 태양전지가 실증화된 안정성과 신뢰성을 바탕으로 2020년과 시장의 중심이 되고, 그 밖에 Si 박막 태양전지가 2010년

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.09.02

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  [인간과건강]에너지 절약 레포트

  대부분의 반도체들은 광기전력효과(photovotaic effect)를 나타내지만 태양전지의 다량생산으로 이어지는 반도체들은 주로 실리콘(Si)과 갈륨아세나이드(GaAs)이며, 실리콘이

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.12.11

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  [대체에너지][에너지위기][대체에너지개발][에너지][외국의 에너지 절약 사례]대체에너지의 개념, 대체에너지의 종류, 대체에너지의 장단점, 향후 대체에너지의 보급 활성화 방안 분석(외국의 에너지 절약 사례)

  대부분의 반도체들은 광기전력효과(photovotaic effect)를 나타내지만 태양전지의 다량생산으로 이어지는 반도체들은 주로 실리콘(Si)과 갈륨아세나이드(GaAs)이며, 실리콘이

  리포트 | 21페이지 | 7,500원 | 등록일 2008.06.08

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