"Si GaAs" 검색결과 401-420 / 563건

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  [결과보고서]광 신호 및 초음파 신호 처리 실험

  Ge, Si 보다는 GaAs가 빛 방출이 잘 일어난다. 이외에도 GaAsP, GaP, AlGaAs, InGaAsP 등이 있다.

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.23

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  센서2

  홀소자용의 반도체 재료로는 Ge, Si, INAS, INSb, SaAs 등이 이용되며, 이중에서 GaAs 재료를 이용한 홀소자가 용도 특성이 우수하여 주목받고 있다.그림 1-1.

  리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.05.23

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  건식도금

  , H2SiCl4, H2다결정 Si열 CVDSiH4, H2비정질 SiPlasma CVDSiH4SiH4, CH4화합물반도체(GaAs, GaAlAs,InP)MOCVD(CH3)3Ga, AsH3 ... , H2(SiH4*)W(CO)6Plasma CVDWF6Mo (MoSix*)열 CVDMoCl5, H2 (SiH4*)MoF6, H2(or Si)표 2-2. ... 만일 코팅이 시작되서 후에 그 이상의 부식으로부터 보호되어질 수 있을 때까지 부식이 미루어질 수 있다면 타이타늄 다결정 Si·Gate 전극·배선용·산화물 dope(SIPOS)·확산원

  리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.12.13

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  [전자회로실험]결과_5-7.클리핑 회로,클램핑 회로, 발광 다이오드 및 제어 다이오드

  순방향 바이어스 되고 Ge다이오드는 역방향바이어스되어 Vo=Vsi=0.7V (Vsi:Si다이오드의 문턱전압)가 출력되고, Vi=-2v일때는 Si다이오드는 역방향, Ge다이오드는 순방향 ... 문턱전압이 0.7V정도인 실리콘다이오드와는 달리 Direct Bandgap을 갖는 GaAs다이오드의 경우 전도대에서 가전자대로 전자가 떨어지면서 그 에너지를 광자로 방출한다. ... 4V계산값(Vo)4V-2.2V계산값(Vo)4V0.8V실험값(Vo)4V-2.2V실험값(Vo)4V0.8V2) 병렬 클리퍼(계속)회로도, 출력파형1kHz, 4 Vpp- Vi=+2v일때는 Si다이오드가

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.01.04

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  Chapter 5. JUNCTIONS

  . ⇒ for Si diodes, Au doping is useful for this purpose. ... n-GaAsEC Efn Ohmic contact 형성 Metal vs n-InAsHeterojunctionEg이 다르며 격자 상수가 같은 물질간 접합AlGaAs (Eg = 1.85eV) GaAs ... contact)Ohmic contactMetal vs n-typeMetal vs p-typeTypical Schottky BarriersEs (surface states ) 형성 Si

  리포트 | 28페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.05.11

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  광전도 Cell (CdS Cell)

  텔루르화물 ·할로겐화물, 어떤 종류의 유기물 등 많은 물질에서볼 수 있는데, 감도가 좋은 것으로서 CdS, CdSe, PbO, PbS, PbSe, PbTe, Sb2S3,Tl2S, Se, Si ... SiGe과 GaAs는 에너지갭이 ∼1eV, 1.4eV인데 비해 SiC와 GaN는 에너지 갭이 3.0∼3.3eV, 3.4eV로 높아 고전력·고온용으로 주로 사용되는 광대역 폭(wide ... bandgap) 반도체라고 불린다. Ⅳ족 화합물반도체인 SiC와 SiGe은 간접 천이 밴드구조인 반면, Ⅲ-Ⅴ족 반도체인 GaAs와 GaN는 직접 천이 밴드 갭 이어서 적색, 청색

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.07.09

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  각 재료별 용도 조사

  GaAs갈륨비소라고 읽으며 갈륨과 비소를 함유한 다원소 화합물로 실리콘을 대신할 반도체 재료 및 전력소자로 떠오르고 있는 신소재이다. ... Si3N4질화규소라고 읽으며, 고온장력, 막강한 내구성, 무척 단단함, 열 충격에 강함, 내 마멸성이 강함, 낮은 열팽창, 내부식성 우수, 단열성과 같은 특징을 가지고 있으며, 용도는

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.05

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  CVD&PVD

  PVD에 묶일 수 있는 이유는 증착시키려는 물질이 기판에 증착될 때 기체상태가 고체상태로 바뀌는 과정이 물리적인 변화이기 때문이다.좀더 풀어서 말하자면, 많이 쓰이는 산화물 반도체나 GaAs ... 합금, Al-Si-Cu 합금 등의 Target 재료의 선택에 의해서 각종 조성의 막이 안정되게 얻을 수 있으며, 전자는 Target 근방에 가두어져 있으므로 기판에 충격이 없고, ... 기술이 개발되어 위의 문제점들을 해결하여 반도체 소자 제조의 배선 형성 기술에 사용되고 있다.이 방식의 장점으로서는 진공 증착법에 비하여 입자 지름이 크고 균일한 막이 얻어지고,Al-Si

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.01

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  트랜지스터

  게르마늄에서 실리콘으로 발전초기의 트랜지스터는 실리콘(Si)이 아닌 게르마늄(Ge) 트랜지스터였다. ... 전계효과 트랜지스터Field Effect Transistor의 약어로서 접합형 FET와 MOS형 FET 및 GaAs형 수신 등의 마이크로파의 증폭에 사용된다. ... 그래서 현재에는 게르마늄(Ge) 트랜지스터는 찾아볼 수 없고 거의 실리콘(Si) 트랜지스터가 주종을 이룬다.ⅴ.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.11.11

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  태양전지

  순방향전류에 의하여 회복되는 등 우주에서 이점이 되는 특성을 가지고 있다② 단점 : GaAs 단결정 기판의 가격이 높고 Si 에 비해 무겁다 표면재결합속도가 크다6. ... 화합물 태양전지의 특성① 특성 : 단경정 화합물 3-5족 태양전지는 주로 집과 발전용이나 우주용 태양전지로 개발되고 있으며 GaAs 태양전지는 25.7% AlGaAs/GaAs 탄템형은27.5% ... GaAs와GaSb 를 붙여 만든 탄딤형은 집광시에 35.8%에의 변화효율이 보고되고 잇다 InP 태양전지는 22%의 변환효율이 실현되고 있으며 이전지는 우주선에 의한 열화가 광조사,

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.04.27

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  PLC제어 기초전기전자실험 보고서

  홀 소자용의 반도체 재료로서는 Ge, Si, InAs, InSb, GaAs 등이 이용된다.구 분GaAsInSb온 도* 동작범위가 넓다* 동작 범위가 좁 바꾸어 2가지 양의 승산 작용을

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.01.20

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  [박막공학] MOCVD,CVD.VPE

  .▣ VPE(Vapor Phase Epitaxy)basic principle A(g) + B(g) → AB(s) Eq) for Si, GaAs, InP SiCl₄(g) + 2H₂(g ... ) → Si(s) + 4HCl Ga(g) + AsH₃(g) → GaAs(s) + H₂ Application Various techniques and name depending on ... the source gas Cl VPE → source Cl系 gaseous source Si + HCl(g) → SiCl₄(g) Ga + HCl(g) → GaCl₃(g) MOCVD

  리포트 | 34페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.11.02

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  우리나라를 대표하는 10가지 품목에 관한것

  최근에는 13족과 15족의 화합물반도체가 쓰이기도 하며 갈륨비소(GaAs;gallium arsenide) 나 인듐인(InP;indium phospide) 등이 있다.순수한 반도체는 ... 특성을 보이지만 불순물의 첨가에 의해 전기전도도가 늘어나기도 하고 빛이나 열에너지에 의해 일시적으로 전기전도성을 갖기도 한다.주기율표상에 14족에 위치하는 저머늄(Ge), 실리콘(Si

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.08.18

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  LED의 역사

  특히 화합물 반도체인 GaAs와 GaP 등의 단결정 성장 기술이 현저하게 발달되어 고품위 기판 양산 기술이 확보 된 것이다. ... 이후 1952년에는 Si과 Ge의 반도체 p-n 접합에서 발광이 처음 보고가 되었고, 또한 GaP와 같은 III-V의 화합물 반도체가 LED재료로써 처음으로 제안되기도 하였다. 1955년에는

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.12.16

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  친환경자동차- 태양광자동차

  , GaAs고가높은 효율(35%)고가순도 높음/ 결정 결합 낮음원자가 배열되어 있는 방향이 균일한 물질단 점장 점물 질가 격성 능특 징의 미태양전지의 특성발전되는 전압, 전류 크기는 ... (12%)효율이 낮고 시간에 따라 더욱 낮아지는 현상을 보인다.대면적 전지를 균일하고 저렴하게 제작 가능/ 유연성 있는 기판위에 제작 가능분자가 무작위로 배열되어 규칙이 없는 경우Si ... (19%)효율이 낮으며 불균일하다.비교적 순도가 낮음/ 비용이 적게 드는 생산방법 사용가능원자가 규칙적으로 배열되어 있으나 배열 방향이 서로 다른 여러 부분으로 구성되어 있는 물질Si

  리포트 | 28페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.22

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  HFET에 대해서(AlGaN/GaN)

  최근에는 Si 기판에 GaN층을 성장시키는 것도 가능하다고 한다. 일반적인 동작원리는 기존의 MOSFET와 거의 동일하다. ... HFET란HFET(heterojunction field-effect transistor)는 AlGaN/GaN 나 AlGaAs/GaAs 같은 서로 다른 재료가 결합하여 만들어진 이종접합 ... 그러나 AlGaAs/GaAs HFET는 불순물 도핑에 의해서 2DEG를 만들지만 AlGaN/GaN HFET는 인위적인 도핑이 없어도 2DEG를 얻을 수가 있다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.01.10

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  홀 소자와 홀 센서

  B특성은 저자장에서의 출력감도가 높기 때문에 브러시리스 모터(b소자의 이동방향을 설정하며, B와 z함수로 B와 I를 직교시켜 유기된 홀 전압은 다음과 같다.홀 소자 재료 : Ge, Si ... , InAs, InSb, GaAs5) 홀 소자의 온도특성① 정전류 구동법[ 정전류 구동회로 ]: 홀계수의 온도특성:의 온도계수:의 온도계수: 홀소자 고유상수정전류 구동법은 IH를 일정히

  리포트 | 39페이지 | 6,000원 | 등록일 2010.05.22

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  다이오드의 특성(예비레포트)

  최근에는 3족과 5족의 화합물반도체가 쓰이기도 하며 갈륨비소(GaAs;gallium arsenide) 나 인듐인(InP;indium phospide) 등이 있다.순수한 반도체는 4족 ... 특성을 보이지만 불순물의 첨가에 의해 전기전도도가 늘어나기도 하고 빛이나 열에너지에 의해 일시적으로 전기전도성을 갖기도 한다.주기율표상에 4족에 위치하는 저머늄(Ge), 실리콘(Si ... 현재 흔히 쓰이는 반도체소자의 대표적인 재료인 Si의 경우 E가 대략 1eV정도인데 비해 부도체의 E는 대개 10eV 이상이며, 도체의 경우에는 E가 매우 작거나 또는 가전자대와 전

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.05.09

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  LPE 액정에피텍시

  GaAs를 포함하는 광범위한 반도체 박막 결정들이 키워지고 있다2) 에피택시(Epitaxy) 공정II. ... molecular beam epitaxy; MBE) 유기물 증착 애픽택시 (Metal Organic Chemical Vapor Deposition; MOCVD) 이러한 성장방법들에 의해 Si과 ... 기원: 1963년 Nelson 이 용융금속용액에서 GaAs 레이저용 과 Ge를 이용한 턴넬 다이오드용 소자 성장 성공 이후 LPE는 새로운 전자 산업용 소자의 요구에 부응하여 급성장기판

  리포트 | 24페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.05.06

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  반도체제조공정

  일반적으로 실온에서정도의 비저항을 가지나 그 범위가 엄격하게 정해져 있지 않다.주기율표상에 14족에 위치하는 저머늄(Ge), 실리콘(Si) 등이 대표적인 반도체이다. ... 최근에는 13족과 15족의 화합물반도체가 쓰이기도 하며 갈륨비소(GaAs ; gallium arsenide) 나 인듐인(InP ; indium phospide) 등이 있다.2.

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.11.09 | 수정일 2014.09.20

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