"Si GaAs" 검색결과 201-220 / 565건

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  LED 정리( 이론 특징 원리 종류)

  양성불순물인 Si를 이용하여 LPE결정 성장조건으로 그 치환위치(Ga 또는 As원자)를 제어함으로써 p-n접합을 형성한다. ... SiC청색 LED와 GaP 적색 및 녹색 LED를 램프화하여 순백색 발광을 포함한 다수 발광이 가능한 풀 컬러 LED가 제작되었다. 11 적외 LED적외선 LED의 재료는 주로 GaAs로

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.03.20

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  ZnO

  Si, G, GaAs , GaN 등도 반도체 nanowire 로 개발중 60mV 의 결합에너지를 갖는 ZnO 가 더 관심을 가짐 ZnO 란 ?

  리포트 | 28페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.05.07

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  LED의 발광의원리

  발광현상 발견함.② 1923년에 O.W.Lossew에 의해 SiC의 접촉부에서의 발광이 관측되어, 주입형 발광현상 이 보다 확실해짐,③ 1952년 J.R.haynes등의 Ge, Si의 ... 이 역치 전압은 LED재료나 소자 구조에 의해 결정되고, GaAs에서는 1.0 ~ 1.2V, GaA1As에서는 1.5 ~ 1.7V, GaP에서는 1.8V, SiC에서는 2.5V정도의 ... p-n 접합부에서의 발광, 1955년 G.A.Wolff의 GaP에 서의 발광관 측으로 이어져LED의 발아기라고 할 수 있다.④ 1962년의 Pankove의 GaAs p-n 접합부에서의

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.04.11

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  HEMT의 정의와 기술 동향 모든것[High Electron Mobility Transistor, 통신용 초고속 반도체 소자]

  또한 질이 좋은 SI(Semi-Insulating GaAs) 기판의 성장이 가능하기 때문에 parasitic capacitance를 줄일 수 있고, 소자간의 절연이 매우 좋다.< HEMT ... 그림에서 알 수 있듯이 HEMT는 Field Effect Transistor의 일종으로서, Si-MOSFEbreakdown 전압과 전류 밀도가 높음.- 전력 효율이 높고 칩 크기를 ... 전원을 모두 사용해야 하므로 HBT보다 설계가 복잡하고 제조 원가 비용이 높음- HEMT에 비하여 마이크로파 이득 및 잡음 특성이 나쁨화합물 반도체 디바이스는 재료가 고가이므로 Si계

  리포트 | 17페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.02.17

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  태양광 발전 국내 기업 조사

  / SiC / GapSolar , GaAs , Si3. ... 반도체 시장에서의 영원한 세계 최고기업일류사회의 발전에 공헌하는 회사기술력과 품질로 경쟁력을 갖춘 회사사업파트너와 함께 성공하는 회사목표반도체 wafer 분야의 세계적 업체 : GaAs

  리포트 | 29페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.05.10

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  반도체 결정 제조공정

  거둬들여짐.2.LEC법 (Liuid encapsulated czockralski)용융체로 부터 GaAs와 같은 화합물을 인상할 경우에는 휘발성 원소(As)가 증발하는 것을 막아야한다 ... 이때 사용되는 결정성장 방법이 LEC (액상 밀봉식).GaAs, Inp, Gap에서는 성분원소의 as나 p의 중기압이 높으므로 1기압의 환원성 분위기 속에서는 as나 p의 부족을 초래한다 ... . < Si0₂+ 2C = Si + 2CO>추출된 Si는 철(Fe) 알루미늄(Al)...

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.04

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  태양전지 동향 및 전망

  반도체에는 (-)전하를 띤 전자를 끌어당기는 n형 반도체m) 태양전지화합물/VI 족 계열 : GaAs/Ge, GaAlAs/Si, InP/Si 등○ 이용목적 및 구조에 따른 분류① 지상용 ... 태양전지결정형 : 단결정, 다결정 실리콘 태양전지, GaAs/Si 등박막형 : 비정질 실리콘, CdS, CdTe, CuInSe2 등집광형 : GaAs 계열, 적층형 등② 위성용 태양전지IV ... 족 : 단결정 실리콘, Ge (저온용)GaAs 계열 : GaAs, InP 등적층형(Tandem) : GaAs/Ge, GaInP/GaAs, GaAlAs/GaAs,4.

  리포트 | 22페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.10.11

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  진성반도체

  예를 들어 Si에서의는 1.12ev이고, GaAs의 값은 1.42ev이므로 Si쪽의 캐리어가 GaAs보다 훨씬 더 많을 것이라는 것은 쉽게 생각할 수 있다.에너지 띠 간격과 캐리어 ... 그러나 이 둘만 비교 대상으로 놓고 볼 때 GaAs에서는의 크기가 Si에서의값보다 1/10,000 정도로 매우 작기 때문에 Si이 보통 반도체라고 불리우는 것과는 달리 GaAs는 보통 ... 우선 GaAs의 경우 Si보다 에너지띠의 모양이 급격히 변하므로 그 효과질량이 작다(그림 밑에 첨부된 표의 값 참조).

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.06.15

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  반도체 기초 및 논리회로

  주기율표 14족에 속하는, 최외곽 전자가 4개인 실리콘(Si), 게르마늄(Ge) 등이 대표적인 반도체이며 순수한 물질인 Si, Ge 등을 진성 반도체, 화합물 형태인 SiGe, GaAs ... --------Si--------Si--------Si--------Si--------Si--------Si--------Si--------Si--------Si--------Si- ... -------Si--------4가 원소의 공유결합Si--------Si--------Si--------Si--------Si--------Si--------Si--------B--

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.06.21

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  epitaxy

  방법이 있다.이와 같은 반응이 가열된 결정의 표면 위에서 진행되면 이 반응에 의하여 방출된 Si 원자가 에피층으로서 침착될 수 있는 것이다. ... 이때 Si 웨이퍼는 흑연으로 만들어진 받침그릇(susceptor) 위에 설치되며, 반응기(주로 석영) 외벽은 저항 가열기에 의해 전기적으로 가열된다. ... 예를 들어 GaAs의 용융점은 1238℃ 이나 금속 Ga와 GaAs의 혼합물은(이 혼합물의 조성비에 따르지만) 상당히 낮은 용융점을 갖는다.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.10.09

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  광전자

  Si 이나 GaAs 등의 반도체의 pn접합이나 쇼트키 접촉에 반도체의 에너지갭 이상의 에너지를 가진 빛이 비춰지면 전자ㆍ정공쌍이 생성되는데. ... 따라서 인접한 Si 원 자가 이온화 되어서 정공을 위해서 공유결합 을 한다. ... 대표적인 예로 4가인 Si, Ge에 5가 인 P, As, Sb를 도핑 시켜 준다.ⓒ p-type doping- 4가운소에 3가원소를 도핑하면 공유결합에서 정공이 하나 부족한다.

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.07.17

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  신재생에너지발전설비기사(태양광) 필기요약

  밴드갭에너지의 크기 순서 : GaAs > Si > Ge?

  시험자료 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.03.08

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  화합물 반도체(Compound Semiconductor)

  Ⅴ화합물 반도체⇒GaAs, InP, InAs, GaSb등Ⅱ? ... 화합물 반도체의 특징.① Silicon은 수광 기능만 갖고 있으나, GaAs는 가시광선 영역에서 발광 및 수과 기능을 갖는다.② GaAs는 0.87㎛ 파장의 빛을 낼 수 있다.③ 전자는 ... 대표적인 재료로서 갈륨비소(GaAs) 주입형 레이저는 위의 특성을 잘 이용하고 있다.

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.29

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  그래핀의 이해와 활용 (그래핀,graphene,탄소튜브,벌집구조,그래핀 특징,그래핀 활용,그래핀 이해,그래핀 제작)

  ), 갈륨비소(GaAs)와 같은 불투명 반도체 화합물로 이루어진 일반적인 전자소자와는 달리, 투명한 산화물 반도체 막을 이용하여 광학적으로 투명하게 만든 디스플레이를 말하며, 투명 ... 단점으로 새로운 소재의 필요성이 대두되는 가운데, 그래핀이 고투명도, 저면저항, 고유연성을 갖추고 있어 투명전극 활용 소재에 적극 활용예정이다.5) 투명디스플레이투명 디스플레이란 규소(Si

  리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2015.01.04

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  [캡스톤디자인] 아두이노 로봇을 활용하여 물체운반로봇 만들기. 모터동작, 적외선센서, 초음파센서 동작 포함

  또한 광기전력 센서는 외부에 전압을가하지 않아도 사용 할 수 있다.재 료 명에너지갭[eV]반응파장[um]GaAs1.40.89Si1.121.1Ge0.681.82InAs0.294.2InSb0.215.9Hg

  리포트 | 30페이지 | 5,000원 | 등록일 2014.12.23

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  화합물 반도체

  대체할 목적으로 1950∼1952년에 걸쳐 철저한 연구를 하여 각종 원소를 조합시켜 만드는 화합물반도체의 실상을 증명하고 그 물리적 성질을 밝히면서 부터였습니다.재래의 반도체는 Si ... ), 4원(InGaAsP) 화합물도 있으며 고속논리소자, Iaser diode, LED로서의 이용가치가 크게 주목을 받게 되었으며, 장차 이들 화합물반도체는 Si반도체와 대항할 정도로 ... 있으며, 현재 반도체는 실리콘 반도체를 비롯해 화합물 반도체, 자성 반도체, 플라스틱 반도체, 단백질 반도체 등으로 재료에 따라 매우 다양합니다.물질로 보면 실리콘 반도체는 실리콘(Si

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.02.06

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  나노 태양전지의 종류와 발전방향

  /Si 등 -지상용 태양전지 - 결정형 : 단결정, 다결정 실리콘 태양전지, GaAs/Si 등 - 박막형 : 비정질 실리콘 CdS, CdTe, CuInSe2 등 - 집광형 : GaAs ... , InP, GaAlAs 등 II-VI족 화합물계 ☞ CuInSe2,CdS, CdTe등(3) 적층형 태양전지 - 화합물 / VI 족 계열 : GaAs/Ge, GaAlAs/Si, InP ... 계열, 적층형 등(2) 위성용 태양전지 - IV족 : 단결정 실리콘, Ge(저온용) - GaAs 계열 : GaAs, InP 등 - 적층형 : GaAs/Ge, GaInP/GaAs,

  리포트 | 26페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.08.01

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  실리콘태양전지

  InP 등- 적층형(Tandem) : GaAs/Ge, GaInP/GaAs, GaAlAs/GaAs2. ... 실리콘, CdS, CdTe, CuInSe2 등- 집광형 : GaAs 계열, 적층형 등ⓑ 위성용 태양전지- IV 족 : 단결정 실리콘, Ge (저온용)- GaAs 계열 : GaAs, ... 본격적인 PV system의 상업화는 1940년대와 1950년대 사이에서 이루어 졌는데, 1941년 적정한 효율을 내는 실리콘(Si) 태양전지가 연구되었고, 1954 박막형 : 비정질

  리포트 | 35페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.27

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  ltcc

  고주파 대역에서의 우수한 전기적 특성으로 말미암아 RF 선단의 부품이나 Bluetooth 모듈 등의 Multy Chip Module 용 다층 세라믹 기판으로 사용되어 왔다.또한 Si ... , SiGe, GaAs 등의 반도체 소자와 TEC가 유사하다는 장점을 이용하여, 다층 세라믹 기판 상에 반도체 Bare Die를 바로 실장하는 Wafer Level Package용

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.12.10

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  PN접합을 이용한 청색 LED

  반도체소자를 만들기 위한 가장 유명한 소재는 실리콘(Si)과 게르마늄(Ge)이다. 매우 정밀한 실리콘이나 게르마늄의 단결정은 반도체가 아니라 전기가 전혀 통하지 않는 절연체이다. ... 전기적 특성은 Hall-Effect방법으로 측정할 수 있는데 Fig1은 GaAs 기판에 질소로 도핑시킨 p형의 ZnSe의 전도성을 나타낸 것이다. ... 그러다 최초로 LED의 재료가 GaAS였고 그 후에 GaAsP로 오렌지색 발광을 만들어 냈고 GaP에 의해 녹색과 황색의 발광 다이오드가 개발되었다.그런데 청색의 LED를 제조하기란

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.12.17

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