"Si GaAs" 검색결과 101-120 / 565건

• 

  태양전지 정의 및 이론 정리 만점 받은 레포트

  /ClSGaAs/Ge염료감응형고분자박막형벌트형박막형벌트형CuInSe2GaAs비정질단결정CdTeInP다결정다결정? ... 비결정실리콘 태양 전지- 박막형 태양 전지의 대표- Si를 함유한 가스를 진공 챔버 내에 방전 ? ... 본격적인 PV system의 상업화는 1940년대와 1950년대 사이에서 이루어 짐- 1941년 적정한 효율을 내는 실리콘(Si) 태양 전지가 연구- 1954년에 이르러 고순도 결정질

  리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2019.02.28 | 수정일 2021.07.01

  다운로드 장바구니
• 

  [물리전자] 6단원 내용 정리

  MESFET use the GaAs as the vexil . ... Φ m -Φ s = Φ ms for n+ polysilicon. on Si doping. Φ ms is always negative. ... By saturation, the saturation current of a typical GaAs MESFET appears.

  리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.04.01

  다운로드 장바구니
• 

  3-5족 박막형 태양전지 원리 및 활용분야

  . 15, 51, 2007 * 가장 밴드갭이 큰 물질이 Top 셀 [ InGaP / InGaAs / Ge 삼중접합 태양전지 예시 ] * Top 셀이 짧은 파장부분 스펙트럼 흡수 [Si ... 활용분야활용분야 (1/3) 우주용 태양광 패널 내열성 및 내방사성이 우수 * 우주용 태양광 패널로 활용 * 대부분의 인공위성 TJ InGaP / GaAs / Ge 태양전지 사용 * ... 태양전지 기술 (3/4) 다중접합 원리 https://youtu.be/UZ22bt6F9Ow [Current matching] Blue : Ge Green : GaInAs Red : GaAs

  리포트 | 12페이지 | 3,000원 | 등록일 2017.09.15

  다운로드 장바구니
• 

  [부산대]재료의 광전자기 성질 기말고사 대비

  12장●Intrinsic(진성) & Extrinsic(불순물) semiconductor 정의와 특징진성 반도체 : 도핑을 안 시킨 반도체 -> 원소 반도체(Si, Ge), 화합물 반도체 ... (GaAs, CdS)불순물 반도체 : 5족 혹은 3족 원소를 불순물로 doping하면 major carrier(전자, 홀)를 생성시켜 전기가 흐르도록 만든 반도체+불순물 반도체의 온도

  시험자료 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.08.27

  다운로드 장바구니
• 

  [인하대 A+ 실험보고서] 공업화학실험 패터닝 예비보고서

  이 때 전자의 영향이 미치는 거리를 디바이 길이라고 한다.반도체 제조 공정과 정의 (각각의 단일 공정을 개략적으로)① 웨이퍼 공정(Wafer): 웨이퍼란 규소(Si)나 갈륨비소(GaAS ... 4패터닝Patterning and treatment of Si02 thin film“나는 자랑스런 인하인으로, 스스로의 힘으로 정직하게 레포트를 작성하였습니다.” + 이름 + 서명_

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.03.05

  다운로드 장바구니
• 

  고체화학-Solar Cell Based on Bulk Si

  저가 8% 12% 8% Non-Si 결정 GaAs 가장고효율 , 우주용 ,AS 유해성 , 고가 1% 29% - 박막 CuInGaSe 이종접합 , 물질합성용이 3% 11% - 적층 ... 박막 AGaAs / GaAs 고효율 , 연구실실험용 1% 40% - 유 기 염료 용액 TiO 2 투명전지 , 저가재료 , 환경친화 , 안정성문제 - 10% - 유기 박막 Polymer ... 양 전 지 무 기 Si 결정 Si 단결정 고순도 , 낮은결함 , 고가 32% 24% 15% Si 다결정 저렴한공정 , 저순도재료 53% 20% 14% 박막 Si 비정질 최초박막 ,

  리포트 | 23페이지 | 3,000원 | 등록일 2015.07.11

  다운로드 장바구니
• 

  태양전지 과제

  , InP이 대표적입니다.a) GaAs의 장점이상적인 band gap에 가깝고, 고온에서도 안정합니다. ... 또한, 같은효율에서 더 큰 Voc와 더 작은 Isc를 가집니다.흡수계수가 크고, 다결정박막전지보다 효율이 더 좋습니다.b) GaAs의 단점wafer가 너무 비싸고, 기계적으로 너무 ... transition band structure을 가지고, Hetero-junction solar cell에 쓰입니다.ex) CdTe의 band gap = 1.45eV3) 3,5족GaAs

  리포트 | 8페이지 | 2,500원 | 등록일 2015.12.03

  다운로드 장바구니
• 

  2장 예비보고서

  경우는 0.7V, Ge의 경우는 0.3V, GaAs의 경우엔 1.2V 의 문턱전압을 가진다.1N4148 : 소 신호용 스위칭 다이오드. ... 반도체에 +전하가 들어가면서 중간에 전자가 접합부분을 통과하지 못하는 현상이 발생하는데 이 현상이 발생하는 구간을 공핍영역이라고 하며, 여기서 생긴 전위차를 문턱전압이라고 한다.Si의

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.10.07

  다운로드 장바구니
• 

  3장 예비보고서

  Si의 경우는 0.7V, Ge의 경우는 0.3V, GaAs의 경우엔 1.2V 의 문턱전압을 진다.2) 양논리 AND 게이트그림 13-2(a)는 2개의 입력을 갖는 AND 게이트를 나타내었다

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.10.07

  다운로드 장바구니
• 

  스핀코터를 이용한 필름 제조 설계와 변수들의 영향 분석

  Spin coater의 이용 반도체에서 Si, GaAs 등의 웨이퍼에 PR (photo resist)을 코팅하는 경우나, TFT-LCD 생산 공정에서 TFT, 컬러필터 등의 기판 위에

  리포트 | 17페이지 | 5,000원 | 등록일 2018.08.17 | 수정일 2021.12.07

  다운로드 장바구니
• 

  LED(Red, Yellow, Green, Blue, White)와 CdS셀 간의 거리에 따른 저항측정

  .◆ LED에 적합한 재료- 발광파장이 가시 or 근적외영역에 존재하는 것- 발광효율이 높은 것- pn접합 제작 가능한 것비소화갈륨 GaAs, 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1 ... 그 때문에 카메라 등의 조도계의 분야에서는 대부분 CdS셀이 사용되었음에도 불구하고 Si 포토셀 등의 광기전력형의 광센서로 대체되고 있다.◆ 수광소자소자에 흡수된 광자의 에너지를 측정할

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2018.04.26

  다운로드 장바구니
• 

  PEC CELL

  , GaAs, InP등의 1.5~2.5eV)은 적외선 영역에서부터 UV이에 이르기까지 다양한 파장의 빛을 흡수할 수 있다. ... 상당히 부족한 에너지 변환 효율을 나타낸다.그림5. spectrum of solar radiation반면 낮은 band gap에서 중간정도의 band gap을 가지는 물질들의 경우(Si ... 최근까지 PEC에 관한 연구 중에 실질적으로 영향력 있는 결과로 평가되고 있는 것은 미국의 NREL의 Turner그룹에 의해 1998년 보고된 연구로 GaAs와 GaInP2를 이용하여

  리포트 | 16페이지 | 3,000원 | 등록일 2018.10.30

  다운로드 장바구니
• 

  반도체소자 : 결정구조,도체부도체와비교,crystaline

  device (LD, LED ) GaAs, InP, ZnS, GaAsP, InGaAs etc... ... CrystallineElemental rectifier, transistor and IC elements Si , Ge Compound high speed device, optical ... Corners and FCC site atoms are the same kind, while 4 atoms inside the cell are different kind atoms GaAs

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.11.03

  다운로드 장바구니
• 

  [화공실험]태양전지 실험 보고서

  이때 생성된 전자와 정공은 전기장을 따라 각각 이동하여 n-Si와 p-Si에 모인다. 즉, 전자와 정공의 움직임은 전기장에 의해 주도된다. ... 이렇게 할 경우 태양광 전체의 스펙트럼을 여러 부분으로 나누어 효율적으로 흡수할 수 있게 되어 높은 효율을 나타낼 수 있다.그림 7 GaAs태양전지?

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.03.23

  다운로드 장바구니
• 

  태양광을 이용한 수소 연료 전지 실험보고서

  그리고 화합물계통에는 2-4족(CdS,CdTe등), 3-5족(GaAs,Inp등)이 있다.구조에 의해 분류는 크게 '결정형'과 '박막형'의 두 가지로 나뉜다. ... Si 태양전지나 박막 태양전지와 같이 n-형, p-형 반도체의 접합을 사용하지 않고 전기화학적 원리에 의해 전기를 생산. ... 실험원리1) 태양전지- p, n형 반도체p형 반도체는 실리콘(Si), 게르마늄(Ge)과 같은 4가 원소에 갈륨(Ga) 같은 3가를 띠는 원소를 넣으면 공유결합을 하게 되는데, 3개의

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2018.03.21 | 수정일 2019.03.07

  다운로드 장바구니
• 

  직렬 및 병렬 다이오드 구조

  Si의 경우는 0.7V, Ge의 경우는 0.3V, GaAs의 경우엔 1.2V 의 문턱전압을 진다.P형 반도체와 N형 반도체를 결합한 것으로, 정방향에는 작은 전압으로도 전류가 흐르지만 ... 이때 가해주는 최소 전압은 Si타입은 0.7V Ge 타입은 0.3V이다. ... 문턱 전압이론적인 문턱 전압은 Si 다이오드 = 0.7V, Ge 다이오드 = 0.3V 이다.2.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.06.17

  다운로드 장바구니
• 

  센서

  Si 태양 전지 외에, CdS, GaAs, 아몰포스 태양전지 등이 있다.Si 태양 전지는 그림에서처럼 얇은 PN접합으로 된 다이오드 구조로 되어 있다. ... 태양 에너지의 이용이전 세계적으로 검토되게 된 것이 도화선이 되어 갑자기 주목을 집중시키게 되었다.태양전지는 그 표면에 조사된 입사광을 전기 출력으로 변하게 하는 것으로 단결정 Si를소재한

  리포트 | 63페이지 | 6,000원 | 등록일 2018.08.27 | 수정일 2022.03.21

  다운로드 장바구니
• 

  방사선사 국가고시 방사선 계측학 중요 point

  전하운반자의 수의 통계적 편차- 전하수접효율의 변동- 전자회로의 잡음 등기타 반도체 검출기GaAs, CdTe, HgI₂ 의 검출기 ? ... - n＜5Si표면 장벽형p? - n＜5Si, 제조가 용이, 열처리 함으로써 고에너지 분해능, 불감층이 얇음Li 유동형n? ... - i - p＜15 - 20Si(Li), Ge(Li)고순도 게르마늄형p? - p - n?HPGe 사용할 때 냉각, 고에너지 엑스선, 감마선에 최적4) Cds 선량계동작원리 ?

  시험자료 | 12페이지 | 4,000원 | 등록일 2018.09.30 | 수정일 2018.10.05

  다운로드 장바구니
• 

  반도체 LED 강의 1장 : 반도체 기술 소개

  정공의 농도가 더 높다)n-형과 p-형 반도체를 이용하여 다이오드, 트랜지스터 등과 같은 전자 소자를 만들 수 있고 많은 전자 제품에 응용된다 발광 소자 --- GaN, 사파이어, GaAs ... 태양전지 (poly-Si, Amorphous Si, Single crystal Si) ... 디양한 재료 관련 산업 LED (발광다이오드, Light Emitting Diode), laser diode, OLED (유기 발광 다이오드) Display장치 태양 전지 --- Si

  리포트 | 24페이지 | 4,000원 | 등록일 2014.05.20 | 수정일 2017.01.20

  다운로드 장바구니
• 

  SiC, GaN 화합물 반도체의 전력소자 응용

  (일부 GaAs)디바이스이고, 보다 혁신적이고 저손실을 실현하기 위해서는 SiC, GaN 등의 와이드갭반도체를 사용한 디바이스가 기대되고 있다.● SiC는 밴드 갭이 Si의 2-3배이다 ... 화합물 반도체는 결정이 두 종류 이상의 원소 화합물로 구성되어 있는 반도체로, 갈륨-비소(GaAs), 인듐-인(InP), 갈륨-인(GaP) 등의 Ⅲ-Ⅴ족 화합물(주기표의 Ⅲ족과 Ⅴ족의 ... 칩 크기의 Si DMOSFET와 비교하여 1/10이하의 저 on-저항을 실현했다.* 스위칭 시간은 Si 디바이스가운데 on-저항이 상대적으로 낮은 Si-IGBT와 비교하여 약 1/5로

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.10.13

  다운로드 장바구니