"Si GaAs" 검색결과 141-160 / 565건

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  [전자공학실험-예비+결과보고서] 9.Diode 특성, Zener diode

  이런 diode를 Zener diode라 한다.이런 대부분의 diode는 Si로 만든 것이다. ... GaAs 계열의 반도체 재로로 제작한 diode의 경우 순방향 전류가 흐르면 빛을 내기도 한다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.06.21

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  [기초전기전자실험] 실험 17,18 센서 실험 보고서 <A+받은 자료>

  , InAs, InSb, GaAs 등이 ㅣ용된다. ... 자계의 양자에 직각인 방향으로 전압이 발생하는 홀효과가 이 소자의 동작원리이며, 이 중 입력단자가 전류단자이고 출력단자가 홀 전압 단자로 표시된다.홀소자의 반도체 재료로는 Ge, Si ... 이 중에서도 GaAs재료를 이용한 홀소자가 용도 특성이 우수하여 주목받고 있다.▶ 홀소자 이용법- 센서에 일정 전류를 흘려 놓고 자계와 자계로 변환된 다른 물리량을 검출하는 방법-

  리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2016.01.03 | 수정일 2016.04.08

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  cu를 이용한 박막 증착 실험보고서

  화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition)예를 들어 기판위에 Si 를 증착시켜 본다고 해보자. ... 좀 더 풀어서 말하자면, 많이 쓰이는 산화물 반도체나 GaAs 등을 증착시킬 때 PVD 방법들은 그 화합물들을 우선 소결하거나 녹여서 고체 상태의 target으로 제조해서 열이나 전자빔으로 ... 기판을 가열하도록 해주는 장치이다.E-beam evaporator의 증착 원리 & 과정 및 장·단점 비교E-beam evaporator 공정은 주로 용융점이 높은 금속 (W, Nb, Si

  리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.06.20

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  DSSC pre

  /Ge, GaAlAs/Si, InP/Si 등㉡ 이용목적 및 구조에 따른 분류ⓐ 지상용 태양전지- 결정형 : 단결정, 다결정 실리콘 태양전지, GaAs/Si 등- 박막형 : 비정질 실리콘 ... , CdS, CdTe, CuInSe2 등- 집광형 : GaAs 계열, 적층형 등ⓑ 위성용 태양전지- IV 족 : 단결정 실리콘, Ge (저온용)- GaAs 계열 : GaAs, InP ... 등- 적층형(Tandem) : GaAs/Ge, GaInP/GaAs, GaAlAs/GaAs4.1 실험 시약 및 기구시약염료용액, 전해질용액, 에탄올, 봉지재료기구음전극(TiO₂ 물질이

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.21

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  갈륨비소

  화합물반도체의 단결정은 Si의 인상법과 거의 동일한 요령으로 제조할 수 있으나, 2종류 이상의 원소의 혼정이기 때문에 앞으로 많은 연구를 필요로 한다. ... 화합물반도체는 그 구성원소를 서로 규칙 바르게 정렬한 반도체결정으로 만들 수 있어 Si처럼 불순물을 첨가하면 P형, N형 반도체가 되기 때문에 고집적화도 가능하다. ... 대체할 목적으로 1950~1952년에 걸쳐 철저한 연구를 하여 각종 원소를 조합시켜 만드는 화합물반도체의 실상을 증명하고 그 물리적 성질을 밝히면서부터였다.장차 이들 화합물반도체는 Si반도체와

  리포트 | 23페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.12

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  8. 반도체 나노입자의 분광학적 성질(예비)

  .* (에너지 밴드를 분리시키는 금지대역, 전도대 및 가전자대를 분리시킴)- 전도체 (Al,Au,Pt,Cu,W 등) : Eg ≒ 0 [eV]- 반도체 (Si,Ge,GaAs,InP 등 ... ) : 0 < Eg < 4 [eV]- 부도체 (SiO2,Si3N4 등) : Eg > 5 [eV]- HOMO-LUMO(Highest Occupied Molecular Orbital-Lowest

  리포트 | 20페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.04.05 | 수정일 2016.04.11

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  MESFET의 특징

  Si보다도 큰 이동도와 캐리어 표동속도를 갖는 GaAs나 InP와 같은 3-4족 화합물의 MESFET 소자에 대해서는 특히 속도상의 이점이 있다.GaAs MESFETGaAs는 Si에 ... 제작된 이래 GaAs MESFET은 microwave frequency 디바이스로 주목을 받게 되었다.이는 GaAs가 Si에 비해 전자의 이동도가 6배 바르고, 그 초고속도 또한 ... 즉,반절연성 GaAs 기판으로부터 시작하여 표면에 각 트랜지스터의 영역인 얇은 n형 층을 Si 또는 Se와 같은 6족의 도너불순물을 주입시켜 형성시킬 수 있다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.26

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  amphoteric dopants의 Si의 성질

  in GaAs because it is energetically more favorable for the small Si atoms to substitute for the small ... or Ge are doped in GaAs (group III-V)? ... Si와 Ge 중에서는 상대적으로 크기가 작은 Si가 Ga 자리에 들어가 도너 역할을 하고. 반대로 Ge은 As 자리에 들어가 억셉터 역할을 한다.

  리포트 | 1페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.29

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  파장에 따른 si와 GaAs시료의 반사용 투과율 흡광 거동 측정 Optical Spectroscopy 결과레포트

  한편 식(3) 에 의행 흡광 계슈를 정확히 계산하기 위해서는 GaAs 와 Si 의 반사율의 정확한 측정이 필수적이다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.03.26

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  cigs의 개요 원리 구성및특성 박막성장기술 장단점 고효울화방안

  (c-Si) 다결정 Si (mc-Si) 비정질형 (a-Si : H) 실리콘계 Ⅲ-Ⅴ 형 GaAs,InP Ⅱ-Ⅴ 형 CdS / CdTe,CIS 화합물계 유기물 염료 감응형 광화학 반응형 ... / nc -Si 박 막 실리콘 결정 CdTe CIS/CIGS Galnp ₂/ GaAs InGaP / InGaAs / Ge Dye Sensitized 유기물 하이브리드 염료 폴리머 신소재 ... 동종접합으로 태양전지에 사용 가장 산업화가 앞서가고 있는 분야 단결정 실리콘 1 세대 태양전지2 세대 태양전지 CI(G)S ( CuIn ( Ga )Se2) 와 CdTe 계열과 III-V GaAs

  리포트 | 62페이지 | 4,000원 | 등록일 2012.05.26

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  CVD method를 통한 ZnO NWs synthesis 예비보고서[1].

  C2H4 ⇒ AC + HX2SiH4 + C2H4 → 2SiC + 6H2⑥ 합성 반응 (Synthesis Reaction).AX + H2O ⇒ AO + HX(CH)3Ga + AsH3 → GaAs ... (양자와이어)금속성(Ni, Pt, Au 등)과 반도체(Si, InP, GaN, ZnO 등), 절연성(SiO2, TiO2 등)의 많은 종류의 나노와이어가 존재.레이저나 트랜지스터, 메모리 ... ◆CVD 반응의 종류① 열분해 (Pyrolysis).AB ⇒ A + BSiH4 → Si + 2H2 (600 ~ 1100 ℃)② 환원 (Reduction).AX + H2 ⇔ A + HXWF6

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.07.26 | 수정일 2022.09.02

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  태양광 발전

  결정질Si 기판형 단결정(Single-Crystalline Si)다결정(Poly-Crystalline Si)박막형(Poly-Crystalline Si Thin Film)비결정질 Si화합물반도체 ... Ⅱ-Ⅳ족 : CdTe,CIS등Ⅱ-Ⅴ족 : GaAs,InP,InGaAs등기타: Quartum Dot Cell,Dye Cell등나) 계통연계 여부에 따른 분류① 한전계통과 연계하는 계통연게형② ... 흐르게태양광부하된다.전면전극반사방지막N형반도체P형반도체전류후면전극(광전효과)2) 발전기술 분류태양광 발전기술은 태양전지 재료 및 계통연계 여부에 따라 다음과 같이분류한다.가) 재료에 따른 분류태양전지 SI계

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.11.18

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  태양광 발전의 개요 및 전기적 특성

  ,InP,GaAlAs,GaP,GalnAs 등Ⅱ-Ⅵ족 화합물계CulnSe2,CdS,CdTe,ZnS 등화합물 또는적층형화합물/Ⅵ족 계열GaAs/Ge,GaAlAs/Si,InP/Si 등화합물 ... 태양전지의 이용목적에 따른 재료지상용결정질형단결정,다결정 실리콘, GaAs/Si 등박막형비정질 실리콘, CdS, CdTe, CulnSe2 등집광형GaAs 계열, 적층형 등위성용Ⅳ족단결정 ... /GaAs/Ge 등따라서 암(dark) 상태의 태양전지는 넓은 pn접합의 면적을 갖는 다이오드의 전압-전류 특성과 유사하다.일반 Si 다이오드의 특성곡선에서 순방향 문턱전압(threshold

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.06

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  반도체공정실험 예비보고서(Metal deposition)

  많이 쓰이는 산화물 반도체나 GaAs 등을 증착시킬 때의 PVD 방법들은 그 화합물들을 우선 소결하거나 녹여서 고체상태의 target으로 제조해서 열이나 전자빔으로 휘발시켜서 기판에 ... 1820℃), 탄탈륨(m.p.:3000℃, 10{} ^{-6}Torr 에서는 2240℃) 등이 있다.E-beam evaporation은 증착재료의 용융점이 넓은 경우(W, Nb, Si

  리포트 | 3페이지 | 5,000원 | 등록일 2014.09.23 | 수정일 2021.04.11

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  다이오드PPT

  GaAs 초고밀도 집적회로 분양에서 실리콘 장치를 대체하고 있다 . ... , GaAs 의 특성 Ge 게르마늄의 생산은 온도 민감하고 역포화 전류가 높기 때문에 한정 적으로 이루어진다 . ... Si 모든 전자제품 분야에 가장 자주 이용된다 . 우수한 항복 전압 , 좋은 온도 특성 , 낮은 역포화 전류 , 낮은 가격 등의 이점을 가지고 있다 .

  리포트 | 33페이지 | 4,000원 | 등록일 2011.11.13

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  자연계의 여러가지(17가지) 물질들의 구조와 그 용도에 대한 리포트..

  다이아몬드 구조(Si, Ge, C)다이아몬드 구조는 Zinc Blend Structure라고 칭하며.. ... GaAs (Zinc Blende 구조)갈륨 아세나이드는 갈륨과 비소로 이루어진 화합물로서, 반도체의 중요한 재료며, 또한 마이크로 웨이브파 집적회로와 레이저 다이오드와 같은 기기들을

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.12.12 | 수정일 2021.11.21

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  태양전지 이차전지 연료전지

  적층형 (tandem) 태양전지1) 화합물/VI 족 계열 : GaAs/Ge, GaAlAs/Si, InP/Si 등..PAGE:15이용목적 및 구조에 따른 분류1. ... 지상용 태양전지1) 결정형 : 단결정, 다결정 실리콘 태양전지, GaAs/Si 등2) 박막형 : 비정질 실리콘, CdS, CdTe, CuInSe2 등3) 집광형 : GaAs 계열, ... 위성용 태양전지1) IV 족 : 단결정 실리콘, Ge (저온용)2) GaAs 계열 : GaAs, InP 등3) 적층형(Tandem) : GaAs/Ge, GaInP/GaAs, GaAlAs

  리포트 | 43페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.08

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  태양 전지 종류와 발전단계

  GaAs 의 경우 가장 효율이 높은 태양전지 . ... 태양전지 다결정 Si 태양전지 단결정 : 푸른색이 균일하게 보인다 . ... 다결정 : 푸른색이 균일하지 않고 명암이 있다무기물 태양전지 무기물 태양전지는 III-V 족 태양전지인 GaAs 태양전지와 CdTe , CIGS 태양전지가 있다 .

  리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.13

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  [공업유기화학]태양광 발전용 기판의 특성

  Rear Locally Diffused) 태양전지화합물 태양전지 ① 특성 - 우주선에 의한 열화가 광조사 , 순방향전류에 의하여 회복되는 등 우주에서 이점이 되는 특성 ② 단점 - GaAs ... 면에 강한 빛을 입사하면 반도체 중에 만들어진 전자와 정공이 접촉 전위차 때문에 분리되어 양쪽 물질에서 다른 종류의 전기가 나타나는 현상태양전지의 분류단결정질 실리콘 태양전지 c-Si ... 태양전지를 얻을 수 있다④ 단결정 실리콘 태양전지의 종류 스크린 프린팅 태양전지 구조 Buried Contact Solar CellDSBC 태양전지다결정질 실리콘 태양전지 mc-Si

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.12.12

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  [태양전지] 태양전지 (필요성, 원리, 특징, 종류, 제조법, 실용화, 앞으로과제) PPT

  *태양전지의 종류태양전지변환효율(%)결정형실리콘(단결정,다결정) 갈륨비소 (GaAs) 탐뎀형 (GaAs/Si)24~28 25 31(347배 집광)박막형비결정질 Si(a-Si) 탐뎀형 ... (a-Si/CIS)14 16*태양전지의 성능변환효율: 입사한 빛을 어느 정도의 비율로 전기로 바꿀 수 있는가의 척도 태양 전지의 변환 효율은 입사하는 에너지의 강도 차이와는 무관. ... 변환효율은 18%*비결정실리콘 태양전지박막형 태양전지의 대표 Si를 함유한 가스를 진공 챔버 내에 방전 200~300 ℃로 가열한 유리기판 형태로 0.5 ㎛의 얇은 막 제작 재료비가

  리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.12.09

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