"Si GaAs" 검색결과 121-140 / 565건

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  유비쿼터스컴퓨팅개론1공통) 현재 많이 사용되고 있는 스마트폰뿐만 아니라, 우리의 일상 생활에서는 다양한 센서가 장착되어 사용되고 있습니다. 현재 일상생활에서 쓰여지는 센서를 3개 조사하여 기술적인 내용과 기능적인 내용을 기술하고, 이 센서를 활용하여 일상 생활에서 제공될 수 있는 미래 IoT 서비스를 기술하십시오. 그리고 센서를 활용한 일상 생활 서비스에

  예를 들면 Si dope한 GaAs(적외) LED(950nm)는 직접 천이형이기 때문에 양자 효율은 약 10%로 높은데 비해서 N dope GaP(녹색) LED(565nm)는 간접 ... 주체는 Si를 재료로 한 포토다이오드 이지만, 그 외에도GaAsP, Ge, InGaAs를 재료로 한 것도 있다.

  방송통신대 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.03.17 | 수정일 2016.03.26

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  화합물 반도체

  그림은 GaAs에서 Si과 S 주개의 d0 상태와 DX- 상태의 원자구조를 보여주고 있다.GaN는 청색 발광다이오드에 사용되는 중요한반도체 전자재료이다. ... ---- 목 차 ----◎ 화합물 반도체의 정의◎ Si 반도체와의 차이◎ 화합물 반도체의 종류※ III-V 족 화합물 반도체 (GaAs, GaN)※ II-VI 족 화합물 반도체 (ZnO ... 이로 인해 이런 구조에서는 빛의 생성이 어렵다.< (a) 화합물 반도체 구조 (b) Si 반도체 E-K 다이어그램 >◎ 화합물 반도체의 종류※ III-V 족 화합물 반도체 (GaAs

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.11

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  전북대 반도체 센서 시험범위 정리 chapter2

  구조에 따라 PN접합, PIN구조 등 여러 종류가 있음 재료는 Si, Ge, GaAs, InGaAs 등Q3: PN 포토다이오드란? ... 구성빛이 광전 음극에 입사하면 광전 음극에서는 2차 전자 방출2차 전자는 다음의 음극에서 증배되어 최후로 양극에 도달하는 사이에 배 이상 증폭이 일어나는 것으로 빛을 감지.자외선 방출Si

  시험자료 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2019.07.06

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  태양전지의 이해

  태양전지의 종류1) 태양전지의 반도체들은 주로 실리콘(Si)과 갈륨아세나이드(GaAs)이며, 실리콘이 가장 많이 활 전자부품이나 태양전지에 사용할 수 있는 것은 고순도의 실리콘을 회수하여야 ... 태양전지의 종류별 변환 효율종류실리콘 반도체화합물 반도체결정계통비결정계통Ⅲ-Ⅴ족Ⅱ-Ⅳ족단결정다결정아몰퍼스GaAs,InP 등CdTe,Cis 등변환효율(%)15~1812~146~817현재

  리포트 | 23페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.11.14

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  [무기화학]연료감응형 태양전지의 원리와 구조

  DSSCs 제작을 통한 원리와 구조의 이해웨이퍼 구조 결정질 실리콘 다결정질 실리콘 박막 구조 CIGS 태양전지 Si 태양전지 CdTe 태양전지 GaAs 태양전지 광전기화학구조 염료감응형 ... µ m) (1-2.5 µ m) (0.5-1 µ m) (0.2-0.5 µ m) (0.06-0.2 µ m) (2-8 µ m) CIGS solar cell CdTe solar cell Si ... ETRI Art + Electricity Low cost - 30% of Si-based solar cell High voltage Stable at various temp Simply

  리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.03.20

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  반도체 다이오드, 제너다이오드, 에미터접지트랜지스터의 특성실험

  절연 내력이 파괴되어 전류가 흐르지 않습니다.즉, 일정한 V를 넣어주면 R이 파괴됩니다.각종 Diode의 용도를 설명하라.크게 발광 / 제너 / (Si / Ge / GaAs)로 구분됩니다.발광다이오드는 ... 반도체 다이오드의 특성실험□ 탐구활동Diode의 전압-전류 특성 곡선에서 Si / Ge Diode의 차이점은?Si 와 Ge의 무릎전압이 틀립니다. ... (단, Ge를 측정 후 Si를 측정한다.)□ 실험사진실험순서 (회로사진)실험1.

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.05.01

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  LED 특징과 활용 (LED,OLED,LCD,LED 구성,LED 원리,LED 분류)

  여기서 N형 반도체란, Si, 즉 실리콘에 화학표의 5족 불순물 즉 비소, 인 ,안티몬 등의 원소들을 도핑하여 만들어져서 이것이 실리콘과의 화학적 결합시에 결합력이 약한 잉여전자가 ... 재료로 에폭시 수지 또는 폴리메타크릴레이트로를 사용하느냐의 재료특성에 따라 변화함- LED의 배광특성으로 직진성이 강함3) 기타- 발광 다이오드의 구조는 갈륨의 화합물인 갈륨비소(GaAs ... 마찬가지로 GaP이며, GaP기판 결정 위에 LPE법을 이용해 p-n 접합을 형성하여 제작하는 LED로 옥외용 디스플레이로도 사용되고 있음GaAsP계 적색 LED- GaAsP결정은 GaA니-XPX의

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.02.27

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  LED Procsee

  . - 고온 Si + As = n-type - 저온 Si + Ga = p-typeItemsPropertiesNoteMaterialsAlGaAs GaAsPeak wavelength830 ... typeStandard Window infrared LED, High Speed infrared LEDWafer sizeWafer diameter = 2, 2.5, 3inchn-GaAs ... GaAs/GaAsOPA 9437/9438940WGaAlAs/GaAsOPA 944X940SGaAs/GaAsOPA 941X 942X/943XColorWp(nm)MaterialPart

  리포트 | 54페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.01.09

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  인하대학교 공업화학실험 PEMFC 예비보고서 A+

  /Ge, GaAlAs/SiInP/Si)태양 전지는 재료에 따라 위와 같이 나뉘며 공통적인 특징으로는 무한한 태양에너지를 이용하여 전기를 생산한다는 점과 다른 발전 시스템과 달리 가동부분이 ... SiO2/nano lonomer 복합 막의 제조 및 고온As, InP, GaAlAs, GaInAs등)Ⅱ-Ⅵ족 화합물계(CuInSe₂, CdS, CdTe, ZnS등)화합물/Ⅵ 족 계열(GaAs

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.12.31

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  반도체와 초전도체 ppt 파워포인트자료

  Gumn 다이오드 ◆ GaAs, AlGaAs, 3원소, 4원소의 화합물 : 반도체 레이저화합물 이용소자WB (Wide-Band-gap) 반도체WB반도체는 에너지갭이 Si나 GaAs계의 ... 반도체와 초전도체Ⅰ실리콘계 반도체 Ⅱ화합물 반도체 Ⅲ초전도체Ⅰ실리콘계 반도체반도체전기적으로 부도체와 도체의 중간의 성질을 가지는 물질로 기본적으로 4족원소인 Si, Ge과 3-5족, ... GaAs나 GaP와 같은 2원소(binary)의 Ⅲ-Ⅴ족 화합물은 발광 다이오드( light-emitting diode: LED)에 주로 이용된다화합물 반도체를 이용한 소자는 주로

  리포트 | 49페이지 | 5,000원 | 등록일 2013.04.17

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  홀센서를 이용한 자석으로 열리는 자동문 / 자석으로 닫히는 자동문

  , InAs, InSb, GaAs 등이 이용된다. ... 이 중에서도 GaAs 재료를 이용한 홀 소자가 용도 특성이 우수하여 주목받고 있다.홀 소자의 구조로서는? 단결정 재료를 박편화한다.? ... 그 중에서 Si Hall IC 는 최초로 IC 화된 센서이다.Hall IC의 특징은 다음과 같다.?

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.01.12

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  현대물리실험-Thermal Evaporation (열 진공증착) 결과레포트

  산화(oxidation) 공정 : 산화제(물, 산소)와 열에너지를 공급하여 절연막 등 다양한 용도로 사용되는 산화막(Si`O _{2})을 형성하는 과정이다. ... 웨이퍼(wafer) 공정 : 웨이퍼는 반도체 집적회로의 핵심재료이며 실리콘, 갈륨, 갈륨 아세나이드(GaAs) 등을 성장시켜서 얻은 잉곳(Ingot)을 적당한 지름으로 얇게 썬 원판모양의

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2018.05.30 | 수정일 2022.06.01

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  [무기합성화학] 다양한 무기합성법

  , GaAs, SiC), 절연막(SiO2, Si3N4), 금속박막(W, AI), 유기박막 등의 박막을 형성하는 대표적인 방법이다.화학기상합성(CVD)법은 원하는 물질을 포함하고 있는 ... 기상법*기상법 개념도- 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition)반응기에 주입된 기체들이 가열된 기판 위에서 화학반응을 통해 박막을 형성하는공정으 로 반도체(Si

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.06.22

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  LED의 정의,구조,특징,응용

  갈륨 ( GaP ) - 빨간색 , 노란색 , 녹색 셀렌화 아연 ( ZnSe ) - 녹색 , 파란색 알루미늄 인듐 갈륨 인 ( AlGaInP ) - 오렌지색 , 노란색 , 녹색규소 (Si ... LED 의 특성 (4) 재료적 특성 LED 에 사용되는 재료는 모두 화합물 반도체 화합물 반도체에는 여러 종류가 있다 ☞ Ⅲ-Ⅳ 족 GaAs , GaP , GaAsP , GaAlAs ... , AlInGaP , GaN ☞ Ⅱ-Ⅳ 족 ZnS , ZnSe , ZnCdSe ☞ Ⅳ-Ⅳ 족 SiC 가시광 LED 는 GaAs , GaP , GaN 계 화합물 및 혼합 반도체로 제작3

  리포트 | 18페이지 | 3,000원 | 등록일 2015.03.12 | 수정일 2021.07.06

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  인하대 생활과 과학 시험대비 직접 정리

  Si나 GaAs씀. Si이 가장 많이 쓰임. 단결정 Si가 가장 비쌈.

  시험자료 | 17페이지 | 4,000원 | 등록일 2017.12.24

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  태양에너지 원리 및 case 연구

  접합태양전지 종류 태양전지 ( 셀 ) 의 종류와 재료 실리콘 태양전지 결정계 단결정 Si 종 류 다결정 Si Amorphous Si , SiC , SiGe 비결정계 15-24% 셀의 ... 변환효율 10-17% 8-13% 10-14% 모듈의 변환효율 9-12% 6-9% InP, CdS, CdTe 이원계 18-30% ( GaAs ) 10-12%( 기타 ) - CuInSe2 ... 유기반도체 태양전지 멜로시아닌 1% 이하 - 태양전지의 종류 - 상용화 사용 중인 태양전지는 단결정 실리콘 , 다결정 실리콘 태양전지 , 비결정 실리콘 임 변환 효율이 가장 높은 GaAs

  리포트 | 27페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.08.04 | 수정일 2018.03.30

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  MOCVD

  이 결과를 통해서 GaN이 고르게 성장되지 않았음을 알 수 있다.① 산업표준고려 : 일반적으로 GaN 반도체를 성장하기 위하여 사파이어, SiC, Si, GaAs 기판 등이 주요 사용되는데 ... 높여 균일성이 좋은 박막 증착을 가능하게 하기 위해 저압에서 성장 - 유 량 : Ga - 4.0 sccm NH₃- 1.8 slm ┗ 가장 적절한 비율 (논문참고) - 기 판 : Si ... 가격과 실험실의 보유량을 고려* 조에서 설계한 조건- 온 도 : 1040℃ - 압 력 : 100 torr - 유 량 : Ga - 2.0 sccm NH₃- 1.8 slm - 기 판 : Si

  리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.07.02 | 수정일 2023.03.30

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  Solar Cell

  실제의 변환효율은 Si, 비결정성 Si, GaAs를 재료로 한 것으로서, 각각 약 10~15%, 8~12%, 15~22% 정도이다. ... ●Solar Cell이란태양 에너지를 효율적으로 전기 에너지로 변환하도록 설계된 광기전력 효과를 이용한 광전변환 소자로 Si 이나 GaAs 등의 반도체의 pn접합이나 쇼트키 접촉에 ... NREL에 의하면 GaAs와 InGaP을 다중 접합하면 최대효율이 39% 태양전지 개발을 발표한 바 있다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.12.11 | 수정일 2014.08.20

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  태양관 발전 레포트

  /Ge, GaAlAs/Si, InP/Si 등- 화합물/화합물 계 : GaAs/InP, GaAlAs/GaAs, GaAs/CuInSe2태양광발전시스템의 전력변환 및 제어장치태양광발전시스템 ... 태양전지(amorphous silicon solar cell)ㅇ 화합물 반도체 태양전지(compound semiconductor solar cell)- III-V족 화합물계 : GaAs ... GaAlAs, GaP, GaInAs 등- II-VI족 화합물계 : CuInSe2, CdS, CdTe, ZnS등ㅇ 화합물 또는 적층형 (tandem) 태양전지- 화합물/VI 족 계 : GaAs

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.12.03

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  기초재료및실험 - 결정구조

  한편 GaAs나 SiGe험결과 ... 먼저 Si 이나 Ge 같은 한 가지 종류의 원자로 이루어진 반도체는 그림(a)과 같은 다이아몬드 구조로서 FCC 기본 구조가 대각선 방향으로 a/4씩 평행 이동된 제2의 FCC 구조와

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.11.11

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