"Si GaAs" 검색결과 501-520 / 565건

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  [HJBT] HJBT

  게르마늄의 격자상수가 실리콘보다 4.17% 크기 때문에, 실리콘 웨이퍼 상에 단결정으로 성장된 Si1-xGex 는 정합 응력 변형을 일으키게 된다.틱 mold한 wire bond 형식을 ... 대기업이 실리콘-게르마늄 기술개발과 인력양성에 눈을 돌려야할 때입니다"GaAs반도체는 GaAs MESFET와 GaAs HBT, GaAs HEMT 등 세종류가 현재 시장의 주도적 역할을 ... 본 논문에서는 GaAs 베이스에 C 도핑된 InGaP/GaAs HBT를 여러 가지 온도 및 시간에서 RTA를 수행하여 H을 제거시킴으로써 C-H 결합과 분리에 따른 베이스 도핑농도

  리포트 | 27페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.06.13 | 수정일 2018.01.08

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  [재료공학] Quantum Dot Device (양자점 소자)

  GaAs 단전자 소자Al/AlOx/Al 접합과Si 단전자 소자Al 섬으로 이루어진단전자 기억소자단전자의 이동 Quantum Dot이나 0.1nm이하 크기의 단전자 접합으로 이루어진

  리포트 | 25페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.01.24

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  [신소재] 신소재에 대해서

  그 이유는 빛을 받 을 때 a-Si이 상당히 intrinsic degradation 되기 때문이다. ... 따라서 재료의 가공기술과 디바이스 디자인을 얼마나 발전시키는 가 가 a-Si의 효율을 안정화 시키는 관건이 된다. ... 현재 단일 접합으로 28.7% (200 sun concentrator) 이 기록이며 GaAs/GaSb 중첩전지로는 34.2% (100 sun concentrator) 가 기록이다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.10.02

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  [반도체공정] 화학기상증착

  혼합물을 사용하여 GaAs를 증착시켰다. ... 또한 최상층 금속 배선 위를 덮는 보호막(passivation film)인 Si3N4 박막과 금속 배선층간의 절연막인 SiO2 박막 등이 PECVD(plasma CVD)법에 의해 증착되며 ... 한 예로 SiCl4와 H2를 원료로 사용하여 Si을 증착시켰으며, 갈륨비소 반도체의 경우도 Ga과 AsCl3의 혼합물을 사용하거나 Ga와 HCl의 반응으로부터 생성된 GaCl과 AsH3의

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.29

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  태양전지(solar cell)

  대부분의 반도체들은 광기전력효과(photovotaiceffect)를 나타내지만 태양전지의 다량생산으로 이어지는 반도체들은 주로 실리콘(Si)과 갈륨아세나이드(GaAs)이며, 실리콘이 ... 본격적인 PV system의 상업화는 1940년대와 1950년대 사이에서 이루어 졌는데, 1941년 적정한 효율을 내는 실리콘(Si) 태양전지가 연구되었고, 1954년에 이르러 고순도 ... 태양전지 ( amorphous silicon solar cell )화합물 반도체 태양전지 ( compound semiconductor solar cell )III-V족 화합물계 : GaAs

  리포트 | 26페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.11.14 | 수정일 2019.02.10

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  [발광다이오드.] 포토다이오드(PD)

  사용재료에 따른 수광대역 GaAs : 1.3 ~ 1.55 μm Ge : 0.5 ~ 1.8 μm (최대 1.55 μm) Si : 0.3 ~ 1.1 μm (최대 0.8 μm) InGaAs

  리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.11.02

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  [DRAM]DRAM의 구조와 동작원리

  입력단자이다.3.현재 사용되고 있는 capacitor와 개발현황가.현재 사용되고 있는 capacitor 및 문제점현재 많이 사용되고 있는 capacitor는 SiO2 /SiN(ON), GaAs ... 많이 사용되고 있는 capacitor들의 Relative Dielectric Constant r들의 값을 보면{물 질SiGaAsSiO2Si3N4r11.913.13.97.5(source ... constant는 10-12이지만 이것이 많이 모여진 IC내에서는 반응시간에 엄청난 영향을 받게 된다.또한 D램의 커패시터 유전막 물질로 사용중인 실리콘 산화막(SiO2)이나 실리콘 질화막(Si3N4

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.12.17

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  특수다이오드

  변화를 수반한발광 과정과 격자진동이 동시에 생기기 때문에 발광재결합이 일어날 확율은 상당히 적게된다.이 비발광으로 전자가 재결합하는것을 비발광재결합이라 부른다.간접천이형 에서는 Si ... 당사에서는 주로 GaAs, GaAlAs를 사용하고있다.{4. ... 순방향으로 어떤전압 이상을 가하지 않는한 발광하지 않고 적외발광 다이오드 (GaAs) 에서 1.3V 정도이다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.10.21

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  [레이저] 반도체 레이저

  그래서 대표적인 반도체 매질인 ‘Si’ 대신에 direct band gap을 가진 ‘GaAs PN Diode’를사용한다.

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.18

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  [센서]여러가지 센서 실험

  (참조) 제조법용융된 실리콘에 종(SEED)이라고 하는 조그마한 Si 단결정을 넣어서 서서히 끌어 올리면 봉 모양의 Si의 결정체를 얻는다. ... 화합물 태양전지로 구분할 수 있으며, 실리콘 태양전지에는 결정질 실리콘 태양전지(단결정 및 다결정)와 비정 질 실리콘 태양전지가 있고, 화합물 태양전지에는 III-V족 태양전지(GaAs ... 접합 게이트형 (Junctcion gate type: JFET):차단 주파수 fｃ는 소오스 -드레인 간의 반송자 주행 시간으로 결정 되므로 고주파용 재료에는 전자의 포화 속도가 큰 GaAs가

  리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2002.06.06

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  [공학]물질의 종류및 구조와 특성

  세라믹스(fine ceramics): 기존 사용되던 천연원료를 가공 또는 인공적으로 합성한 원료를 사용한 세라믹 재료ex) 알루미나(Al2O3), 지르코니아(ZrO2), 질화규소(Si3N4 ... -단위 정당 이온 : 8개의 이온 (4개의와 4개의)-이 구조를 가지는 다른 물질 : GaAs, AlP InSb, ZnSe, CdS, HgTe3)부르자이트 구조(Wurtzite structure

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.09.24

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  [공학]전자재료

  전자 재료의 종류① 반도체 재료-Si, GaAs, InP, ZnS, ZnSe 등과 같은 반도체적 특성을 가진 재료② 유전체 재료-세라믹 재료가 가지는 매우 높은 전기저항을 이용한 절연체

  리포트 | 37페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.10.02

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  [반도체소자]전자와 정공의 농도

  ,GaAs 와 Ge 3가지 물질에 대해서 전자와 정공의 농도 변화를 보았다. ... 있다.Ⅵ 결론.전자와 정공의 농도 식을 Fermi-Dirac 분포함수와 상태 밀도 함수를 이용하여 구하여 보았고, 전도 대역이나 가전자 대역과 Fermi-준위와의 온도 변화에 따라 Si

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.12.19

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  [물리]결정구조 모형 제작 및 이해 여비보고서

  있다.Crystala ()Crystala ()Crystala ()CuF4.26AlP5.45AlAs5.66SiC4.35GaP5.45CdS5.82CuCl5.41ZnSe5.65InSb6.46ZnS5.41GaAs5.65A ... 딱딱한 공으로 채울 수 있는 공간의 최대비율은 0.34인데, 이는 fcc나 hcp와 같은 밀집구조에서의 채우기비율의 46%에 해당한다.Crystala ()Crystala ()C3.56Si5.43Sn6.46Ge5.654.4

  리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.09.03

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  [무기화학]nano particle

  기체상 클러스터 합성 화학Passivation의 예 GaAs 기판 위에 생성시킨 Al1-xGaxAs 나노 결정을 Si, SiO2 로 passivation 시키면 이러한 효과가 아주

  리포트 | 28페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.11.03

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  광파이버센서의개론및응용

  반사율의 색변화를 프리즘과 CCD 로 검출 범위:-100~400℃, 정밀도 1℃Si 에타론을 사용한 미소 온도센서 헤드OP 광로차단형 온도센서송수광파이버의 중간에 감온소자 삽입하여 ... 온도의존성(형광감도,잔광시간)으로 측온 형광체: [(GdEu)2O2S]+YF3, 자외선/가시광 측정범위: -50~200℃, ±0.1℃광파이버 반도체 온도센서광파이버 반도체 온도센서 GaAs

  리포트 | 101페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.11.20

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  [공학]반도체

  반면에 Si은 K값의 변화가 있어야만 전자와 홀이 결합할 수 있다.따라서 실리콘은 전자가 결정과 충돌하여 결정내부에 있는 trap이라고 불리우는 곳에 포획이 되고 (한마디로 결정과의 ... 에너지 밴드는 전자의 에너지이므로 홀은 반대로 윗부분으로 갈수록에너지가 작다는 것을 의미한다.따라서 홀은 윗 부분부터 채우게 된다.그림 3.3.1에서 GaAs의 에너지밴드는 conduction

  리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.06.16

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  발광다이오드(led)

  특히 화합물 반도체인 GaAs와 GaP 등의 단결정 성장 기술이 현저하게 발달되어 고품위 기판 양산 기술이 확보 된 것이다. ... 이후 1952년에는 Si과 Ge의 반도체 p-n 접합에서 발광이 처음 보고가 되었고, 또한 GaP와 같은 III-V의 화합물 반도체가 LED재료로써 처음으로 제안되기도 하였다. 1955년에는

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.03.16

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  [전기재료 전기재료] LED

  이때까지 기초기술확립의 시기. 1962년 Pankove의 GaAs p-n 접합부에서의 발광 관측을 시작으로 GaAs, GaP, GaAsP, ZnSe 등의 결정성장기술, 주입발광현상에 ... H.J.Round에 의한 금강사의 발견에 의함. 1923년 O.W.Lossew에 의해 SiC의 점접촉부에서 발광이 관측, 주입형 발광현상 확실. 1952년 J.R.Haynes등의 Ge, Si의 ... , InP계 LED의 양산에 이용3 Ga 또는 In 용매중에 GaAs, GaP, InP의 다결정과 dopant를 넣고 고온하의 H2 gas중에서 결정성장4 그림 6.10(a), (b

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.05.29

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  [반도체]반도체 소자의 발달사

  Si 반도체와 집적회로 발달5. Microprocess6. 반도체기억장치 발달7. ... 인공위성에 적재한 태양전지, 벽지 등에서 쓰이는 발전용 태양전지 등에는 규소나 비소화갈륨(GaAs) 등을 이용한 p-n 접합형 다이오드 등이 쓰인다.

  리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.12.11

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