"Ion Beam Sputtering" 검색결과 21-40 / 125건

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  12DryEtching

  중성원자, 혹은 중성분자 들을 식각 표면에 충돌시킴으로써 이들 입자들의 운동량이 전달되고, 이로 인하여 전달된 에너지가 식각될 물질의 결합 에너지보다 크게 되어 결합이 끊어진다.Ion-Beam ... GAS를 공급해 반응을 일으켜서 증기압이 높은 물질 또는 휘발성 물질을 생성시킴으로써 식각하는 방법.Dry Etchingⅰ) Plasma Etching → chemical ⅱ) Sputter ... 감광막)등방성 에칭 : 모든 방향으로 에칭 되는 속도가 비슷하며 주로 습식에칭에서 나타 난다.이방성에칭 : 특정한 방향으로의 에칭속도가 빠 른 경우이며 주로 건식에칭에서 나 타난다.Sputter

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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  Sputter 원리 및 종류 영어 발표자료

  DepositionSputterE-beam/Thermal EvaporationChemical Vapor DepositionHydride Vapor Phase EpitaxyMetal-Organic ... The ions strike the target physically knocking target atoms3. ... Parameters of Sputter..PAGE:7Parameters of Sputter yield(S)Target materialBinding energyMass of atomsSputtering

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.02.06

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  deposition 방법

  이러한 Sputtering 현상을 이용하여 wafer 표면에 금속막, 절연막 등을 형성하게된다.박막증착은 특히 반도체산업에서 핵심적인 분야인데 그동안 이온 빔(ion-beam), 전자 ... 이처럼 ion이 물질의 원자간 결합에너지 보다 큰 운동에너지로 충돌할 경우 이 ion 충격에 의해 물질의 격자간 원자가 다른 위치로 밀리게 되며, 원자의 표면 탈출이 발생하게 되는 ... 빔(electron-beam) 또는 RF(Radio-Frequency) 스퍼터링(sputtering) 등을 이용해 왔으나 최근에는 엑시머 레이저를 이용하는 방법의개발이 이루어져 있다

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.05 | 수정일 2013.12.01

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  [발광디스플레이실험] Photolithography

  특히 dry etching의 경우 ion 가속만을 이용하는 IBE(ion beam etching)나 sputtering과 같이 magnetron을 이용하는 sputtering etching이 ... 증착(Deposition)1) Sputtering : DC 또는 RF magnetron을 이용하여 증착하고자 하는 물질의 target으로부터 입자를 떼어내어 특정 기판상에 옮겨 붙이는 ... 비선택적 etching이며, ion 가속에 반응성 gas(reactive gas)를 사용하는 RIE(reactive ion etching)는 선택적 etching이다.

  리포트 | 8페이지 | 10,000원 | 등록일 2013.06.14

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  E-Beam Evaporator를 이용한 박막 증착 원리 이해(결과보고서)

  Heater역시 기판을 가열시켜줌으로써 장착이 잘 되는 물질이 있기 때문에 사전에 기판을 가열하도록 해주는 장치이다.E-beam evaporator와 Sputter의 증착 원리 & ... 이온원을 열음극형 카우프만 이온원을 사용하는 이온빔 스퍼터(ion beam sputter), 전자 사이클로트론 공명(electron cyclotron resonance)형 이온형을 ... 분자와 탄성 혹은 비탄성 충돌을 하여 타겟표면의 원자나 분자는 증발하는 스퍼터 증발(sputtering evaporation) 혹은 조사된 이온이 물질 속으로 흡입되는 이온 주입(ion

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.05.20

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  PVD 증착

  Beam Epitaxy )PVD ┃ IntrodutionEvaporation Sputtering Ion Plating M.B.E (Molecular Beam Epitaxy ) Thermal ... Evaporation E-Beam Evaporation DC Sputtering RF Sputtering Magnetron Sputtering PVD ┃ IntrodutionPVD ... Sputtered atom or ion Ar ion target DC sputtering 증착 과정 Ar 양이온은 음극 외장을 통과하면서 가속 가속된 양이온이 알루미늄 target

  리포트 | 46페이지 | 4,000원 | 등록일 2010.07.29

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  반도체 공정의 이해

  에는 동위원소를 포함해 여러 가지 Ion 들이 포함 되어있는데 analyzer 안에 들어있는 magnet 을 이용해 이온들을 제어한후 여기서 주입될 Ion 들만을 찾아낸다 이온주입을 ... ( CVD/PVD/oxidation/Sol-gel ) (5) Evaporation Sputtering Ar, O2 진공 챔버 plasma Substrate heater 형성된 박막 ... Sputtering : 진공챔버내에 Ar 같은 기체를 넣고 음극에 전압을 가하면 음극으로부터 방출 된 전자들이 Ar 원자와 충돌하여 Ar 을 이온화시킨다 .( glow discharge

  리포트 | 29페이지 | 3,500원 | 등록일 2011.11.18

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  thin file공정

  산(acid) 계열의 화학 약품을 이용하여 thin film layer의 노출되어 있는(PR pattern이 없는) 부분을 녹여 내는 것을 말하며 dry etching이라 함은 ion을 ... CVD은 박막 증착 과정에 기체 성분들간에 화학결합이 수반된다는 점에서 PVD와 Sputtering과 다르다. ... dielectric, insulator, polymer 등)을 수십~수천 두께로 특정 기판 상에 올리는 일련의 과정을 지칭하며 이러한 방법으로는 Thermal evaporation, E-beam

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.12.04

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  ITO 증착에 관한 이론보고서

  공정RF power나 DC power에 의해 형성된 plasma 내의 높은 에 너지를 갖고 있는 gas ion이 target 표면과 충돌하여 증착하 고자 하는 target 입자들이 ... 튀어나와 기판에 증착되는 공정.실험이론2.Sputtering 장치현재 산업체에서 가장 보편적으로 이용되고 있는 박막제조 장치.Roll SputterFront-door Sputter ... - Sputter 장치의 종류ㄱ) Roll Sputter- Chamber 내에 Cathode가 존재- Target을 그 위에 올려두면 플라즈마 상태의 Ar+가 음극을 때려 ITO가

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.22

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  표면분석장비(SEM,TEM,XPS,AES,RBS,EPMA,SIMS)의 원리와 분석방법, 특징

  Point 분석 및 Line-scan, image mapping가능(선택원소만)★ AES spectrum- Noise나 다른원소로 부터의 peak 중첩을 고려하여 해석해야 함.- Sputter ... : Electrons / Analysis beam : Electrons★ Electron energy analyzer: CMA(Cylindrical Mirror Analyzer), ... 채움 두 전자각의 binding energy 차이가 X-선으로 방출되거나 (④’) 상부 전자각의 다른 전자를 방출함(④) - -> 상부전자각에서 방출되는 전자를 검출★ Probe beam

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.06.28

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  PVD (Physical Vapor Deposition), 물리 증착법

  Ion plaingCathodic arc ion plating◎ Evarporation진공 증발 기술은 후술하는 스퍼터링 기술과 더불어 박막 형성의 기본 기술이다. ... 이러한 Sputtering 현상을 이용하여 wafer 표면에 금속막, 절연막 등을 형성하게 된다 또 ... 펄스드 레이저 증착기술중 레이저 에블리이션법이 주로 이용된다.②Electron Beam deposition에너지가 10keV 정도인 전자빔을 타겟에 쬐어 타겟만을 직접 가열하여 증착

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.07.05

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  나노 구조 제작 방법

  Sputtering – 충남대학교 표면처리 연구실 참고자료감사합니다{nameOfApplication=Show} ... LithographyCVD PVD PVD : Physical Vapor Depostion Thermal evaporation DC or RF sputtering Pulsed Laser Depostion Ion ... Beam sputtering Molecular beam epitaxy CVD : Chemical Vapor Deposition Thermal CVD Plasma enhanced CVD

  리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.03

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  리소그라피와 패터닝

  CVD PVD PVD : Physical Vapor Depostion Thermal evaporation DC or RF sputtering Pulsed Laser Depostion Ion ... Beam sputtering Molecular beam epitaxy CVD : Chemical Vapor Deposition Thermal CVD Plasma enhanced CVD ... Sputtering – 충남대학교 표면처리 연구실 참고자료감사합니다 2009.11.05.Thu 화학문헌학{nameOfApplication=Show}

  리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.06.05

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  표면물리학-ion beam sputtering

  Ion Beam Sputtering■ Sputtering이란? ... 이처럼 ion이 물질의 원자간 결합에너지 보다 큰 운동에너지로 충돌할 경우 이 ion충격에 의해 물질의 격자간 원자가 다른 위치로 밀리게 되며, 원자의 표면 탈출이 발생하게 되는 현상을 ... 이온빔을 고체에 쏘았을때의 개략도]■ Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS) - 2차 이온 질량 분석법: 튀어나온 이온을 잡아서 분석.1.

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.04

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  ITO Glass에 대한 소개와 쓰임

  ) : 기존의 ITO 제조공법에 비하여 negative ion beam에 의하여 미세한 입자 성장이 이루어져 기판에 균일하게 ITO 박막이 형성됨(RMS 1nm 이하)● 낮은 저항치와 ... Ion Beam)기존 suppering 방식 보다 낮은 온도(100℃미만)에서 고밀도의 평탄한 ITO막을 제작할 수 있슴.특징● 낮은 표면 거칠기(Smooth & Flat surface ... 다른 진공 코팅방법에 비하여 작업조절이 용이하고 0.50.60.70.61.00.60.7금속의 sputtering yield(atom/ion)NSIB(Negative Sputtering

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.14

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  E-Beam Sputtering

  1.E-Beam Sputtering2.실험방법 및 목적이번 실험은 Sputtering 이며 4인치 웨이퍼에 E-Beam 으로 타켓에 막을 형성시키는 것을 실험 하려고 한다. ... Sputtering 이란?- 글로우 방전(Glow Discharge)을 이용하여 Ion을 형성하고, 이를 전자기장으로 가속하여 타겟 물질인 고체 표면에 충돌시킨다. ... 금을 타겟으로 E-beam 을 쏘아 막을 형성하는 방법이다. 은 많은 이번실험을 통해 플라즈마를 통한 방법과의 차이점을 알고 공부하여 보도록 한다.3.이론적 배경.1.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.12

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  [LCD실험] TFT-LCD 분석

  증착(Deposition)1) Sputtering: DC 또는 RF magnetron을 이용하여 증착 하고자 하는 물질의 target으로부터 입자를 떼어내어 특정 기판상에 옮겨 붙이는 ... 공정이다.2) Evaporation: evaporation의 방법으로는 thermal evaporation과 e-beam evaporation, 그리고 이 둘을 조합하는 방법이 있다 ... 산(acid) 계열의 화학 약품을 이용하여 thin film layer의 노출되어 있는(PR pattern이 없는) 부분을 녹여 내는 것을 말하며 dry etching이라 함은 ion을

  리포트 | 6페이지 | 10,000원 | 등록일 2013.06.14

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  이온플레팅

  이것은 크게 Evaporation Process, Sputtering Process, Plasma-Asisted PVD(Ion Plating) 3가지로 나누어 진다.첫 번째로 Evaporation ... Process는 coating 재료를 여러 가지 방법(direct resistivity, radiation, arc discharge 또는 electric beam)으로 가열하여 ... 원자를 증발시켜 모재에 증착하는 방법으로서, 모재에 증착하는 원자의 에너지는 2000K에서 약 0.2eV로 매우 낮다.두 번째로 Sputtering Process는 전기적 힘에 의해

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.07.02

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  PVD와 CVD

  assistance Ion Beam Assisted Deposition(IBAD) 전기 원소들을 가속시킨다 Atomic Layer Deposition (ALD) 개별 원자를 여러 ... 이것은 초기 Sputter에서 기판의 cleaning으로 사용된다. ... 저항발열체로부터 물질을 Evaporation하여 Discharge로 들어간 경우 일부는 전자 충돌에 의해서 이온화되는데 대햑 10⁴분율이 이온화로 존재 Ion Plating에 의해서

  리포트 | 22페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.10.27

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  36XPS

  그리고 전자빔은 1μ이하로 작게 할 수 있기 때문에 beam focusing이 가능하며, depth profiling을 이용하게 되면 3차원 구조도 알 수 있다. ... 체험 XPS 장.단점XPS의 정의(X선 광전자 분광기)photons이 물질에 입사될 때, 원자나 분자로부터 방출된 전자들의 에너지를 측정하여 재료의 조성, 불순물의 분석 그리고 Sputtering을 ... sputtering, 각도 분해법 으로 비 파괴, 깊이 방향 분석 가능단점 분석 면적은 수십 ㎛ 이상(AES는 수십 ㎚) 분석영역이 크기 때문에 ion sputtering 병용에

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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