"Ion Beam Sputtering" 검색결과 101-120 / 125건

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  [전자재료]SEM&XPS에 대하여

  yield(S) for 1000eV Ar+ ions SNi = 2.1, SFe = 1.4 Initial sputtering rate Ni : Fe = 50×2.1 : 50×1.4 ... 기판바이어스에서 강화된 이온충돌-박막의 특성변화 유도 이온의 흐름이 기판근처에서 퍼짐 – 박막의 평탄도 문제 해결Magnetron sputteringNi-Fe(50:50) target, Sputtering ... 맞춤Vacuum system Remove air molecules Electrical Optical System Focus and control the e-beam Specimen

  리포트 | 41페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.08.07

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  반도체 제조,제작 공정 총정리

  이 연마된 표면에 전자회로의 Pattern을 그려 넣음.3회로설계○ 컴퓨터 시스템(CAD)을 이용해 전자회로 Pattern을 설계4마스크 제작①설계된 회로 패턴을 E-Beam설비로 ... 금속에 전기적 충격을 주면 금속이 물방울처럼 증발하는데 여기에 웨이퍼를 넣어 회로를 연결.PVD Sputtering tool13웨이퍼 자동선별 (Electric Die Sorting ... 현상액이 남아있는 부분을 남겨둔 채 나머지 부분은 부식시킴. ③ 식각이 끝나면 감광액도 황산용액으로 제거. ④ 이러한 패턴형성 과정은 각 패턴층에 대해 계속적으로 반복.10이온주입 (Ion

  리포트 | 29페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.01.11

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  [반도체] PVD 리소그라피

  ■E-Beam evaporation 그림 도가니의 저항에 의한 열로 시료를 녹여 증착하는 방식이 아님 E-Beam으로시료를 때려 증착시키는 방식이다.3.Sputtering고체의 표면에 ... 특히 dry etching의 경우 ion 가속만을 이용하는 IBE(ion beam etching)나 sputtering과 같이 magnetron을 이용하는 sputtering etching이 ... 비 선택적 etching이며, ion 가속에 반응성 gas(reactive gas)를 사용하는 RIE(rea(registration)에 대한 기술, 그리고 스텝퍼 디자인에서 지금까지

  리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.06.18

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  PLD에 대하여

  서론Physical vapor deposition (Sputtering) - 비교적 쉽게 증착이 가능 - 박막의 조성이 박막 증착 조건에 크게 의존 - 원하는 조성의 박막을 얻기가 ... PLD의 원리① Excimer Laser beam 의 에너지 ② Target 표면에서 ablation 현상이 발생 ③ Target 물질이 기판부위에 이동하여 증착2.1 Excimer ... combines with positive ions Kr+ + F- + X  KrF* + X Kr2+ + F-  KrF* + Kr Kr* + F2  KrF* + F X : third

  리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.11.09

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  박막증착

  XMrgl PVD는 CVD에비해 작업조건이 깨끗하고, 진공상태에서 저항열이나 전자beam, laser beam 또는 plasma를 이용하여 고체상태의 물질을 기체상태로 만들어 기판에 ... Sputteringsputtering전계에 의해 가속된 Ar+ ions에 의해 film source 물질을 때려 떨어져 나온 물질이 wafer위에 증착되게 하는 기술. ... deposition의 원리 및 특징Sputtering은 chamber내에공급되는 gas cathode에서 발생되는 전자사이의 충돌로부터 시작된다.

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.10.24 | 수정일 2017.07.17

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  [박막공학] Sputtering

  Sputtering, Bias Sputtering, Ion Beam Sputtering 등이 있다.Vapor-phase epitaxy의 발전을 위한 많은 기술과 시스템들이 발전을 ... 종류에는 Thermal and E-Beam Evaporation, DC-diode Sputtering, RF Sputtering, Trided Sputtering, Magnetron ... Effect of the gas pressure on the sputtering yield of Ni bombarded by 150 eV Ar ions한편 스퍼터되어 target을

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.22

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  [광전자]RBS analysis in thin film

  by Cesium Sputtering) ion source원리 : 진공중에서 Cs 을 오븐으로 가열  evaporation  surface ionization emitter 를 ... beam such that the rows of atoms are exactly parallel to the incident beam direction as depicted fig ... 원리 물리적 개념 장비의 구조 RBS 스펙트럼 기타 표면분석기술과 비교 장단점기타 표면분석기술과 비교Simulation (ERD)H AnalysisAlternative Sputtering

  리포트 | 34페이지 | 10,000원 | 등록일 2004.05.10 | 수정일 2018.09.16

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  [에칭공정]에칭(etching)의 이해 및 공정

  Ion Etching, RIE, 그리고 Reactive Ion Beam Etching, RIBE)을 포함하고 있음을 알 수 있다.먼저 부각된 것은 스퍼터링(Sputtering)이라는 ... 또한 그림 3을 보면 여러 종류의 식각 메카니즘은 물리적인 기초(Glow-Discharge Sputtering)와 화학적인 기초(플라즈마 에칭), 혹은 두 가지의 조합(Reactive

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.07

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  Al-Cu 합금의 시효 조건에 따른 미세조직 관찰

  실험 관련 기기다이아몬드 커터기, Mounting Press, 연마기, SEM(전자현미경), SandPaper, ion Sputter, 로Mold(카파)보론 나이트라이드로SEM다이아몬드커터기3 ... 주사전자현미경은 전자가 표본을 통과하는 것이 아니라 초점이 잘 맞추어진 전자선(Electron Beam)을 표본의 표면에 주사한다.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.28

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  박막의 증착 실험

  Sputter etch(Back sputtering)에서는 기판에 -100V -200V 정도의 RF 또는 DC (-) bias를 걸어 주어, Ar+ ion을 기판에 충돌하게 함으로써 ... 이처럼 ion이 물질의 원자간 결합에너지 보다 큰 운동에너지로 충돌할 경우 ion충격에 의해 물질의 격자간 원자가 다른 위치로 밀리게 되며, 원자의 표면 탈출이 발생하게 되는 현상을 ... 이 때 HC는 고온으로 가열되어 많은 열전자를 구멍 뚫린 양극(+)을 향해 방출하게 되며, 이 양극에서 나온 전자는 전자빔(beam)인 전자총이 되어 양극으로 된 증발물질을 때려서

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.09.29

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  [증착법] 증착법

  진공관 제작, CRT(cathode ray tube), 이온주입(ion implantation), 증착(evaporation), 전자현미경 등이 이 영역의 진공대에서 운용되고 있다.3 ... Electron beam source인 hot filament에 전류를 공급하여 나오는 전자 beam을 전자석에 의한 자기장으로 유도하여, 증착재료에 위치시키면 집중적인 전자의 충돌로 ... (Sputtering 할 때 조절해야 할 조건)- 기판재료 선정 및 세정- 박막두께 결정 및 조성결정- 박막조성에 따른 target 결정- 기판온도 결정- Background 압력

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.10.07

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  [자연과학]박막과 MEMS

  Cluster ion beam의 특색은 다음과 같다. ... ALD 메커니즘의 예로서 TiO₂박막의 ALD 반응을 들겠다.셋째, 스퍼터링(Sputtering)이 있다. ... 이러한 현상을 'Sputtering'이라고 하며 이러한 현상을 이용하여 wafer표면에 금속막, 절연막 등을 형성한다.

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.11

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  [반도체공학] 반도체 공정 및 스퍼터링

  반도체공정 Sputtering 결과반도체 제조 과정 11. ... 마스크(Mask)제작 설계된 회로패턴을 E-beam 설비로 유리판 위에 그려 마스크를 만듦. 사진의 원판과 같은 구실. ... 이온주입(Ion Implantation)공정 원자 이온에 목표물(target)인 고체 표면을 뚫고 들어갈 만큼의 큰 에너지를 공급하여 이온을 고체 내에 주입하는 것 반도체 소자 제작시

  리포트 | 22페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.05

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  [화학공학] [실험보고서]박막의표면처리 및 식각 보고서

  특히 dry etching의 경우 ion 가속만을 이용하는 IBE(ion beam etching)나 sputtering과 같이 magnetron을 이용하는 sputtering etching이 ... SiO2, PSG, BPSG Si3N4 등의 절연막, 폴리실리콘막 및 W 등의 금속막은 CVD법에, A1, TiN 등의 금속 또는 도전성 막은 PVD법인 스퍼터링(Sputtering ... 비선택적 etching이며, ion 가속에 반응성 gas(reactive gas)를 사용하는 RIE(reactive ion etching)는 선택적 etching이다.이상과 같은

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.06.14

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  [박막 증착] PVD의 원리와 종류

  진공증착(vaccum evaporati많이 이용되고 있지만 도가니에 의해서 오염되기 쉽고 녹는점이 2200℃ 이상인 시료는 박막제작이 불가능하다는 단점이 있다.MBEMolecular Beam ... 표면에 고에너지의 입자를 충돌시키면 target 물질의 원자가 완전탄성 충돌에 의해 운동량을 교환하여 표면에서 밖으로 튀어나오게 된다.이처럼 ion이 물질의 원자간 결합에너지 보다 ... 큰 운동에너지로 충돌할 경우 이 ion 충격에 의해 물질의 격자간 원자가 다른 위치로 밀리게 되며, 원자의 표면 탈출이 발생하게 되는 현상을 물리학에서 “sputtering”이라고

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.01.18

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  [반도체] 스퍼터링

  Sputtering yields for Ni and Au versus incident angle of light ions (θ is the angle between the ion beam ... 단결정 target의 경우 이온들이 침투하기 유리한 결정면에 대해서는 sputter yield는 감소한다.④ Sputter yield는 아주 높은 경우를 제외하고는 target의 온도에 ... ※sputter yield 특징① Sputter yield는 target 원소의 heat of evaporation에 의존하는데, heat of evaporation이증가하면 sputter

  리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.12.08

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  진공증착 (Evaporation)

  증발(Arc Evaporation)4) 마그네트론 증발(Magnetron Evaporation)5) 이온빔 증발(Ion-beam Evaporation){(이온도금 과정). ... 이온도금(Ion Plating)1) 열증발(Thermal Evaporation)2) 고전압 전자빔 증발(High Voltage Electron Beam Evaporation)3) 아-크 ... (Iom-beam Sputtering)마) 중성입자 스퍼터링(Neutral-particle Sputtering)2RF(Radio Frequency) 과정 : RF 마그네트론3.

  리포트 | 11페이지 | 2,500원 | 등록일 2002.04.10

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  [표면분석] RBS에 대하여

  beam such that the rows of atoms are exactly parallel to the incident beam direction as depicted fig ... 단위체적당 원자수의 비율개요 및 원리 물리적 개념 장비의 구조 RBS 스펙트럼 기타 표면분석기술과 비교 장단점기타 표면분석기술과 비교SimulationAlternative Sputtering ... 불순물의 위치를 알아낼 수 있음개요 및 원리 물리적 개념 장비의 구조 - 이온발생원 - 가속기 - 표적함 RBS 스펙트럼 기타 표면분석기술과 비교 장단점장비의 구조이온 발생원 - RF ion

  리포트 | 37페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.07.05

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  [반도체] VLSI 대규모 집적 회로 생산

  형 및 n 형 불순물을 주입*drive-in : 온도, 시간으로 불순물의 깊이와 농도를 조정{{*기체소오스 확산법 : B2H6(B 확산), PH3(P 확산)아르곤, 질소 가스5) Ion ... 공정의 예전자빔 증착법 :뜻 : 전자빔을 발생 후 가속시켜 충돌시키면, 운동에너지가 열에너지로 바뀌어 표면에 증착되는 것특징 : 증착 속도가 빠름/ 균일한 증착막 불가스퍼터링 (Sputtering ... *Electron Beam Lithography :전자의 파장을 이용하여 패턴을 웨이퍼의 표면에 형성.높은 해상도가 가능하나, 시간이 많이 걸리고 비쌈.Reticle뜻 : 광 그래픽

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.24

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  [재료공학] 박막 제조법

  또한 타겟 전극의 면적이 RF 전력원과 직접 연결된 전극(접지 된 면적)의 면적 보다 작아야 한다.판형 다이오드 스퍼터링(Planar Diode Sputtering)그림처럼 음극인 ... Transverse gun방식은 전자빔을 접지한 양극의 구멍을 통과하게 한 후 자기장에 의해 휘어져 표적재료로 향하게 하는데, 진공증발시 주로 사용하는 방식은 270 도 Bent-Beam ... implantation)을 일으키거나, 타겟 표면에서 반사되는 이온 산란(ion scattering)을 일으킨다.

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.03.27

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