"Sputtering" 검색결과 541-560 / 816건

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  [박막공학]박막공정

  Sputtering 증착법은 sputter를 선택할 수 있고, 이온은 더 높은 방향성을 가진다.물리 기상 증착법: Sputtering 증착법3. Sputtering vs. ... 전자는 가스 원자에 충돌함으로써 가스 원자를 이온화 함.가스 원자 이온화 과정물리 기상 증착법: Sputtering 증착법Sputtering 원리 및 특성 원자 A와 B의 충돌은 다시 ... 위의 방법을 사용하여 아르곤의 양이온으로 웨이퍼의 Sputtering 및 cleaning을 할 수 있다.

  리포트 | 43페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.12.29

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  전기적 에이징에 따른 유기 박막 트랜지스터의 특성에 관한 연구

  기존의 절연체로 사용한 무기물은 E-Beam, Sputter, CVD 등의 기법을 사용하여 공정에서 발생하는 온도 상승으로 기판의 사용에 제한이 있었다.

  리포트 | 53페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.10.13

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  SIMS( Secondary Ion Mass Spectroscopy )

  스퍼터링(Sputtering) - 고속의 일차이온이 고체시료 표면에 충돌하게 되면 충돌에너지에 의해서 결합된 입자들이 끊어지고 시료에서 방출 - 방출된 입자 중 일부는 이온의 형태인데

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.05.03

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  [공학]PVD (Physical Vapor Deposition)

  PVD (Physical Vapor Deposition)종류PVD (Physical Vapor Deposition)에 해당하는 증착법에는 스퍼터링 (Sputtering), 전자빔증착법 ... 레이저분자빔증착법 (L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy), 펄스레이저증착법 (PLD, Pulsed Laser Deposition) 등이 있다.특징스퍼터링 (Sputtering

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.05.18

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  [공학]기초 반도체 공정

  (모멘텀 교환 충돌) • Sputtering은 이온의 가속, 이온의 target에의 충돌, target w} ... . • 최근에는 고박막을 얻기 위하여 복합적 시스템을 연구 사용하고 있다.(4) Sputter deposition processing • 10-6Torr정도로 진공 배기를 시킬 수 ... 기구 • Sputtering은 높은 에너지를 가진 입자(이온)가 target 원자에 충돌되어 운동량 (momentum)을 전달하여 target 원자가 target으로부터 이탈되어

  리포트 | 161페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.30

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  염료감응형 태양전지

  SputteringSc-ZnO DepoSemiconductor Physics LabGlassSc-ZnOSc-ZnO TargetSc-ZnO DepoEagle 2000 Glass에 Sputtering

  리포트 | 24페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.11.22

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  증착기를 이용한 반도체 공정

  PVD (Physical Vapor Deposition)PVD증착법은 크게 스퍼터링(Sputtering)과 증발(Evaporation)으로 나눌 수 있습니다. ... 이 방법은 증발되는 원자를 이온화시키기도 하고 기구 자체가 복잡해지는 단점이 있습니다.③ Sputtering스퍼터링은 진공 중에서 불활성 기체 (Ar, Kr, Xe 등)를 Plasma

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.09.21

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  박막형 태양전지의 재료인 Cd-Te의 현재 기술과 문제점분석

  , Cd-Te 하나의 동종접합으로 만드는 것이 아니라 CdS를 창문층으로 사용하는 이종접합의 형태로 사용한다.(2) Cd-Te 태양전지의 제조방법CdTe 태양전지의 제조방법으로는 Sputtering

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.12

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  ITO patterning 공정 예비

  갖고 있으며, 전극 Pattern 가공성이 좋기 때문에 Segment 표시, Dot Matrix 표시를 불문하고 많은 액정표시의 투명전극으로 사용된다.현재 액정용 ITO막은 주로 Sputter법으로

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.09.15

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  전자재료실험 - 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석 결과보고서

  다른 증착법과는 다르게 저온에서 간단히 박막을 증착할 수 있는데, 다음과 같이 여러 증착법이 있다.스퍼터링(Sputtering), 전자빔 증착법 (E-beam evaporation)

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.12.01

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  [재료실험][DH실험] 반도체단위공정, 증착, 식각

  이 박막을 증착시키기 위한 방법은 크게 물리적인 증착 방법과 화학적으로 증착시키는 방법으로 나눌 수 있다.대표적인 방법으로는 물리적으로 증착시키는 Evaporation, Sputtering ... plasma내의 Ar+이온은 큰전위차에 의해 cathode(target)쪽으로 가속되어 target의표면과 충돌하면, 중성의 target원자들이 튀어나와 기판에 박막을 형성한다.Sputter ... 용이하다.PVD방식은 공정방법에 따라 다음과 같이 분류된다.위와 같은 PVD방식으로 제조할 수 있는 박막재료는 금속, 합금을 비롯하여 화합물, 비금속산화물 등이 있다.원리 및 특징: Sputtering은

  리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.05.11

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  기본적인 학업계획서의 양식

  2011.2 00대학교 00학과 졸업예정 학부졸업논문 Hydrothermally Grown Nanorods on xyz Substrate 한국 연구소 연구연수생 Photo 공정, Sputter를

  이력서 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.12.20

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  공학재료와 거동학 Project-모바일,폰

  현재 액정용 ITO막은 주로 Sputter법으로 제조한다.

  리포트 | 12페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.12.21

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  플라즈마 코팅

  플라즈마를 이용하여 직접 금형에 이질의 박막을 증착시키는 방법 - Magnetron Sputtering, Arc sputtering, Laser abliation 등의 PVD법 - ... 고체상의 탄소원을 쓰는 경우 - Sputtering, Laser Ablation, Filtered Vacuum Arc 방법 - 탄소원을 타켓으로 하여 탄소를 뜯어서 던져 주는 원리

  리포트 | 26페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.06.03

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  SBT 박막제조와 누설전류, 정전기용량 측정 결과 보고서

  증착은 DC/RF Sputtering 장비를 이용하여 상향 증착 방식을 이용하였다.. ... (2개의 DC, 1개의 RF)Ti 증착 : DC Sputtering 두께 400Å 상향 스퍼터링 (접착제 및 Pt 확산 방지)SBT 증착 준비SBT 증착 준비SBT 시편※ 진공을 ... 속도가 빠름.Ti 1분30초(400Å), Pt 15분(3000Å), SBT 20분(2000Å)RF/DC Magnetron Sputtering 장치④ 열처리 실시 (750°)각각 1시간씩

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.20

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  플라즈마 생성과 원리

  (가속된 이온의 힘을 이용하면 Sputtering이나 Etching등의 공정에 적용이 가능함) 단계4. ... 내부의 이온을 끌어올 수 없게됨 - 플라즈마 내부의 전기적 평형상태가 깨짐 : 수 ㎲내에 플라즈마가 없어짐DC Pulsed Power - 전극에 이온이 쌓이는 것을 방지하여 부도체를 Sputtering ... DC와는 달리 이온을 두방향으로 운동시킬수 있음 2) DC보다 10배에서 100배까지 빠르게 이온화가 가능 용도 1) 용도 : 부도체에 Voltage Biasing할 때 사용부도체를 Sputtering

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.03.31

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  드라이에칭

  물리적 방법 - Sputter Etching 2. 화학적 방법 – Plasma Etching 3.

  리포트 | 25페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.06.02

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  태양전지 및 관련특허

  interconnect 부분을 etching하는데 쓰인다.Figure 1.3 Clear-Field and Dark-field masks리쏘그라피라는 것은 반etron을 이용하는 Sputtering

  리포트 | 20페이지 | 3,500원 | 등록일 2011.11.27

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  CIGS박막태양전지

  저항가열하여 기판에 진공증착 시켜 CIGS 박막을 제작하는 기술 장점 : 제작공정 간단 단점 : 진공장치 내부의 오염 제작비용 저렴 양질의 박막제장 용이치 않음 대면적화가 어려움 Sputtering

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.11.11

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  나노 재료의 주요 합성방법(졸겔법,침전법,전기방전법,레이저증착법, 스파터링법, 기상합성법,화학기상 성장법)

  일반적으로 사용되는 sputtering 가스는 불활성 가스인 Ar이다.Sputter장치는 타겟 쪽을 음극(cathode)으로 하고 기판 쪽을 양극(anode)으로 한다. ... 인가하면 주입된 sputtering 가스(Ar)는 음극 쪽에서 방출된 전자와 충돌하여 여기되어 Ar+로 되고 이 여기된 가스는 음극인 타겟 쪽으로 끌려서 타겟과 충돌하게 되는 것이다.Sputtering의 ... 공정을 선시켜서 합성되는 탄소나노튜브의 양을 charge - 압력이 100～103 Pa 정도되는 진공 내의 두 개의 전극 간에 고전압을 걸어주었을 때, 양전극에 생기는 방전현상이다.]Sputtering현상을

  리포트 | 21페이지 | 5,000원 | 등록일 2007.10.17

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