"Reactive sputtering" 검색결과 41-60 / 130건

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  ETCHING

  원통형 플라즈마 식각기 (Barrel Plasma Etcher) 20 등방성 Wafer 의 물리적 sputtering 이 아니기 때문에 plasma 손상 최소화 → 화학적으로 거의 ... Reactive Ion Etch (RIE) RF generator Wafer Powered electrode (cathode) Grounded electrode (anode) Ar ... Reactive Ion Etch (RIE) • High etching rate requires high plasma densities • Higher pressures (more gas

  리포트 | 56페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.12.24 | 수정일 2013.11.17

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  Sputter Deposition

  RF sputtering(1) sputtering plasma 발생 oscillating power source를 사용하므로 DC방법보다 많은 장 점이 있다.- 부도체재료를 sputter ... Basic aspects of sputtering1.1. ... spu분의 화합물 target은 sputtering yield가 작고 이차 전자의 방출량이 많다.)?

  리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.02

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  발광 박막의 제조2

  sputter로 산화물, 질화물 박막의 형성이 가능이론. ... sputter로 산화물, 질화물 박막의 형성이 가능실험 방법.기판세정 boat에 담기 (cm2)glassAcetone, Methanol, D1 water (10분정도씩 초음파 세척 ... damage 발생요인이 된다.박막의 응착력이 좋다Target의 냉각이 가능, 큰 target 사용 가능금속, 합금, 화합물, 절연체 등 다양한 재료의 성막이 가능O2, N2 등의 reactive

  리포트 | 46페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.05.30

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  [재료공학] Sputter의 원리와 종류

  기판의 sputter etching으로 pre-cleaning이가능하다.-. O2, N2등의 reactive sputter로 산화물, 질화물 박막의 형성이 가능하다.(단점)-. ... 균일한성막이가능, step 또는 defect coverage가좋다.-. 박막의응착력(adhesion)이좋다.-. ... cathode에 (-)전압을가하면-. cathode로부터방출된전자들이 Ar 기체원자와충돌하여, Ar을 이온화 시킨다.Ar + e-(primary) = Ar+ + e-(primary) + e-(secondary

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.04.02 | 수정일 2017.07.17

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  sputtering

  불활성 기체로 Ar이 탁월 - 값이 싸고, 무거워서 sputtering yield가 높다.② reactive processDC diode, RF diode, triode, magnetron ... 없다.◎ arc deposition 같이 작은 물방울이 형성되지 않는다.○ Reactive vs non-reactive process① non-reactive process? ... 간단하나 sputtering 속도가 느리다. (∵ 대부분의 화합물 target은 sputtering yield가 작고많은 장점이 있다.- 부도체재료를 sputter 할 수 있고, 낮은

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.03.24

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  스퍼터링(sputtering deposition)의 이론 및 원리

  process)1. non-reactive process - 불활성 gas plasma를 이용하여 sputtering - 불활성 기체가 매우 적은 양이라도 target이나 막에 침투 ... Reactive process 1) metallic cathode - target은 깨끗한 금속표면으로 유지 - sub-stoichiometric 막의 형성과 target의 오염을 ... 절연막의 증착 증착막 두께의 균일성 큰 면적의 타겟 이용 가능 높은 온도를 요구하지 않는다. → 저온 or 상온 증착Sputtering (Reactive vs non-reactive

  리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.24

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  박막증착 공정과 식각 공정 자료입니다.

  The location of.12 is very similar to a simple reactive ion etch system, a parallel-plate plasma reactor ... In the case of elemental metals, simple dc sputtering is usually favored due to its large sputter rates ... by sputtering and in some cases by electroplating in most silicon technologies for two reasons.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.23

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  Etching and Packaging of Micro System Process

  Plasma etching in the parallel plate reactor or reactive etching or reactive sputter etching or electron ... In case of dry etching, it’s done by injecting reactive gas which reacts with certain substance. ... Compared to lead frame type, the result from substrate type is light, small and short and has superior

  리포트 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.06.05

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  E-Beam Sputtering

  등의 절연체의 경우에도 성막속도가 크다.- 유전체 재료의 sputter 또는 reactive sputter가 가능- 주어진 input power에서 성막속도가 일정☞단 점- 자기장이 ... target 표면에 수직으로 들어오고 나가도록 해야함- 자기장 근처에서의 선택적인 sputter로 target의 소모성이 크다- 자성재료 등의 sputtering시 자기장이 target ... 조절이 쉽다.- RF sputtering 에 비해 성막속도가 크다.- 박막의 균일도가 크다.- 높은 에너지의 공정이므로 밀착강도가 높다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.12

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  ITO

  Torr성막속도성막속도가 큼(PAr에 덜 민감함)성막속도가 낮음(PAr에 민감함)Shield 크기작음(성막면적이 큼)큼(성막면적이 작음)Reactive sputteringRF보다 불리함Reactive ... 양이온 In3+○:음이온 O2-ITO는 In2O3의 결정구조에서 In 자리에 Sn이 치환고용된 형태◆ ITO GlassITO Glass는 투명 기판(Glass) 위에 ITO 박막을 sputtering ... sputtering에 적합함3) Magnetron SputteringTarget(Cathode) 뒷면에 영구자나 전자석을 배치함으로써, 전기장에 의해(RF or DC) cathode로부터

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.11.05

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  박막 재료

  rise of films during plasma processing*One of the important common issues in both plasma etching and sputtering ... of film stress 8. stimulation of film-sorption effects and film surface reactivity* Film materials modified ... In these appications ARE has been supe rceded by ion plating, reactive sputterin g, arc plasma, and CVD

  리포트 | 31페이지 | 4,000원 | 등록일 2010.05.13

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  이온 플레이팅에 관한 리포트

  한 예로 증발입자의 운동에너지는 진공증착의 경우 0.1~0.5eV, sputtering의 경우 100eV 정도이지만 Ion Plating의 경우는 100eV 이상에 달한다. - 각종 ... 반응성 증착(Reactive Evaporation)에서도 증발공간에 반응가스를 도입하면 화합물 막 을 형성시킬 수 있지만, 반응이 완만하기 때문에 화학 중론적 으로 균일한 화학물 막

  리포트 | 20페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.06.11

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  박막제조기술

  sputtering PLD MBEGrowth rate : evaporation sputtering PLD MBEChemical vapor depositionCVD overview ... does not need to be as highPVD SummaryCost : evaporation sputtering PLD MBEFilm quality : evaporation ... breaks up gas molecules Higher reactivity can use lower temperatures can use lower pressuresMOCVD{nameOfApplication

  리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.03.25

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  태양전지 연구동향

  사용하여 증착을 하며, CIGS 광흡수층은 evaporation, sputtering, electro-deposition, ink-printing, solution coating ... 박막의 적층구조를 갖는 CIGS태양전지의 후면전극으로 사용되는 몰리브덴(Mo), ITO(Indium doped Tinoxide)는 sputtering이나 e-beam evaporation을 ... Kyoeera사에서는 다결정 실리콘 태양전지를 n+-p-p+ 형태로 전면과 후면의 실리콘 질화막 (SiN) 표면처리와 RIE (Reactive Ion Etching) 법으로 표면을

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.03.09

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  연소 화학 기상 증착법(Combustion Chemical Vapor Deposition)

  사용할 수 있다. 6)기판의 sputter etching 으로 pre-cleaning이 가능하다. 7)O2 N2 등의 reactive sputtering 으로 산화물 또는 질화물 ... RF sputtering Magnetron sputtering Ion-beam sputtering금속Cu,Au,Al,Co,Ni,Fe,Si저항막,전극, 반사막,태양전지,Sensor, ... 단점 1)성막속도가 낮다( 10Å/sec ) -magnetron sputtering 으g이온충돌에 의한 모재의 세정효과와 높은 이온 에너지로 인해 공극이나 불순물등이 없는 치밀한 조직을

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.17

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  드라이에칭

  일반적으로 플라즈마와 같이 gas 를 이용하거나 , 이온주입이나 sputtering 등과 같이 이온 이나 전자 를 이용한 식각 . 1. ... 스퍼터 식각 (sputter etching) 2. 화학적 식각 (chemical etching) 3. 이온보조식각 (ion enhanced etching) 4. ... 물리 , 화학적 방법 - RIE (Reactive Ion Etching)건식 식각건식에칭이 각광받는 배경 초고집적회로 (ULSIC) 시대로 접어들면서 미세소자 제조가 필요함 소자의

  리포트 | 25페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.06.02

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  건식식각

  일반적으로 플라즈마와 같이 gas 를 이용하거나 , 이온주입이나 sputtering 등과 같이 이온 이나 전자 를 이용한 식각 . 1. ... 스퍼터 식각 (sputter etching) 2. 화학적 식각 (chemical etching) 3. 이온보조식각 (ion enhanced etching) 4. ... 물리 , 화학적 방법 - RIE (Reactive Ion Etching)건식 식각건식에칭이 각광받는 배경 초고집적회로 (ULSIC) 시대로 접어들면서 미세소자 제조가 필요함 소자의

  리포트 | 25페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.06.13

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  SPUTTER

  - 직류 전원을 사용하여 전도체를 sputter RF sputtering - 고주파 전원을 사용하여 금속 뿐만 아니라 부도체 sputter 가능 Triode sputtering 금속 ... -RF sputtering에 비해 성막속도가 크다. ... 그러나, 이온의 에너지가 너무 크면 이온 주입이 일어나 오히려 sputter yield는 감소한다.자료: Angstrom SciencesSputtering 종류DC sputtering

  리포트 | 27페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.07

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  금속 박막증착

  구조가 간단하며, 가장 표준적인 장치이다.성장속도가 여러 종류의 금속에 대해 거의 일정하며, RF sputtering에 비해 성장속도가 크다.② RF 스퍼터: DC sputtering에서는 ... target이 산화물이나 절연체일 경우 sputtering되지 않는다.이러한 단점을 해결해주고 전반적으로 DC의 단점을 보완해 준다.그리고 일반적으로 사용되는 고주파의 주파수는 13.56MHz이다.장 ... 발생하고 플라즈마내의 Ar 양이온이 target으로 가속되어 target원자를 떼어내게 되어 반대쪽의 기판으로날아가서 박막을 형성하는 방법이다.① DC 스퍼터: 직류전원을 이용한 sputtering방법이며

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.08.24 | 수정일 2015.02.12

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  Sputtering 방법을 통해 증착한 Cu-Ti 박막의 후 열처리 온도에 따른 Cu-Silicide 형성과 비저항의 미치는 영향과 특성 평가 실험

  높은 working pressure ⇒ 박막의 순도 ↓③ sputter의 종류 1) DC sputtering직류전원을 이용한 sputtering 방법이다. ... 따라서 전자가 어느 한 쪽으로 몰리게 되면 다른 전극에는 ion으로 생성된 sheath가 생기게 되며 DC의 경우와 마찬가지로 sputtering이 발생하게 된다.RF sputtering은 ... 이론적 배경◎ sputter의 원리① Sputtering의 원리sputtering은 진공도가 일정수준에 이르면 진공 chamber내로 불활성기체(Ar)을 주입하고 전장을 인가하면 Glow

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.25

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